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安久华
作品数:
1
被引量:3
H指数:1
供职机构:
西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
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相关领域:
电子电信
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合作作者
张鹤鸣
西安电子科技大学微电子学院宽禁...
宋建军
西安电子科技大学微电子学院宽禁...
王冠宇
西安电子科技大学微电子学院宽禁...
马建立
西安电子科技大学微电子学院宽禁...
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西安电子科技大学微电子学院宽禁...
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安久华
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宋建军
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张鹤鸣
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物理学报
年份
1篇
2011
共
1
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应变Si/(001)Si1-x Gex电子迁移率
被引量:3
2011年
依据离化杂质散射、声学声子散射和谷间散射的散射模型,在考虑电子谷间占有率的基础上,通过求解玻尔兹曼方程计算了不同锗组分下,不同杂质浓度时应变Si/(001)Si1-xGex的电子迁移率.结果表明:当锗组分达到0.2时,电子几乎全部占据Δ2能谷;低掺杂时,锗组分为0.4的应变Si电子迁移率与体硅相比增加约64%;对于张应变SiNMOS器件,从电子迁移率角度来考虑不适合做垂直沟道.选择相应的参数,该方法同样适用于应变Si其他晶面任意方向电子迁移率的计算,为应变Si器件、电路的设计提供了一定的设计依据.
王晓艳
张鹤鸣
宋建军
马建立
王冠宇
安久华
关键词:
散射模型
电子迁移率
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