尤力平
- 作品数：37 被引量：81H指数：6
- 供职机构：北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划四川省青年科技基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信金属学及工艺理学更多>>
- 三方层状钙钛矿化合物——结构化学原理及应用被引量：4
- 2002年
- 从钙钛矿的结构特点出发,阐述其相关结构构筑的原理.着重讨论新型三方展状钙钛矿系列化合物(La_(n+1)Mn_nO_(3n+3)(Ca_2O)的设计思路.分析离子半径大小、氧化态和电荷平衡、离子的配位方式等因素对新物相形成的影响.介绍在La-A-Mn-O体系(A=碱土离子)中合成三方层状钙钛矿化合物的实验结果.所得n=1的物相La_2Ca_2MnO_7由三方钙钛矿单元层(La_2MnO_6)和类石墨结构单元层(Ca_2O)沿c轴方向交替排列而成.最后简要介绍三方层状钙钛矿化合物的磁性质.
- 王颖霞别利剑秦瑞雯林建华尤力平
- 关键词：化合物结构化学
- 用扫描电镜制备高性能AFM针尖被引量：3
- 2001年
- 徐军陈文雄尤力平张会珍
- 关键词：扫描电镜纳米材料导电性
- 一种微米级薄片透射电子显微镜截面样品的制备方法
- 本发明公开了一种微米级薄片透射电子显微镜截面样品的制备方法。本发明先将微米级薄片样品切割成矩形样品条夹在固化样品片中形成块体样品，然后切割成截面样品薄片，在一个截面方向的表面粘样品托，对两个表面进行手工研磨，在另一个表面...
- 马秀梅尤力平徐军俞大鹏
- ZnO纳米棒中结的透射电镜研究被引量：1
- 2008年
- 本文采用化学气相沉积法制得大量ZnO纳米棒,利用会聚束电子衍射(CBED)研究了纳米棒的生长方向,验证了纳米棒在生长过程中产生碰撞。通过TEM研究发现,纳米棒沿c轴生长,碰撞形成的晶界并不是一个随机取向的大角晶界,为了降低能量,晶界具有孪晶关系。晶界的存在导致晶体产生缺陷生长,使纳米棒的结的附近区域长粗。
- 章新政单旭东尤力平俞大鹏
- 关键词：孪晶碰撞氧化锌纳米棒
- 铈对硬质合金微观组织结构的影响被引量：7
- 1993年
- 用分析电镜和带有拉伸台的高压电镜,研究了YG8R、YT5R和YT14R稀土硬质合金的微观组织和裂纹扩展特征。结果表明,添加铈在硬质合金中可能形成Ce_2O_3或Ce_2O_2S化合物,它抑制了层错扩展和fcc Co向hcp Co的转变,增加了合金中fcc Co的体积分数,提高了Co相和(TiW)C相及晶界的强度和韧性。拉伸裂纹边沿的Co相有明显的塑性变形特征,且裂纹可以穿过一些较小的WC颗粒。
- 王瑞坤尤力平王晓华刘安生贺从训林晨光
- 关键词：硬质合金铈显微组织
- Au/SnO_2异质同轴纳米电缆被引量：1
- 2009年
- 本文报道了一种新型的Au/SnO2金属-半导体异质同轴纳米电缆结构。通过透射电镜表征,发现其轴心为沿特定方向生长的单晶Au纳米线,而壳层则为沿[100]方向生长的单晶SnO2,整体看来就如同一根单晶Au纳米线外套了一根单晶SnO2纳米管。管的两端是封闭的,而Au轴则几乎贯穿整个管,只在端部与SnO2之间有一定间隙。本文讨论了纳米电缆可能的生长机制,而空隙应该是由于两者的热膨胀系数不同所致。
- 单旭东王朋伟尤力平俞大鹏叶恒强
- 关键词：SNO2AU纳米电缆
- 薄膜材料透射电镜截面样品的简单制备方法被引量：7
- 2015年
- 针对薄膜材料透射电镜截面样品制备过程复杂、制样成功率低的问题,本文详细介绍了一种操作简单、实用性强的制备方法,采用该方法可以成功制备出脆性衬底上薄膜材料的TEM截面样品。
- 马秀梅尤力平
- 关键词：透射电镜制样
- 一种微米级颗粒透射电子显微镜样品的制备方法
- 本发明公开了一种微米级颗粒透射电子显微镜样品的制备方法。本发明先在平板上加工出凹槽，然后将混合有微米级颗粒样品的固化胶填充到凹槽中进行加热固化，冷却后取出，得到片状块体样品，在样品托上对片状块体样品的两个表面进行手工研磨...
- 马秀梅尤力平徐军
- 文献传递
- 稀土硬质合金中稀土相的电镜研究
- 1990年
- 微量稀土元素可以显著提高硬质合金的强度,韧性等力学性能,但稀土元素在硬质合金的中存在形式、分布状态,特别是稀土相的结构还未见报导。我们选用加入了约40ppm稀土钇(Y)的Wc—Co硬质合金作为研究对象,采用JEM-2000FX电镜观察薄膜样品的显微组织。由於稀土相与Co相衬度小,不易区别,采用X-射线能谱及能量损失谱判别稀土Y相的位置、分布,确定其元素组成。下图照片中部尺寸约300nm的球形颗粒为稀土Y相,Y相左右两侧的亮区为Co相,其余部分为Wc相。Y相存在於Co相与Wc相之间。
- 尤力平刘少峰王晓华
- 关键词：稀土合金稀土相电镜
- 掺杂机制的电子能量损失谱（EELS）研究
- ＜正＞近年来宽禁带半导体的研究发展十分迅速。P 型掺杂及稀磁掺杂问题都是目前研究的热点。例如：氧化锌（ZnO）的 P 型掺杂,氧化锌、氮化镓的过渡金属元素掺杂等等。虽然实验上取得了一定的进展,但其掺杂机制并不十分清楚。尽...
- 张敬民章新政尤力平俞大鹏
- 文献传递
