2025年1月4日
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任黎明
作品数:
86
被引量:54
H指数:6
供职机构:
北京大学
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发文基金:
国家重点基础研究发展计划
“九五”国家科技攻关计划
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相关领域:
电子电信
一般工业技术
文化科学
自动化与计算机技术
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合作作者
傅云义
北京大学微电子学研究院
彭沛
北京大学
王紫东
北京大学
黄如
北京大学微电子学研究院
张兴
北京大学信息科学技术学院微电子...
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任黎明
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微光刻与电子束光刻技术
自从1958年美国德克萨斯公司试制了世界上第一块平面集成电路开始算起,在短短的五十余年中,微电子技术及微纳米技术以令世人震惊的速度突飞猛进地发展,创造了人间奇迹.作为微电子技术与纳米科学技术工艺基础的微光刻与电子束光刻技...
陈宝钦
谢常青
刘明
赵珉
吴璇
牛洁斌
任黎明
王琴
朱效立
史丽娜
徐秋霞
一种多量子点结构的制备方法
本发明公布了一种多量子点结构的制备方法,属于纳米或原子尺度器件领域。该方法通过对金属纳米带的几何形状进行设计,控制电迁移主要发生的位置,再利用电流焦耳热驱动的电迁移,调整电迁移过程中的电压、电流等电学参数,使发生迁移的一...
田仲政
于达程
任中阳
田姣姣
任黎明
傅云义
一种调节金属隧穿结中的间隙距离的方法
本发明公布了一种调节金属隧穿结中的间隙距离的方法,属于纳米或原子尺度器件领域。该方法利用激光照射的I‑V扫描方法,高精度控制金属隧穿结中的间隙距离。本发明可以在相当大的范围内进行调节隧穿间隙距离,可以有效控制隧穿结的电学...
田仲政
于达程
任中阳
田姣姣
任黎明
傅云义
一种石墨烯表面气体分子吸附过程的监测方法
本发明公开了一种石墨烯器件表面气体分子吸附过程的监测方法,该方法主要通过监测石墨烯器件的转移特性,尤其是狄拉克点位置,实时监控器件中石墨烯表面的气体吸附动态过程,即从清洁石墨烯表面至分子饱和吸附的全过程,并可较为精确地测...
贾越辉
彭沛
王紫东
田仲政
任黎明
傅云义
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一种调控石墨烯场效应晶体管的M形电阻特性曲线方法
本发明提出了一种调控石墨烯场效应晶体管的M形电阻特性曲线方法,在电子电路、微纳电子学等领域具有应用前景。本发明提出的石墨烯场效应晶体管器件结构:紧靠石墨烯沟道上方栅介质层有两种不同功函数的金属栅。这种结构的石墨烯场效应晶...
彭沛
李慕禅
田仲政
于学敏
任黎明
傅云义
文献传递
一种纳米尺度缝隙的制备方法
本发明公开了一种纳米尺度缝隙的制备方法,该方法根据旋涂的光刻胶在凸起处较薄这一特点,依靠一层保护层,利用两次刻蚀,便可制备出宽度易于控制的纳米尺度缝隙。相对于一般基于电子束曝光技术或透射电镜技术来制备纳米尺度缝隙的方法,...
王紫东
彭沛
田仲政
宋建宏
任黎明
傅云义
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一种直接在绝缘衬底表面制备石墨烯的方法
本发明提出一种可在绝缘衬底表面制备石墨烯的方法,在材料学、微纳电子学等领域具有应用前景。本发明设计了一种堆叠的三明治结构,即缓冲层/吸收层‑金属箔片-目标衬底,提出利用此结构在化学气相沉积(CVD)过程中使石墨烯生长与转...
彭沛
田仲政
李慕禅
王紫东
于学敏
任黎明
傅云义
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一种实现器件在平行于衬底表面的外磁场下具有M型磁阻曲线的方法
本发明公开了一种在平行于衬底表面的外磁场下实现器件具有M型磁阻曲线的方法,属于微纳尺度器件技术领域。该方法通过改变二维沟道的形状来改变沟道电流流向,使沟道电流具有至少两种流向,从而得到不同取向的磁阻曲线相叠加而产生的多种...
李慕禅
田仲政
彭沛
于学敏
于达程
任黎明
傅云义
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基于石墨烯的二极管器件及其逻辑单元的结构
本发明提供了一种基于石墨烯的二极管器件及其逻辑单元的结构,属于纳米尺度器件的结构以及加工方法。本发明二极管结构为一宽度沿延展方向渐变的三角形单层石墨烯纳米结构,或宽度沿延展方向一宽一窄两个矩形相连的单层石墨烯纳米结构,对...
叶天扬
魏子钧
任黎明
赵华波
傅云义
黄如
张兴
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一种基于热电效应的无线充电方法及装置
本发明公开了一种基于热电材料的无线充电方法及设备。该技术利用吸波材料对电磁波进行吸收,使吸收的电磁波能量转换为热能;选择合适的热电材料并将吸波材料紧贴在热电材料的一端,则热电材料中与吸波材料紧贴的一端的温度升高,并在该热...
王紫东
彭沛
田仲政
任黎明
傅云义
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