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张宇翔

作品数:79 被引量:202H指数:9
供职机构:郑州大学更多>>
发文基金:河南省科技攻关计划河南省自然科学基金郑州市科技攻关计划项目更多>>
相关领域:电子电信电气工程理学自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 55篇期刊文章
  • 10篇专利
  • 8篇会议论文
  • 3篇学位论文
  • 2篇科技成果

领域

  • 21篇电子电信
  • 21篇电气工程
  • 15篇理学
  • 10篇自动化与计算...
  • 3篇机械工程
  • 3篇动力工程及工...
  • 3篇一般工业技术
  • 1篇化学工程
  • 1篇矿业工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇航空宇航科学...
  • 1篇环境科学与工...
  • 1篇农业科学

主题

  • 26篇硅薄膜
  • 17篇多晶
  • 17篇多晶硅
  • 17篇多晶硅薄膜
  • 16篇逆变
  • 16篇逆变器
  • 13篇电池
  • 10篇退火
  • 9篇电路
  • 7篇电平
  • 7篇双电源
  • 7篇微晶硅
  • 7篇非晶硅
  • 7篇PECVD
  • 6篇太阳电池
  • 6篇热退火
  • 6篇快速热退火
  • 6篇非晶硅薄膜
  • 5篇电平逆变器
  • 5篇多孔硅

机构

  • 78篇郑州大学
  • 5篇滨州学院
  • 1篇清华大学
  • 1篇河南工业大学
  • 1篇河南教育学院
  • 1篇新乡师范高等...
  • 1篇郑州轻工业学...
  • 1篇北京太阳能研...
  • 1篇北京市太阳能...
  • 1篇郑州云宇新能...

作者

  • 78篇张宇翔
  • 38篇郭敏
  • 30篇卢景霄
  • 21篇王海燕
  • 18篇杨仕娥
  • 15篇陈永生
  • 14篇李瑞
  • 11篇靳锐敏
  • 11篇冯团辉
  • 9篇郜小勇
  • 8篇张丽伟
  • 7篇陈庆东
  • 7篇王俊平
  • 5篇李红菊
  • 4篇李维强
  • 4篇段启亮
  • 4篇王红娟
  • 3篇吕运朋
  • 3篇孙继如
  • 3篇张玉垒

传媒

  • 11篇人工晶体学报
  • 6篇现代电子技术
  • 3篇微计算机信息
  • 3篇电子元件与材...
  • 2篇郑州大学学报...
  • 2篇电测与仪表
  • 2篇太阳能学报
  • 2篇激光与光电子...
  • 2篇真空
  • 2篇半导体光电
  • 2篇第九届中国太...
  • 1篇电视技术
  • 1篇电子技术应用
  • 1篇工业控制计算...
  • 1篇计算机时代
  • 1篇郑州轻工业学...
  • 1篇自动化仪表
  • 1篇电力电子技术
  • 1篇微电机
  • 1篇光散射学报

年份

  • 1篇2023
  • 2篇2019
  • 3篇2018
  • 2篇2017
  • 4篇2016
  • 4篇2015
  • 3篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 7篇2010
  • 2篇2009
  • 4篇2008
  • 4篇2007
  • 10篇2006
  • 15篇2005
  • 10篇2004
  • 2篇2001
  • 1篇2000
  • 1篇1999
  • 1篇1998
79 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
μc-Si:H薄膜的激活能特性研究被引量:1
2012年
通过激活能测试装置测量VHF-PECVD高速沉积的本征微晶硅薄膜的激活能,结果表明:在不同沉积条件下制备的本征微晶硅薄膜,晶化处于非晶-微晶相变域附近,激活能都偏低,存在氧污染问题,研究了氧污染解决途径。
陈庆东王俊平马国利张宇翔卢景霄
关键词:微晶硅激活能
用快速光热退火制备多晶硅薄膜的研究被引量:10
2005年
用等离子体增强型化学气相沉积先得到非晶硅(a Si:H)薄膜,再用卤钨灯照射的方法对其进行快速光热退火(RPTA),得到了多晶硅薄膜。然后,进行XRD衍射谱、暗电导率和拉曼光谱等的测量。结果发现,a Si:H薄膜在RPTA退火中,退火温度在750℃以上,晶化时间需要2min,退火温度在650℃以下,晶化时间则需要2. 5h;晶化后,晶粒的优先取向是(111)晶向;退火温度850℃时,得到的晶粒最大,暗电导率也最大;退火温度越高,晶化程度越好;退火时间越长,晶粒尺寸越大;光子激励在RPTA退火中起着重要作用。
张宇翔王海燕陈永生杨仕娥郜小勇卢景霄冯团辉李瑞郭敏
关键词:多晶硅薄膜晶粒拉曼光谱
基于nRF401的烧结炉无线监控系统的设计被引量:1
2007年
设计了一种基于nRF401的烧结炉无线监控系统.该系统利用nRF401的无线收发功能,实现了PC机与多台烧结炉的无线通信,从而实现了由1台PC机对多台烧结炉的无线监控.
梁万用张宇翔胡智宏江泳
关键词:烧结炉NRF401无线监控
一种采用交叠双电源供电的三相逆变器
本发明公开了一种采用交叠双电源供电的三相逆变器,它由前级变换电路、后级逆变电路和输出滤波器构成;后级逆变电路是具有四个直流侧输入端的三相逆变电路,前级变换电路通过后级逆变电路直流侧的高电平线、髙中间电平线、低中间电平线、...
张宇翔郭敏
文献传递
利用快速热退火法制备多晶硅薄膜被引量:12
2005年
为了制备优质的多晶硅薄膜,该论文研究了非晶硅薄膜的快速热退火(RTA)技术。先利用PECVD设备沉积非晶硅薄膜,然后把其放入快速热退火炉中进行退火。退火前后的薄膜利用X射线衍射(XRD)仪、Raman光谱仪及扫描电子显微镜(SEM)测试其晶体结构及表面形貌,利用电导率测试设备测试其暗电导率。研究表明退火温度、退火时间以及沉积时的衬底温度对非晶硅薄膜的晶化都有很大的影响。
冯团辉卢景霄张宇翔郜小勇杨仕娥李瑞靳锐敏王海燕
关键词:多晶硅薄膜太阳能电池晶粒
a-Si∶H薄膜的再结晶技术发展概述被引量:6
2004年
论述了非晶硅薄膜的主要再结晶技术,包括传统的炉子退火、金属诱导晶化、微波诱导晶化、快速热退火和激光晶化。着重指出了各种晶化技术已取得的研究成果、优缺点、有待进一步研究的内容及其在多晶硅薄膜太阳电池工业生产中的应用前景。
冯团辉卢景霄张宇翔郜小勇王海燕靳锐敏
关键词:激光晶化炉子快速热退火A-SI:H薄膜非晶硅薄膜
用改进的RTP低温制备柱状硅薄膜
2007年
用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)系统在普通玻璃衬底上制备了氢化非晶硅薄膜(a-Si∶H),用改进的快速光热退火炉(RTP)对薄膜进行了低温下的退火处理。借助于扫描电子显微镜(SEM)对薄膜表面形貌的分析得知:本实验在600℃下成功制备了柱状结构多晶硅薄膜;相对来说,550℃退火60 s的柱晶效果最好;最大柱晶宽度达到了240 nm;结晶次序为从表面到内部。对实验结果进行了解释。
张丽伟李红菊李瑞卢景霄张宇翔王新昌
关键词:硅薄膜快速热退火扫描电子显微镜
一种基于89C52的热电偶实验仪的研制被引量:2
2005年
热电偶作为温度测量的一种重要手段,由于其测量范围广,可靠性高等特点,使他的应用几乎遍及各个工业行业。热电偶测温与校准实验更是许多理工科大学生要掌握的基本实验。虽然也有许多厂家开发此类实验设备,但普遍存在不少缺点。根据热电偶测温与校准实验的要求与特点,设计出一种基于89C52的微机控制的新型热电偶实验仪并给出了整个系统的详细实现方法。89C52是一个8位的微型单片计算机,具有8051内核,他有很强的计算和控制能力,将其用在电路里不仅省去了许多元器件,而且使电路的智能性与灵活性大大提高。
冀勇郭敏张宇翔
关键词:热电偶校准电路单片机温度测量
中间电平可调的两级三相逆变器
本实用新型公开了一种中间电平可调的两级三相逆变器,它由依次连接的前级变换电路、后级逆变电路和输出滤波器构成;后级逆变电路是三输入或四输入三相逆变电路,前级变换电路通过后级逆变电路直流侧的高电平线、中间线、低电平线为后级逆...
张宇翔郭敏
文献传递
一种四线输出变换器及由四线输出变换器组成的逆变器
本发明提出了一种四线输出变换器,包括第一直流电源、第二直流电源、第一电容、第二电容、第一变换器、第二变换器和至少一个电源间钳位电容组成,通过第一供电线、第二供电线、第三供电线、第四供电线为负载供电。本发明还提供将四线输出...
张宇翔郭敏
文献传递
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