冯昊
- 作品数：7 被引量：7H指数：2
- 供职机构：北京邮电大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
- 相关领域：理学电子电信机械工程一般工业技术更多>>
- 二维光子晶体最大绝对带隙结构优化方法
- 本发明公开了一种二维光子晶体最大绝对带隙结构优化方法，包括以下步骤：选择初始二维光子晶体结构及其优化区域；在所述优化区域设定若干控制点并赋予高度；利用控制点二维坐标及其高度拟合出一个三维曲面的曲面方程；由高度方向值为0的...
- 俞重远王东林刘玉敏冯昊郭晓涛
- 文献传递
- 量子点半导体光放大器的速率方程和增益特性被引量：2
- 2009年
- 为了深入研究量子点半导体光放大器(QD-SOA)的特性,建立了量子点半导体光放大器子带导带的三能级系统模型。把系统载流子的速率方程与其他文献采用的速率方程进行了对比优化。通过数值计算得到了瞬态解,并得到载流子在放大器各能级态的浓度分布,验证了量子点中能级分立特性。利用电子和空穴各自的占有几率在基态成一定的线性关系,在稳态下对速率方程求解,得出了量子点半导体光放大器相关的增益特性,以及增益特性与基态电子的占有几率之间的关系。结果表明量子点半导体光放大器具有很高的饱和增益和微分增益,较低的阈值电流等特性。说明量子点半导体光放大器具有比其他体材料和量子阱光放大器更加优异的特性。为光放大器的设计提供了有力的理论指导。
- 李瑞刚刘玉敏俞重远冯昊卢文娟徐子欢
- 关键词：速率方程光增益
- 应变补偿层对量子点生长影响的理论研究被引量：3
- 2010年
- 量子点的光学特性与量子点的大小均匀性、密度、内部应变以及隔离层的厚度等有密切关系.文中从理论角度定量研究了GaNXAs1-X应变补偿层对InAs/GaAs量子点生长质量的改善作用,分析了应变补偿层对隔离层厚度减小的作用.讨论了应变补偿层的补偿位置和补偿层N组分X对量子点生长时局部应变和体系应变的补偿作用.分析了应变补偿层对体系应变的减少作用,并计算了相邻层量子点的垂直对准概率.研究结果对实验中应变补偿的优化和高质量量子点阵列的生长实现提供了理论依据.
- 冯昊俞重远刘玉敏芦鹏飞贾博雍姚文杰田宏达赵伟徐子欢
- 关键词：量子点
- 长波长QD-VCSELs中的应变补偿理论被引量：3
- 2010年
- 从理论角度定量地研究了量子点垂直腔表面发射激光器(QD-VCSELs)中GaNAs应变补偿层对InAs/GaAs量子点阵列生长质量的改善作用,得出了不同补偿浓度和补偿位置对补偿效果影响的规律,得到了确定最佳补偿参数的途径.为长波长(1.2～1.6μm)QD-VCSELs中量子点有源区的制备提供了理论指导.
- 冯昊俞重远刘玉敏
- 关键词：量子点垂直腔面发射激光器
- 二维光子晶体最大绝对带隙结构优化方法
- 本发明公开了一种二维光子晶体最大绝对带隙结构优化方法，包括以下步骤：选择初始二维光子晶体结构及其优化区域；在所述优化区域设定若干控制点并赋予高度；利用控制点二维坐标及其高度拟合出一个三维曲面的曲面方程；由高度方向值为0的...
- 俞重远王东林刘玉敏冯昊郭晓涛
- 文献传递
- 抑制异变外延生长中贯穿位错的结构与方法
- 本发明公开了一种抑制异变外延生长中贯穿位错的结构与方法，所述方法包括以下步骤：选取适合的生长在应变缓冲层上的量子点几何模型作为理论模型；根据所述理论模型的贯穿和失配位错应变场与晶格失配应变场的相互作用以及位错应变场与自由...
- 刘玉敏周帅俞重远叶寒冯昊
- 文献传递
- 半导体纳米材料的生长仿真与物理特性研究
- 近年来,在单芯片上集成纳米功能单元的能力成为衡量半导体纳米技术发展的一个重要标志。半导体纳米结构(量子点、量子环、纳米线等)功能单元相关的生长制备技术、量子物理效应以及潜在的光电器件应用研究因此成为了凝聚态物理以及半导体...
- 冯昊
- 关键词：半导体纳米材料量子点量子环自组织生长电子结构
- 文献传递
