彭亚斌
- 作品数：16 被引量：21H指数：3
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- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- RSD重复频率脉冲功率电路的研制被引量：3
- 2011年
- 研制了一种基于高速大功率半导体脉冲开关反向开关晶体管(Reversely Switched Dynistor,简称RSD)的重复频率脉冲功率电路,电路主要包括放电电容充电回路、主回路及RSD预充回路等部分。分析了脉冲功率电路及磁开关工作原理。设计了工作电压为2.4 kV时的电路及磁开关参数。试验结果表明,当重复频率为10 Hz时,RSD输出电流峰值为2.44 kA,脉宽为9μs,工作频率从10 Hz增加至60 Hz时,输出电流从2.44 kA下降至2.21 kA,变化率为4.5%。
- 彭亚斌梁琳张桥余岳辉
- 关键词：反向开关晶体管
- RSD器件通态损耗对脉冲电流峰值的影响研究
- 反向开通复合管RSD基于反向预充开通方式,具有在整个芯片面积上均匀导通、容易串并联、高电流上升率、寿命长等优点。本文在不同电阻负载下,进行了高电压试验。试验结果表明,负载相同时,RSD在开通大电流时,器件损耗对电路影响很...
- 彭亚斌余岳辉梁琳王玉彬刘建超
- 关键词：脉冲开关放电电压电路参数高电压试验电阻负载
- 文献传递
- 基于RSD开关的脉冲放电试验研究
- 本文设计了一个基于RSD(Reversely Switched Dynistor)开关的脉冲放电试验回路，并研究了回路中各元件参数对脉冲放电电流波形的影响。通过选取适当的回路参数得到峰值40kA、脉宽200μs的脉冲放电...
- 马亮戴玲林福昌梁琳彭亚斌
- 关键词：反向开关晶体管脉冲大电流放电回路
- 文献传递
- 一种基于IPM的简化空间矢量PWM研究被引量：1
- 2006年
- 基于智能功率模块(IPM),提出了一种简化的以三相相电压的大小来判断具体扇区的空间矢量脉宽调制(SVPWM)算法,分析了算法原理,并给出了算法流程.在不同载波比N和调制度M下,用MATLAB软件对参考电压矢量各扇区分布、调制信号、直流电压利用率及输出电压谐波等进行了仿真研究,分析得出N影响到参考电压矢量扇区分布和谐波性能,M将影响到调制波形、直流电压利用率和谐波含量,合适的N和M有利于提高SVPWM总体性能.利用TMS320F2812DSP进行了实验,验证了算法的有效性.
- 张卫丰余岳辉刘璐彭亚斌
- 关键词：空间矢量脉宽调制智能功率模块谐波
- 反向开关复合管的物理模型与数值方法实现被引量：6
- 2007年
- 从大注入半导体物理的基本理论推导得到了反向开关复合管(RSD)工作的基本物理方程.通过考虑大注入和强电场效应,建立了RSD以pnn+二极管方式工作于反向预充阶段,以pin二极管方式工作于正向导通阶段的物理模型.采用有限差分法把器件工作的偏微分方程转化为差分方程,并将相应的边界条件转化为精度较高的离散化形式.结合RSD工作的典型电路建立电路方程组,采用Runge-Kutta方法求解,由非平衡载流子分布得到了RSD的电压、电流波形.通过RSD的放电实验与模型计算进行比较,分析了误差产生的原因,论证了物理模型本身及数值方法的合理性.通过应用电路说明了模型及算法的实用价值.物理模型和数值方法对于RSD器件设计及仿真电路的开发具有指导意义.
- 邓林峰余岳辉彭亚斌周郁明梁琳王璐
- 关键词：RSD非平衡载流子
- RSD器件通态损耗对脉冲电流峰值的影响研究
- 基于反向预冲电流下在器件内建立均匀等高子体层的开通原理，反向开通复合管具有在整个芯片面积上均匀开通、容易串并联的优点。本文通过理论和试验研究，得到了在不同放电电压、不同电阻负载下电压与脉冲电流峰值的关系.结果表明：同一负...
- 彭亚斌余岳辉梁琳王玉彬
- 关键词：脉冲开关脉冲功率源
- 文献传递
- 基于RSD开关的脉冲放电试验研究
- 2008年
- 为了研究反向导通双晶复合晶体管(RSD)开关在大电流脉冲放电领域中的应用,介绍了RSD的结构和工作原理;通过RSD导通机理和不同触发回路性能的分析,建立了基于RSD的脉冲放电试验回路;通过选取适当的回路参数得到了峰值为120.5kA、脉宽为240μs的脉冲放电电流。最后针对大功率脉冲应用条件指出了RSD在大电流脉冲放电应用中需要克服的触发回路设计及续流问题。
- 雷民马亮戴玲梁琳彭亚斌
- 关键词：反向开关晶体管脉冲大电流放电回路设计关键
- 大功率超高速半导体开关的换流特性研究被引量：8
- 2007年
- 研究了一种应用于激光驱动源的大功率超高速半导体开关反向开关晶体管(RSD)的新结构,以实现μs、ns脉宽、MW以上的高重复率脉冲的产生和控制。RSD具有大面积快速均匀开通、可无限串联、功率大、换流效率高、寿命长的特点。利用单次脉冲试验平台研究了RSD的开通机理及高密度能量转换、允许通过的峰值电流、开通条件与预充、准静态损耗及其di/dt等多项特性。根据经验公式,对小直径RSD做极限电流试验,φ20mm的RSD堆体通过了19.9kA脉冲电流(脉宽30μs)。通过减小主回路电感考核了RSD的高di/dt耐量特性,放电电压3kV时得到di/dt接近8kA/μs。
- 余岳辉梁琳颜家圣彭亚斌
- 关键词：大功率开关反向开关晶体管开通特性DI/DT
- 脉冲功率用半导体功率器件动向及进展
- 介绍了脉冲功率用半导体功率器件发展动向、热点研究问题，同时结合研究实际介绍了新型脉冲功率器件近年来在单次和重复频率脉冲开关方面取得的新进展。
- 余岳辉梁琳彭亚斌
- 关键词：重复频率RSD
- 文献传递
- RSD预充阶段等离子体分布的计算机仿真
- 给本文运用MATLAB计算软件对半导体大功率器件RSD（Reversely Switched-on Dynistors）在反向预充过程中N 基区的等离子体分布进了仿真。在模型的计算中，遵循微分方程数值解法的一般原理，得到...
- 江铭余岳辉彭亚斌梁琳陈鸿
- 关键词：RSD等离子体MATLAB
- 文献传递
