彭坤
- 作品数：12 被引量：46H指数：3
- 供职机构：昆明理工大学机电工程学院更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺经济管理一般工业技术更多>>
- 一种制备金属碳化物硬面涂层的方法及其应用
- 本发明涉及一种制备金属碳化物硬面涂层的方法及其应用，属钢铁材料表面化学热处理技术领域。本发明在熔融硼砂盐浴中，用B<Sub>4</Sub>C粉末还原铁合金厂烟道灰(其中含钒、或铬、或钛、或铌的氧化物达83-87%)，使在...
- 王飚王宇栋张自华彭坤王安
- 文献传递
- 长等待时间下铜互连线形成球状缺陷的机理研究及解决方案
- 2014年
- 随着集成电路向高密度小尺寸方向发展,铜互连已成为目前集成电路主要使用的互连技术,但球状缺陷的形成会影响产品的质量.本文研究了长等待时间下铜互连线中球状缺陷的形成机理,分析了其造成器件失效的原因,并提出了相应的解决方案.研究显示,前道工序应力残留致铜晶界处应变再结晶是这种形式球状缺陷形成的主要原因.球状缺陷会使两层金属之间形成额外通孔,从而引起短路或漏电,导致器件失效.最后提出了相应的解决方案,通过正交实验发现铜电镀退火温度降低50℃,氮化硅淀积速率降低1 nm/s,氮化硅的膜厚提高10 nm能够有效改善这一现象.
- 彭坤呼翔罗登贵王飚
- 关键词：铜互连正交实验
- 动态随机存储器栅极侧壁硅化钨残留的去除工艺
- 2009年
- 动态随机存储器栅极侧壁硅化钨残留造成的短路成为制约提高产品良率及可靠性的瓶颈.为此,采用X射线荧光光谱(XRF)、扫描电镜(SEM)等检测分析手段优化硅/钨原子组成比为2.45.透射电镜(TEM)及电性参数测试结果表明,经30s、1000℃快速热处理可获得方块阻值为12Ω/cm2的硅化钨,且可刻蚀性能好.在硅化钨刻蚀前利用电子束扫描发现,15min的氢氟酸和10min浓硫酸与过氧化氢混合溶液(SPM)在300W超声波条件下的新湿法清洗工艺,能去除84.7%的表面微粒及残留聚合物.整合上述优化工艺可以将硅化钨残留造成的65nm动态随机存储器芯片失效率由31.3%降到1.9%,为研究下一代产品提供有效借鉴.
- 彭坤王飚肖德元仇圣棻吴萍
- 关键词：硅化钨漏电流湿法清洗动态随机存储器
- 等离子喷涂陶瓷复材的性能和应用及其发展被引量：14
- 2001年
- 综述了等离子喷涂陶瓷涂层在克服金属零件失效方面所发挥的重要作用 .把发生在材料表面的磨损按实际情况区分为典型的六大类 ,工件实施等离子喷涂陶瓷涂层后 ,具体的实验、生产中得来的数据表明等离子喷涂陶瓷涂层后材料表面抗磨损能力均显著提高 .由于材料表面采用等离子喷涂抗腐蚀的陶瓷涂层覆盖在金属基体上 ,从而屏障了外界腐蚀性物质对金属基体的浸蚀 ,从而提高了材料的抗腐蚀能力 .实验数据说明了通过对涂层进行封闭处理或激光重熔 ,可大大减少涂层中的气孔率 ,从而提高耐腐蚀性 .探讨了适用于在高温条件下的陶瓷涂层所应具有的良好性能 ,并分析了三种典型应用于高温环境下的陶瓷涂层 .最后 。
- 彭坤王飚诸小丽
- 关键词：等离子喷涂陶瓷复合材料陶瓷涂层耐磨性抗腐蚀性耐高温性
- 一种制备金属碳化物硬面涂层的方法及其应用
- 本发明涉及一种制备金属碳化物硬面涂层的方法及其应用，属钢铁材料表面化学热处理技术领域。本发明在熔融硼砂盐浴中，用B<Sub>4</Sub>C粉末还原铁合金厂烟道灰(其中含钒、或铬、或钛、或铌的氧化物达83－87％)，使在...
- 王飚王宇栋张自华彭坤王安
- 文献传递
- 基于VaR(风险价值)的金融投资的研究被引量：10
- 2002年
- 近年发展来的VaR风险管理技术是一种用来评估和计量金融市场风险的统计学模型及方法 .本文省去了复杂繁琐的数学公式的演绎 ,从理论上简要地阐明了VaR风险管理技术的原理 ,并介绍了VaR风险管理技术之所以被国际金融界广泛认可的优点 ,同时也指出了作为一个金融数理模型所存在的缺陷 .并介绍了VaR风险管理技术在银行业、证券业及金融衍生品等中的应用 .指出发展符合我国国情的VaR风险管理技术的必要性和发展方向 .
- 彭坤王飚
- 关键词：VAR金融投资风险管理
- 等离子喷涂Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-M硬面陶瓷复材的制备、组织和性能研究
- 本文介绍了用等离子喷涂制取Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-M硬面陶瓷复材所采用的方法及过程。通过采用多种涂层设计、增加添加剂、喷后热处理、喷后激光重熔等方法采改善Al<sub>2</sub>O<s...
- 彭坤
- 关键词：等离子喷涂陶瓷涂层相变激光重熔
- 芯片制造中因缺陷扫描由激光导致的损伤研究(英文)
- 2007年
- 在集成电路芯片制造中,激光被广泛应用于缺陷扫描或者相关的光学量测工具中。未见报道低功率的缺陷扫描时,输出功率仅数百毫瓦且扫描速度很快时,会对熔点达1420℃上的硅芯片造成影响,在制造中以Compass为代表的缺陷扫描工具被广泛而无顾虑地应用在芯片制造中。然而通过在动态储存器制造中的一个低良率事件,介绍了缺陷扫描及动态储存器的基本原理,并指出在378mW输出功率时,缺陷扫描能将电容表面硅重熔,导致电容结构被破坏。通过试验、计算指出输出功率≤100mW是安全使用功率,为芯片制造业界提供了关于表面材料为硅、氧化硅、氮化硅使用指南,避免了因Compass为代表的缺陷扫描工具广泛应用带来的额外损伤,并为以后的芯片激光快速热处理研究提供了损伤研究依据。
- 彭坤游智星
- 关键词：激光
- 选择性BF_2^+离子注入对提高DRAM刷新时间的研究
- 2008年
- 动态随机存储器(dynamic randomaccess memory,DRAM)电容器在存储高电位数据"1"时,将影响邻近记忆单元区晶体管栅极电场分布,从而导致漏电流增加,降低了刷新时间。研究提出针对位元线接触区、有选择性的浅掺杂漏极离子注入BF2+方案来改善刷新时间,模拟分析了其注入离子分布及电迁移,发现在位元线接触区硅基单侧浅表层形成了富硼离子注入区,且最大电迁移深度仅为60 nm,由此减少了对其它掺杂区的影响。电性测试结果表明,BF2+离子剂量与开启电压成正比,重复实验证明,该方案有良好的可再现性;分析结果表明,增加BF2+离子注入剂量能提高开启电压对制造偏差的容差能力;栅极关键尺寸在(90±15)nm波动范围内晶圆样品的NMOS电性测试结果表明,该离子注入法能保持与原有工艺的良好匹配性。进一步的分析结果指出,若开启电压升高,则刷新时间将会减少,若开启电压为0.8 V时,该离子注入方案能使刷新时间从180 ms提升到不小于300 ms,改良幅度达66.7%。模拟及实验分析结果表明,该离子注入方案能应用于深微米进程的研究与生产中。
- 彭坤王飚林大成吴萍外山弘毅
- 关键词：离子注入动态随机存储器漏电流
- 等离子喷涂Al<,2>O<,3>-M硬面陶瓷复材的制备、组织和性能研究
- 该文介绍了用等离子喷涂制取Al<,2>O<,2>-M硬面陶瓷复材所采用的方法及过程.通过采用多种涂层设计、增加添加剂、喷后热处理、喷后激光重熔等方法来改善Al<,2>O<,3>硬面陶瓷涂层结合强度与性能.并利用X射线衍射...
- 彭坤
- 关键词：等离子喷涂陶瓷涂层激光重熔
- 文献传递
