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刘小芹

作品数:6 被引量:15H指数:2
供职机构:重庆光电技术研究所更多>>
发文基金:重庆市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 6篇电子电信

主题

  • 2篇探测器
  • 1篇电镀
  • 1篇阵列
  • 1篇日盲
  • 1篇四甲基
  • 1篇四甲基氢氧化...
  • 1篇透镜
  • 1篇透镜阵列
  • 1篇欧姆接触
  • 1篇氢氧化
  • 1篇氢氧化铵
  • 1篇清洗法
  • 1篇紫外探测
  • 1篇紫外探测器
  • 1篇微透镜
  • 1篇微透镜阵列
  • 1篇微细
  • 1篇金属互连
  • 1篇刻蚀
  • 1篇互连

机构

  • 6篇重庆光电技术...
  • 2篇重庆邮电大学
  • 1篇重庆科技学院
  • 1篇重庆城市管理...
  • 1篇重庆矢崎仪表...
  • 1篇无锡中微掩模...

作者

  • 6篇刘小芹
  • 5篇叶嗣荣
  • 3篇赵文伯
  • 3篇黄绍春
  • 2篇钟强
  • 1篇向勇军
  • 1篇黄烈云
  • 1篇张卓勋
  • 1篇江永清
  • 1篇吴英
  • 1篇周家万
  • 1篇钟正兰
  • 1篇吴琼瑶
  • 1篇刘新
  • 1篇郭林红

传媒

  • 6篇半导体光电

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 2篇2007
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
非等平面AlGaN紫外探测器阵列挡光技术研究
2009年
介绍了SiO2/PI1/Al/PI2挡光技术的原理及其制作工艺过程。通过采用SiO2/聚酰亚胺(PI1)/Al/PI2挡光技术,实现了真正意义上的日盲紫外成像。此技术主要应用于日盲型AlGaN紫外焦平面阵列。
叶嗣荣刘小芹赵文伯周家万钟强
通过添加表面活性剂和螯合剂改进硅片化学清洗工艺的研究被引量:7
2014年
通过在传统RCA清洗法所用的SC-1液中,添加表面活性剂四甲基氢氧化铵(TMAH)和/或螯合剂乙二胺四乙酸(EDTA),实验比较了不同清洗方法对颗粒粘污、金属粘污的去除效率;并测试了其对硅片表面粗糙度的影响。用MOS电容结构的击穿电场强度Weibull分布,评价了不同清洗方法所得氧化层的质量。结果表明,上述改进能够显著提高对颗粒粘污和金属粘污的去除效果,同时能省去RCA的SC-2清洗步骤,具有节省工时、化学试剂消耗量小的优势。
黄绍春刘新叶嗣荣刘小芹
日盲型AlGaN PIN紫外探测器的研制被引量:8
2007年
采用MOCVD方法在双面抛光的(0001)蓝宝石衬底上生长了高铝组分AlGaN材料,研制出日盲型AlGaN PIN紫外探测器。详细介绍了该器件的结构设计和制作工艺,并对该器件进行了光电性能测试。测试结果表明:器件的正向开启电压约为4.5 V,反向击穿电压大于20V;常温下(300 K),该器件在3 V反向偏压下的暗电流约为50 pA,在零偏压下270 nm处峰值响应度达到0.12 A/W,长波截止波长小于285 nm。
黄烈云吴琼瑶赵文伯叶嗣荣向勇军刘小芹黄绍春
关键词:紫外探测器ALGAN日盲刻蚀欧姆接触
极坐标二维位敏光电探测器的设计
2007年
设计了一种极坐标二维位敏光电探测器,它采用一维位敏光电探测器测量原理测量光点的二维参数,经处理后得到光点的二维极坐标。该器件采用一种特殊的平面曲线形式的光敏面结构,可以广泛地应用于军事及民用领域中。
张卓勋钟正兰郭林红刘小芹
关键词:极坐标
微细厚铜金属互连线制作技术研究
2010年
微细厚铜金属互连线不仅具有耐大电流的能力,而且具有低的电阻值,在MEMS领域具有重要的应用。采用分布式涂胶法,通过控制各工艺参数,在PC板衬底上制备了厚的光刻胶掩模图形。利用恒流电镀法在PC板衬底上沉积出宽度为5μm,间距为5μm的厚金属铜互联线,可为厚金属互连工艺提供一定的技术支持。
江永清钟强吴英叶嗣荣刘小芹
关键词:电镀MEMS金属互连
玻璃微透镜阵列的制作工艺研究
2011年
对以玻璃为基材的微透镜阵列的制作工艺进行了研究,得出了影响微透镜阵列制作的三个主要因素:玻璃组分、腐蚀方法以及抗蚀掩模层材料。并通过实验详细分析了这三者对实验结果的影响。根据分析结果,选择合适的材料和工艺方法,获得了效果较好的玻璃微透镜阵列,为玻璃微透镜阵列的制作提供了依据和方法。
叶嗣荣周家万刘小芹钟强黄绍春赵文伯
关键词:微透镜阵列
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