刘小芹
- 作品数：6 被引量：15H指数：2
- 供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
- 发文基金：重庆市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 非等平面AlGaN紫外探测器阵列挡光技术研究
- 2009年
- 介绍了SiO2/PI1/Al/PI2挡光技术的原理及其制作工艺过程。通过采用SiO2/聚酰亚胺(PI1)/Al/PI2挡光技术,实现了真正意义上的日盲紫外成像。此技术主要应用于日盲型AlGaN紫外焦平面阵列。
- 叶嗣荣刘小芹赵文伯周家万钟强
- 通过添加表面活性剂和螯合剂改进硅片化学清洗工艺的研究被引量：7
- 2014年
- 通过在传统RCA清洗法所用的SC-1液中,添加表面活性剂四甲基氢氧化铵(TMAH)和/或螯合剂乙二胺四乙酸(EDTA),实验比较了不同清洗方法对颗粒粘污、金属粘污的去除效率;并测试了其对硅片表面粗糙度的影响。用MOS电容结构的击穿电场强度Weibull分布,评价了不同清洗方法所得氧化层的质量。结果表明,上述改进能够显著提高对颗粒粘污和金属粘污的去除效果,同时能省去RCA的SC-2清洗步骤,具有节省工时、化学试剂消耗量小的优势。
- 黄绍春刘新叶嗣荣刘小芹
- 日盲型AlGaN PIN紫外探测器的研制被引量：8
- 2007年
- 采用MOCVD方法在双面抛光的(0001)蓝宝石衬底上生长了高铝组分AlGaN材料,研制出日盲型AlGaN PIN紫外探测器。详细介绍了该器件的结构设计和制作工艺,并对该器件进行了光电性能测试。测试结果表明:器件的正向开启电压约为4.5 V,反向击穿电压大于20V;常温下(300 K),该器件在3 V反向偏压下的暗电流约为50 pA,在零偏压下270 nm处峰值响应度达到0.12 A/W,长波截止波长小于285 nm。
- 黄烈云吴琼瑶赵文伯叶嗣荣向勇军刘小芹黄绍春
- 关键词：紫外探测器ALGAN日盲刻蚀欧姆接触
- 极坐标二维位敏光电探测器的设计
- 2007年
- 设计了一种极坐标二维位敏光电探测器,它采用一维位敏光电探测器测量原理测量光点的二维参数,经处理后得到光点的二维极坐标。该器件采用一种特殊的平面曲线形式的光敏面结构,可以广泛地应用于军事及民用领域中。
- 张卓勋钟正兰郭林红刘小芹
- 关键词：极坐标
- 微细厚铜金属互连线制作技术研究
- 2010年
- 微细厚铜金属互连线不仅具有耐大电流的能力,而且具有低的电阻值,在MEMS领域具有重要的应用。采用分布式涂胶法,通过控制各工艺参数,在PC板衬底上制备了厚的光刻胶掩模图形。利用恒流电镀法在PC板衬底上沉积出宽度为5μm,间距为5μm的厚金属铜互联线,可为厚金属互连工艺提供一定的技术支持。
- 江永清钟强吴英叶嗣荣刘小芹
- 关键词：电镀MEMS金属互连
- 玻璃微透镜阵列的制作工艺研究
- 2011年
- 对以玻璃为基材的微透镜阵列的制作工艺进行了研究,得出了影响微透镜阵列制作的三个主要因素:玻璃组分、腐蚀方法以及抗蚀掩模层材料。并通过实验详细分析了这三者对实验结果的影响。根据分析结果,选择合适的材料和工艺方法,获得了效果较好的玻璃微透镜阵列,为玻璃微透镜阵列的制作提供了依据和方法。
- 叶嗣荣周家万刘小芹钟强黄绍春赵文伯
- 关键词：微透镜阵列
