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安久华

作品数：1 被引量：3H指数：1
供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电子迁移率
  • 1篇应变SI
  • 1篇散射
  • 1篇散射模型
  • 1篇迁移率
  • 1篇SI1
  • 1篇锗
  • 1篇X

机构

  • 1篇宝鸡文理学院
  • 1篇西安电子科技...

作者

  • 1篇王晓艳
  • 1篇马建立
  • 1篇安久华
  • 1篇王冠宇
  • 1篇宋建军
  • 1篇张鹤鸣

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
应变Si／(001)Si1-x Gex电子迁移率被引量：3
2011年
依据离化杂质散射、声学声子散射和谷间散射的散射模型,在考虑电子谷间占有率的基础上,通过求解玻尔兹曼方程计算了不同锗组分下,不同杂质浓度时应变Si/(001)Si1-xGex的电子迁移率.结果表明:当锗组分达到0.2时,电子几乎全部占据Δ2能谷;低掺杂时,锗组分为0.4的应变Si电子迁移率与体硅相比增加约64%;对于张应变SiNMOS器件,从电子迁移率角度来考虑不适合做垂直沟道.选择相应的参数,该方法同样适用于应变Si其他晶面任意方向电子迁移率的计算,为应变Si器件、电路的设计提供了一定的设计依据.
王晓艳张鹤鸣宋建军马建立王冠宇安久华
关键词：散射模型电子迁移率
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共1页<1>
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