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徐天宁

作品数:67 被引量:59H指数:5
供职机构:浙江工业大学之江学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金浙江省自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:理学电子电信一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 30篇专利
  • 27篇期刊文章
  • 7篇会议论文
  • 3篇学位论文

领域

  • 18篇理学
  • 13篇电子电信
  • 4篇一般工业技术
  • 2篇经济管理
  • 2篇化学工程
  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇文化科学
  • 1篇天文地球
  • 1篇交通运输工程

主题

  • 12篇光学
  • 11篇半导体
  • 9篇纳米
  • 8篇光谱
  • 7篇单晶
  • 7篇单晶薄膜
  • 7篇衬底
  • 6篇导体
  • 6篇电学
  • 6篇光电
  • 6篇X
  • 5篇量子
  • 5篇纳米线
  • 5篇晶体薄膜
  • 5篇分子束
  • 5篇分子束外延
  • 5篇PBTE
  • 4篇低维结构
  • 4篇电子束
  • 4篇荧光

机构

  • 48篇浙江大学
  • 24篇浙江工业大学...
  • 10篇中国科学院
  • 8篇浙江工业大学
  • 3篇上海交通大学
  • 1篇浙江大学城市...
  • 1篇浙江师范大学
  • 1篇中国科学技术...

作者

  • 67篇徐天宁
  • 41篇吴惠桢
  • 17篇斯剑霄
  • 13篇余萍
  • 12篇隋成华
  • 10篇邱东江
  • 9篇夏明龙
  • 8篇黄田浩
  • 6篇陈乃波
  • 5篇劳燕锋
  • 5篇陈奶波
  • 5篇王擎雷
  • 5篇夏娟
  • 4篇刘玉玲
  • 4篇丁扣宝
  • 4篇曹春芳
  • 4篇施红军
  • 3篇李翔
  • 3篇谢正生
  • 3篇童东绅

传媒

  • 7篇物理学报
  • 4篇Journa...
  • 3篇无机材料学报
  • 3篇发光学报
  • 2篇材料研究学报
  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇中国激光
  • 1篇光学学报
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇功能材料
  • 1篇中国非金属矿...
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇新课程研究(...
  • 1篇第十四届全国...
  • 1篇第十七届全国...
  • 1篇第五届届全国...

年份

  • 1篇2023
  • 3篇2022
  • 2篇2021
  • 3篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 2篇2015
  • 3篇2014
  • 2篇2013
  • 2篇2012
  • 5篇2011
  • 4篇2010
  • 3篇2009
  • 12篇2008
  • 9篇2007
  • 8篇2006
  • 4篇2005
  • 1篇2004
  • 1篇1900
67 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
类水滑石矿物的产品分析与应用被引量:7
2012年
水滑石类化合物安全、无毒,作为助剂广泛地应用于多种高聚物制品中,以提高制品的热稳定性、阻燃性、绝热性等。本文介绍了水滑石类化合物的结构特征、水滑石类产品的概况,分析了水滑石类产品的质量性能,指出了水滑石类产品的应用开发前景。
俞卫华童东绅周春晖徐天宁
关键词:水滑石高聚物助剂
Ag/ZnO低维结构中激子-等离子体共振耦合效应
徐天宁贾文旺李翔隋成华吴惠桢
In_2O_3透明薄膜晶体管的制备及其电学性能的研究被引量:2
2010年
采用磁控溅射方法在玻璃衬底上生长了In2O3晶体薄膜.该薄膜具有(111)晶面择优取向,晶粒尺寸达到33nm.利用光刻工艺制作了以In2O3晶体薄膜为沟道层的底栅式薄膜晶体管.In2O3薄膜晶体管具有良好的栅压调制特性,场效应迁移率达到6.3cm2/(V·s),开关电流比为3×103,阈值电压为-0.9V.结果表明,In2O3薄膜晶体管在新型平板显示领域具有潜在的应用前景.
徐天宁吴惠桢张莹莹王雄朱夏明原子健
关键词:磁控溅射薄膜晶体管场效应迁移率
一种制备Ⅳ-Ⅵ族半导体单晶薄膜的生长装置
一种制备IV-VI族半导体晶体薄膜生长装置,包括有生长设备,抽真空系统,加热系统,冷却系统,控制系统,其特征是:所述的生长设备由进样室,生长准备室,生长室三个真空室依次连接构成,进样室与生长准备室之间及生长准备室与生长室...
吴惠桢斯剑霄夏明龙徐天宁
文献传递
ZnO:Ag薄膜的生长及电学性质研究被引量:1
2010年
p-型ZnO材料因在紫外光电器件方面的潜在应用价值而受到人们的广泛关注。采用反应电子束蒸发法在白宝石上生长了ZnO:Ag薄膜,生长温度范围从150~250°C。研究表明:在该温度范围生长的ZnO:Ag薄膜具有n-型导电特征,但通过退火可以实现p-型导电。当退火温度为300°C时,ZnO:Ag薄膜的空穴浓度为2.8×1016 cm-3,电阻率为1.0 kΩ.cm,空穴的迁移率为0.22 cm2/V.s。当在350°C下进一步退火,薄膜仍为p-型导电,但空穴浓度减小为2.1×1015 cm-3,电阻率增大到5.0 kΩ.cm。通过对ZnO:Ag薄膜的X射线衍射谱分析发现,ZnO:Ag电学性质的变化与薄膜中Ag+替代Zn2+的浓度有关。
隋成华徐天宁郑东蔡霞夏娟原子健
关键词:ZNO薄膜AG2O
纤锌矿结构Zn<Sub>1-x</Sub>Mg<Sub>x</Sub>O半导体纳米晶体薄膜的低温制备方法
一种纤锌矿结构Zn<Sub>1-x</Sub>Mg<Sub>x</Sub>O(0≤x≤0.36)半导体纳米晶体薄膜的低温制备方法,其特征是采用电子束加热蒸发(MgO)<Sub> y</Sub> (ZnO)<Sub> 1-...
吴惠桢邱东江陈乃波徐天宁余萍
文献传递
应变对PbSe材料晶格振动的影响
本文在晶格失配的BaF2衬底上用分子束外延技术生长了不同厚度的PbSe单晶薄膜,PbSe外延薄膜的拉曼光谱测量到:位于136-143 cm-1之间的布里渊区中心纵光学声子(LO)振动,位于83-88 cm-1之间的纵光学...
曹春芳吴惠桢徐天宁斯剑霄陈静沈文忠
关键词:拉曼光谱光学声子晶格失配
文献传递
Pb_(1-x)Sr_xSe薄膜材料的微结构和光学特性
2007年
采用分子束外延的方法在BaF_2衬底(111)上制备出了高质量的Pb_(1-x)Sr_xSe(0≤x≤0.050)薄膜.X射线衍射结果表明,Pb_(1-x)Sr_xSe薄膜为立方相NaCl型晶体结构,没有观察到SrSe相分离现象,薄膜的取向为平行于衬底(111)晶面.薄膜晶格常数随Sr含量的增加逐渐增大,Sr含量由Vegard公式得到.再用理论模拟Pb_(1-x)Sr_xSe薄膜透射光谱的方法得到了相应的带隙.最后通过介电函数模型拟合得到了PbSe和Pb_(1-x)Sr_xSe薄膜在光子能量位于基本带隙附近的折射率n和吸收系数α.
王擎雷吴惠桢斯剑霄徐天宁夏明龙谢正生劳燕锋
关键词:透射光谱折射率
ZnO/Ag/ZnO纳米结构的光致发光谱的研究
徐天宁胡炼张兵坡吴惠桢隋成华
纤锌矿结构Zn<Sub>1-x</Sub>Mg<Sub>x</Sub>O半导体纳米晶体薄膜的低温制备方法
一种纤锌矿结构Zn<Sub>1-x</Sub>Mg<Sub>x</Sub>O(0≤x≤0.36)半导体纳米晶体薄膜的低温制备方法,其特征是采用电子束加热蒸发(MgO)<Sub>y</Sub>(ZnO)<Sub>1-y</...
吴惠桢邱东江陈乃波徐天宁余萍
文献传递
共7页<1234567>
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