侯治锦
- 作品数:24 被引量:14H指数:3
- 供职机构:中国航空工业集团公司中国空空导弹研究院更多>>
- 发文基金:航天科技创新基金中国航空科学基金更多>>
- 相关领域:电子电信经济管理自动化与计算机技术更多>>
- 高精度多台阶微透镜阵列的制作方法
- 本发明涉及一种高精度多台阶微透镜阵列的制作方法,该方法首先在基底上等间隔制作出初始深度的台阶;然后再在各初始深度的台阶上、以及各台阶之间的间隔上,进行刻蚀,形成设定深度的台阶,本方法不但对操作者和操作设备的制作精度要求相...
- 侯治锦司俊杰陈洪许吕衍秋王巍韩德宽
- 文献传递
- 一种探测器串音测试装置、其制作方法及串音测试方法
- 本发明提供了一种探测器串音测试装置、其制作方法及串音测试方法,在基片上制作至少一个最小单元图形,所述最小单元图形包括中心探测单元和设置在中心探测单元周围的外围探测单元,外围探测单元为不透光,中心探测单元为透光;将制作好的...
- 侯治锦司俊杰王巍鲁正雄
- 文献传递
- 用于识别面阵探测器相连缺陷元的新型光学滤光片(英文)
- 2018年
- 相连缺陷元识别一直是面阵探测器研究难点。面阵探测器相连缺陷元的光电信号与正常元基本相同,因此采用现有面阵测试方法无法识别相连缺陷元。提出了一种新型光学滤光片来识别面阵探测器中的相连缺陷元。在提出的滤光片结构中,有两种不同透光率、且交错排列的阵列组成。采用该滤光片后,相连缺陷元的响应电压值是正常单元响应电压的50%,面阵探测器相连缺陷元可以被显著识别。
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- 关键词:滤光片
- InSb面阵探测器铟柱缺陷成因与特征研究被引量:4
- 2018年
- 通过基于正性光刻胶的不同像元尺寸铟柱阵列及器件制备,研究In Sb面阵探测器铟柱缺陷成因与特征.分别研制了像元尺寸为50μm×50μm、30μm×30μm、15μm×15μm的面阵探测器的铟柱阵列,并制备出In Sb面阵探测器,利用高倍光学显微镜和焦平面测试系统对制备的芯片表面形貌、器件连通性及性能进行了检测与分析.研究结果表明:当像元尺寸为50μm×50μm时,芯片表面形貌和器件连通性测试结果较好;随着像元尺寸减小,芯片表面会出现铟柱相连或铟柱缺失缺陷,器件连通性测试结果与表面形貌相吻合.铟柱相连缺陷是由光刻剥离时残留铟渣引起的铟相连造成;铟柱缺失缺陷是由光刻时残留光刻胶底膜引起的铟柱缺失造成.器件相连缺陷元的响应电压与正常元基本相同,缺失缺陷元的响应电压基本为0,其周围最相邻探测单元响应电压相比正常元增加了约25%.器件缺陷元的研究结果,对通过优化探测器制作水平提升其性能具有重要参考意义.
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- 高效制作高精度多台阶微透镜阵列的方法
- 本发明涉及一种高效制作高精度多台阶微透镜阵列的方法,将待制作的台阶阵列分为若干组,包括第一组、第二组,第一组与第二组首尾相接,每组的各台阶是深度连续的;同步制作第一组与第二组的各台阶,形成对应深度相同的两组台阶;将第二组...
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- 一种铟柱倒焊互连的方法
- 本发明涉及一种铟柱倒焊互连的方法,本发明首先测算整个面阵中,铟柱在互连时产生的最大偏差值,将该最大偏差值叠加到铟压缩量形成新铟压缩量,以该新铟柱压缩量进行倒焊互连,使面阵全部铟柱良好互连。
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- 焦平面探测器相连缺陷元的识别方法与测试基片
- 本发明涉及焦平面探测器相连缺陷元的识别方法与测试基片,本发明提出的相连缺陷元识别方法,将基片处理为一种特殊的具备两种透光率的基片,即在同一基片上,形成具有两种透光率的区域。对于正常元,其响应电压与光敏元所对准的透光率区域...
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- 用响应和串音识别焦平面探测器相连缺陷元研究被引量:2
- 2017年
- 采用高倍光学显微镜和焦平面探测器测试系统对焦平面探测器相连缺陷元进行了测试分析,研究了焦平面探测器相连缺陷元的成因。研究结果表明:借助高倍光学显微镜很难识别相连缺陷元;采用焦平面探测器响应测试系统进行测试时,相连缺陷元的响应电压与正常元基本相同,相连缺陷元无法被识别;采用焦平面探测器串音测试系统进行测试时,相连缺陷元之间串音为100%,明显不同于正常元,此时两元相连缺陷元响应电压是正常元响应电压的二分之一,相连缺陷元可以被有效识别。光刻腐蚀引入的台面或电极相连,以及光刻剥离引入的铟柱相连导致了缺陷元的产生;通过光刻腐蚀、剥离工艺优化,可以有效减少焦平面探测器相连缺陷元。
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- 关键词:焦平面探测器串音
- 一种多台阶微透镜制作方法以及光学元件台阶制作方法
- 本发明涉及一种多台阶微透镜制作方法以及光学元件台阶制作方法,该方法通过仅有的一次掩膜光刻形成微透镜最内层环带,然后通过负性光刻胶背面曝光显影用作掩膜层,再经腐蚀、背面曝光显影,刻蚀形成基底的图形,然后进行循环得到按次序从...
- 侯治锦司俊杰韩德宽陈洪许吕衍秋丁嘉欣张向锋姚官生王理文杨雪峰耿东锋
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- 一种多台阶微透镜制作方法以及光学元件台阶制作方法
- 本发明涉及一种多台阶微透镜制作方法以及光学元件台阶制作方法,该方法通过仅有的一次掩膜光刻形成微透镜最内层环带,然后通过负性光刻胶背面曝光显影用作掩膜层,再经腐蚀、背面曝光显影,刻蚀形成基底的图形,然后进行循环得到按次序从...
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