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孙治湖

作品数：27 被引量：39H指数：4
供职机构：中国科学技术大学核科学技术学院国家同步辐射实验室更多>>
发文基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程国家教育部博士点基金更多>>
相关领域：理学化学工程核科学技术机械工程更多>>

合作作者

文献类型

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领域

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  • 1篇一般工业技术
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主题

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  • 2篇光学

机构

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作者

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传媒

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年份

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共 27 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
Zn_(1-x)Co_xO稀磁半导体的XAFS研究被引量：1
2007年
利用XAFS技术研究溶胶-凝胶法制备的Zn1-xCoxO稀磁半导体材料结构随Co含量(x)的变化.结果表明在低含量的Co掺杂ZnO(x=0.02,0.05)时Co2+离子完全进入ZnO晶格中,替代了Zn2+离子,并且造成了Co2+离子周围局域结构的膨胀.当Co的含量x增加到0.10或更高时,只有一部分的Co2+离子进入晶格,剩余的Co2+和Co3+析出晶格形成Co3O4相.
史同飞朱三元吴文清张国斌闫文盛孙治湖刘文汉韦世强
关键词：XAFS溶胶-凝胶法
自组装Ge量子点热扩散效应的XAFS研究被引量：1
2007年
利用荧光X射线吸收精细结构(X-ray absorption fine structure,XAFS)方法研究了分子束外延生长的自组装Ge/Si(001)量子点的扩散效应.原子力显微镜结果表明,在550℃的生长温度下形成了面密度为5.2×1011cm-2的高密度小尺寸量子点.XAFS结果表明,生长的Ge量子点样品覆盖Si层后在550℃温度退火,对Ge/Si之间的热扩散混合的影响较小.随着退火温度升高到800℃,Ge原子的第一近邻配位壳层中的Ge-Si配位的无序度由4.0×10-5nm2降低到2.9×10-5nm2,配位数由3.3升高到3.8,这表明Ge量子点样品中的Ge原子的近邻主要为Si配位原子,高温退火显著增加了Ge原子在Si层中的扩散.
潘志云王科范刘金锋徐彭寿孙治湖闫文盛韦世强
关键词：XAFSGE量子点局域结构热扩散
用XANES研究Ga_(1-x)Mn_xN稀磁半导体的Mn原子的局域结构被引量：1
2007年
利用基于实空间多重散射的XANES研究了Ga1-xMnxN(x=0.01,0.25,0.10)稀磁半导体中Mn原子的局域结构.结果表明在低Mn含量(摩尔浓度)的Ga0.990Mn0.010N样品中,Mn原子替代了GaN中的Ga,以替位形式存在.当Mn含量增加到0.025时,部分Mn原子处于被4个Ga所包围的间隙位,并与替位Mn原子形成了MnGa-MnI二聚体.当Mn含量进一步增加到0.100时,样品中的Mn原子主要以Mn团簇形式存在.
闫文盛孙治湖刘庆华钟文杰潘志云韦世强
关键词：稀磁半导体局域结构
Mn_xGe_(1-x)稀磁半导体薄膜的结构研究被引量：5
2007年
利用X射线衍射(XRD)和X射线吸收精细结构(XAFS)方法研究了磁控共溅射方法制备的MnxGe1-x薄膜样品的结构随掺杂磁性原子Mn含量的变化规律.XRD结果表明,在Mn的含量较低(7.0%)的Mn0.07Ge0.93样品中,只能观察到对应于多晶Ge的XRD衍射峰,而对Mn含量较高(25.0%,36.0%)的Mn0.25Ge0.75和Mn0.36Ge0.64样品则明显出现Ge3Mn5相的衍射峰,且Ge3Mn5的比例随着Mn的含量升高而增加.XAFS结果表明,对于Mn0.07Ge0.93样品,Mn主要以替代位的形式存在,占75%左右的比例;在Mn0.25Ge0.75和Mn0.36Ge0.64的样品中,除了一小部分的Mn原子以替代位的形式存在之外,大部分Mn原子以Ge3Mn5化合物的形式存在.
孙玉孙治湖朱三元史同飞叶剑潘志云刘文汉韦世强
关键词：磁控溅射XRDXAFS
金纳米颗粒与表面活性剂相互作用的XAFS研究被引量：1
2014年
利用同步辐射X射线吸收精细结构谱学(XAFS)等技术研究了不同种类表面活性剂对反应生成的金纳米颗粒的原子和电子结构的影响.XAFS和电镜结果表明三苯基膦、十二胺和十二硫醇3种表面活性剂与金纳米颗粒的相互作用依次增强,三苯基膦分子中的P原子与金纳米颗粒表面的Au原子产生弱的物理吸附,生成的金纳米颗粒的尺寸为7.2 nm;而十二胺和十二硫醇则分别以头基N原子和头基S原子与金纳米颗粒表面的Au原子形成强的Au—N和Au—S共价键,有效地阻止金纳米颗粒的长大和聚集,其颗粒尺寸为3.1 nm.同时,金纳米颗粒中第一近邻Au—Au键长由三苯基膦的2.82减小到十二硫醇的2.79,相应的配位数则由11.3减少为10.1,这是由于十二硫醇与纳米颗粒具有强的相互作用导致.XAFS的近边谱表明在十二硫醇覆盖的情况下可以观察到明显的表面Au原子的电子转移现象.
殷培栋姜泳李媛媛姚涛孙治湖葛梦然潘国强韦世强
关键词：表面活性剂金纳米颗粒表面修饰
高温原位XAFS研究NiB纳米非晶态合金催化剂的结构
2002年
原位XAFS方法研究NiB纳米非晶态合金在78K至573K温度范围的结构特点。结果表明：在78K时，NiB样品的第一配位峰的位置和强度分别为2．06A、396．4，其强度只有Ni箔第一配位峰强度的25％左右；300K时，第一配位峰的位置和强度分别2．08A、255．9；573K时，第一配位峰的位置和强度分别为1．87A、155．4。温度从78K升至300K，第一配位峰的位置变化不大，但峰强度降低35％左右：温度继续升至573K时，峰的位置较78K的向小的方向移动0．20A，并且强度降低了60％。这表明随着测量温度的升高，NiB纳米非晶态合金中Ni原子周围的热无序度显著增加。
韦世强刘文汉闫文胜孙治湖范江玮杨宏伟姜政钟文杰陈栋梁谢治贺博盛斌李征蒋黎陈欧
关键词：温度
MnxSi1-x磁性薄膜的结构研究被引量：1
2008年
利用X射线衍射(XRD)和X射线吸收近边结构(XANES)方法研究了在Si(100)衬底上及600℃温度条件下用分子束外延(MBE)共蒸发方法生长的MnxSi1-x磁性薄膜的结构.由XRD结果表明,只有在高Mn含量(8%和17%)样品中存在着Mn4Si7化合物物相.而XANES结果则显示,对于Mn浓度在0.7%到17%之间的MnxSi1-x样品,其Mn原子的XANES谱表现出了一致的谱线特征.基于多重散射的XANES理论计算进一步表明,只有根据Mn4Si7模型计算出的理论XANES谱才能够很好的重构出MnxSi1-x样品的实验XANES谱.这些研究结果说明在MnxSi1-x样品中,Mn原子主要是以镶嵌式的Mn4Si7化合物纳米晶颗粒存在于Si薄膜介质中,几乎不存在间隙位和替代位的Mn原子.
任鹏刘忠良叶剑姜泳刘金锋孙玉徐彭寿孙治湖潘志云闫文盛韦世强
关键词：分子束外延XRDXANES
Zn_(1-x)Co_xO稀磁半导体薄膜的结构及其磁性研究被引量：5
2008年
利用X射线吸收精细结构、X射线衍射和磁性测量等技术研究脉冲激光气相沉积法制备的Zn1-xCoxO(x=0.01,0.02)稀磁半导体薄膜的结构和磁性.磁性测量结果表明Zn1-xCoxO样品都具有室温铁磁性.X射线衍射结果显示其薄膜样品具有结晶良好的纤锌矿结构.荧光X射线吸收精细结构测试结果表明,脉冲激光气相沉积法制备的样品中的Co离子全部进入ZnO晶格中替代了部分Zn的格点位置,生成单一相的Zn1-xCoxO稀磁半导体.通过对X射线吸收近边结构谱的分析,确定Zn1-xCoxO薄膜中存在O空位,表明Co离子与O空位的相互作用是诱导Zn1-xCoxO产生室温铁磁性的主要原因.
吴文清史同飞张国斌符义兵潘志云孙治湖闫文盛徐彭寿韦世强
Ni_(100-x)P_x合金的X射线谱学研究
2009年
利用X射线吸收精细结构(XAFS)和X射线衍射(XRD)研究了化学还原法制备的不同磷含量的Ni100-xPx合金的原子和电子结构.结果表明,当x=10时,磷元素的掺入导致了NiP样品中fcc结构的镍晶格扭曲和膨胀,Ni-Ni第一近邻配位的键长约增加0.03.随着磷含量的增加,膨胀和扭曲加剧,当x达到14左右时,样品的fcc-Ni晶格被完全破坏,从而形成非晶态NiP合金.X射线吸收近边结构(XANES)的结果表明,低磷含量(x≤10)时NiP样品的电子结构没有明显的变化,随着磷含量的增加,Ni 4p态的分布变得宽化和越来越弥散.而当x达到26时,有大量电荷从Ni原子转移到P原子.
宋晋湘潘志云姜政李忠瑞叶剑孙治湖韦正韦世强
关键词：XAFSXANESXRD
XAFS在凝聚态物质研究中的应用被引量：8
2007年
详细介绍了X射线吸收精细结构谱学(XAFS)的理论、数据分析及实验等基本原理,以及XAFS在薄膜、纳米结构和体相材料(包括半导体、合金以及复杂氧化物)等凝聚态物质研究中的应用;同时,还介绍了原位XAFS、微区XAFS和时间分辨XAFS等新的实验方法,并对该方法的应用前景进行了展望.
韦世强孙治湖潘志云闫文盛钟文杰贺博谢治韦正
关键词：XAFS凝聚态物质
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