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发光多孔硅材料的制备方法: 一种采用超声电化学腐蚀制备发光多孔硅材料的方法。传统的多孔硅电化学制备方法是采用加直流电流或脉冲电流的方法。直流电流腐蚀方法制备的多孔硅材料有表面硅孔分布不均匀，孔径比较大，界面不平整，腐蚀效率不高等缺点。脉冲电化学腐蚀...; 侯晓远柳毅熊祖洪徐少辉柳玥刘小兵丁训民; 文献传递

基于多孔硅分布Bragg反射镜的有机微腔的光学性质被引量：12: 2000年; 报道了采用多孔硅多层膜作为Bragg反射镜的有机半导体光学微腔 .被测样品的光致发光谱半高宽可由无微腔下的 83nm窄化为有微腔时的 4nm ,非共振模得到有效的抑制 .同时共振峰强度的增强和峰位随出射角增大的“蓝移”; 吕明徐少辉张松涛何钧熊祖洪邓振波丁训民; 关键词：微腔多孔硅有机半导体光学性质

电化学脉冲腐蚀法制备窄峰发射的多孔硅微腔被引量：8: 2002年; 用电化学脉冲腐蚀方法制备了多孔硅微腔 ,讨论了脉冲电化学腐蚀的参数——周期、占空比对多孔硅多层膜制备的影响 ,并用了以 HF酸扩散为基础的多孔硅动态腐蚀机理对实验结果进行解释 ,认为在用电化学脉冲腐蚀法制备多孔硅微腔的过程中 ,不但要考虑到 HF酸对硅的纵向电流腐蚀 ,也要考虑到 HF酸对多孔硅硅柱的横向浸泡腐蚀 .可通过选取合适的周期、占空比 ,使二者对多孔硅的作用达到适中 ,以制备出高质量的多孔硅多层膜和微腔 .并用正交实验法优化了制备多孔硅微腔的参数 ,根据优化的实验参数 ,制备出了发光峰半峰宽为 6; 徐少辉熊祖洪顾岚岚柳毅丁训民侯晓远; 关键词：多孔硅微腔光致发光

硅基纳米发光材料: 本论文的主要工作是把光子晶体概念引入多孔硅材料研究中，提出通过制备多孔硅光子晶体结构实现光局域，以实现多孔硅光放大。在此基础上，我们主要研究了多孔硅微腔及多孔硅光子量子阱结构两个主要方面的问题，并开展了多孔硅二维光子晶体...; 徐少辉; 关键词：多孔硅传输矩阵微腔光子晶体; 文献传递

电致发光色纯性增强的硅基有机微腔被引量：11: 2003年; 报道了硅基有机微腔的电致发光 (EL) .该微腔由上半透明金属膜、中心有源多层膜和多孔硅分布Bragg反射镜(PS DBR)组成 .半透明金属膜由Ag( 2 0nm)构成 ,充当发光器件的负电极和微腔的上反射镜 .有源多层膜由Al ( 1nm) LiF( 0 5nm) Alq3 Alq3:DCJTB NPB CuPc ITO SiO2 组成 ,其中的Al LiF为电子注入层 ,ITO为正电极 ,SiO2 为使正、负电极电隔离的介质层 .该PS DBR是采用设备简单、成本低廉且非常省时的电化学腐蚀法用单晶Si来制备的 ;该PS DBR的反射谱的高反射区 (阻止带 )宽 160nm且其反射率可达 99% .此硅基有机多层膜的反射谱图中出现了标志此结构为微腔的共振腔膜 .被测样品EL谱的半高宽可由无微腔的 70nm窄化为有微腔时的 12nm ,且为单峰发射 ,非共振模得到有效抑制 ;与非微腔器件相比 ,该微腔在谐振波长处EL的强度增强了 4倍 ;对微腔器件的电流 -亮度 -电压特性以及影响器件寿命的因素也进行了讨论 .; 熊祖洪史华忠樊永良张松涛詹义强何钧钟高余徐少辉柳毅王晓军王子君丁训民黄维侯晓远; 关键词：电致发光电化学腐蚀

掺铒硅多孔化后的光致发光特性被引量：6: 2000年; 采用一种新的方法制备掺Er多孔硅.首先通过分子束外延法生长Er,O共掺的硅外延层,然后通过常规的电化学阳极腐蚀法将外延层制备成掺Er离子的纳米硅柱结构.由于实现了Er离子在多孔硅中沿深度方向的均匀分布,得到峰宽仅6nm的Er3+本征发光.同时,由于铒与氧共掺于硅柱内部,多孔硅不再需要通过高温后处理引入氧来实现铒的光学激活.实验还对多孔化前后,Er3+的发光强度作出直观的比较,讨论多孔硅可见光及红外光区域的发光对Er3+红外发射的影响.; 顾岚岚熊祖洪陈刚徐少辉; 关键词：掺铒硅多孔硅光致发光特性

电子体系与光子体系被引量：24: 2002年; 文章将电子与光子以及二者在不同的约束结构 (孤立原子与光子点 ,孤立分子与光子分子 ,半导体晶体与光子晶体 )中的行为作了类比 ,揭示电子体系和光子体系有很高的可比性 .; 徐少辉丁训民资剑侯晓远; 关键词：电子体系光子光子晶体半导体

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徐少辉