为了精确测量芯片内的温度分布,提出了一个低功耗、小尺寸的温度传感器。该传感器使用一个输出电流与绝对温度成比例(PTAT)的电流发生器检测环境温度,然后使用一个源耦合流控振荡器将PTAT电流转换成频率输出。所提出的电路采用22 nm SOI CMOS工艺设计并制造,其有源区域占用的片上面积为0.01 mm 2,电源电压为0.8 V。测量结果表明,所提出的架构能够在-40^+85℃的温度范围内工作。工作于+85℃时,温度传感器的功耗达到最大值,为500 nW。使用单点校准后,该温度传感器的最大温度误差小于1℃。
