丁栋舟
- 作品数：50 被引量：36H指数：4
- 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划中国科学院知识创新工程青年人才领域前沿项目更多>>
- 相关领域：理学文化科学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- 焦硅酸镥(Lu_2Si_2O_7:Ce)闪烁晶体的生长与发光性能研究(英文)被引量：3
- 2007年
- 铈掺杂的焦硅酸镥晶体(简写为LPS:Ce)是新近发现的一种具有潜在应用价值的无机闪烁晶体。本文用提拉法成功地生长出尺寸为15mm×40mm的LPS:Ce晶体。XRD结构测试表明,该晶体属于单斜晶系,C2/m空间群,晶体中分布有少量的LPS和石英颗粒包裹体。对从毛坯中切割出的无色透明晶体样品在室温下分别进行了透射光谱、紫外激发、X射线激发发射光谱和衰减时间测试。结果表明,铈(Ce3+)离子掺杂使LPS晶体的紫外吸收边从175nm红移到350nm,紫外和X射线激发的荧光光谱中都可以分解出384nm和412nm两个发射峰,它们分别对应于电子从铈(Ce3+)离子的5d轨道向4f轨道的两个能级(2F5/2和2F7/2)的辐射跃迁,从衰减曲线中可以拟合出一个38.75ns的时间常数。这些发光特征与该晶体独特的晶体结构密切相关。
- 任国浩李焕英陆晟丁栋舟冯鹤王广东
- 关键词：晶体生长发光性能
- 一种八面体格位掺杂改善铝镓酸钆闪烁材料及其制备方法和应用
- 本发明涉及一种八面体格位掺杂改善铝镓酸钆闪烁材料及其制备方法和应用。所述八面体格位掺杂改善铝镓酸钆闪烁材料的化学式为Gd<Sub>3‑x‑a</Sub>R<Sub>a</Sub>Ce<Sub>x</Sub>Al<Sub>...
- 丁栋舟李铭清赵书文杨帆
- 一种稀土掺杂硼酸镥钪闪烁单晶及其生长方法
- 本发明涉及一种无机化合物晶体及制造技术领域，提供了一种稀土掺杂硼酸镥钪单晶的浮区法生长方法。本发明成功利用浮区法获得晶体质量较好的稀土掺杂硼酸镥钪单晶，该单晶的结构式为(Lu<Sub>1-x</Sub>Sc<Sub>x<...
- 任国浩吴云涛丁栋舟潘尚可杨帆
- 稀土闪烁晶体的生长与性能研究
- 任国浩陆晟丁栋舟秦来顺裴钰
- 文献传递
- 一种高品质因子的过渡金属元素掺杂石榴石构型铝酸盐闪烁材料及其制备方法和应用
- 本发明涉及一种高品质因子的过渡金属元素掺杂石榴石构型铝酸盐闪烁材料及其制备方法和应用。所述过渡金属元素掺杂石榴石构型铝酸盐闪烁材料的化学式为：RE<Sub>3‑x‑a</Sub>Ce<Sub>x</Sub>A<Sub>a...
- 丁栋舟张傲尘赵书文郑祥薛中军李诚逸邱鹏
- 一种硅位掺杂改善稀土正硅酸盐闪烁材料及其制备方法和应用
- 本发明涉及一种硅位掺杂改善稀土正硅酸盐闪烁材料及其制备方法和应用，所述硅位掺杂改善稀土正硅酸盐闪烁材料的化学式为RE<Sub>2(1‑x)</Sub>Ce<Sub>2x</Sub>Si<Sub>(1‑y)</Sub>M<...
- 丁栋舟陈露赵书文杨帆施俊杰袁晨王林伟
- 文献传递
- Gd_(3)(Al,Ga)_(5)O_(12):Ce闪烁晶体缺陷对其发光性能的影响被引量：1
- 2021年
- 新型闪烁晶体Gd_(3)(Al,Ga)_(5)O_(12):Ce(GAGG:Ce)在制备过程中易出现包裹体及反格位缺陷等问题,严重影响晶体的性能.为了抑制这些缺陷以得到大尺寸高质量的GAGG:Ce晶体,本文以Gd_(3)(Al,Ga)_(5)O_(12)为基质、Ce3+为掺杂离子,采用提拉法生长得到了GAGG:Ce晶体,并对不同晶体部位的物相结构、微区成分、透光性质、发光及时间性能进行了测试和对比分析.结果表明,GAGG:Ce晶体的透过谱中存在340和440 nm两处Ce^(3+)特征吸收带,且位于550 nm处的直线透过率为82%.晶体尾部因杂相包裹体等宏观缺陷的影响,导致其透过率下降至70%左右.微区成分分析进一步表明GAGG:Ce晶体中存在三种类型的包裹体,分别为富Gd相、富Ce相及(Al,Ga)_(2)O_(3)相.GAGG:Ce晶体的X射线激发发射谱中在550 nm附近存在Ce^(3+)宽发射带,且380 nm处还存在GdAl/Ga反格位缺陷引起的发射.晶体中存在的杂相包裹体及GdAl/Ga反格位缺陷等因素导致Ce^(3+)在GAGG基质的发光强度下降12.5%;GdAl/Ga反格位离子与近邻Ce的隧穿效应使得GAGG:Ce晶体的衰减时间由117.7 ns延长至121.9 ns,且慢分量比例由16%增加至17.2%.
- 孟猛祁强赫崇君丁栋舟赵书文施俊杰任国浩
- 关键词：光产额能量分辨率包裹体
- 焦硅酸钇闪烁单晶的浮区法生长方法
- 本发明属于无机化合物晶体及制造技术领域，具体涉及一种焦硅酸钇闪烁单晶的浮区法生长方法。本发明的生长方法包括：原料的合成，熔料，接种，生长和降温四个步骤，其中，晶体生长完毕后的降温过程中，在相变点温度以上时，降温速率为30...
- 冯鹤丁栋舟任国浩潘尚可陆晟张卫东
- 文献传递
- LuAlO_3∶Ce闪烁晶体的研究进展被引量：8
- 2006年
- 本文总结了铝酸镥(LuA lO3∶Ce简称LuAP∶Ce,P表示该晶体为赝钙钛矿结构)闪烁晶体的晶体结构、闪烁性能、闪烁机理与晶体生长的研究现状,重点阐述了目前晶体生长及其性能研究取得的进展,然后分析了目前文献报道晶体中存在的问题,提出了铝酸镥闪烁晶体未来研究发展的几个方向。
- 丁栋舟任国浩
- 关键词：钙钛矿闪烁晶体
- LuxY1-xAlO3：Ce晶体中伴生(Lu，Y)3Al5O12：Ce相成因研究被引量：1
- 2008年
- 采用提拉法制备了Lu_xY_(1-x)AlO_3:Ce晶体样品,通过XRD物相分析和成分分析,并结合Lu_2O_3- Al_2O_3二元体系相图以及Lu_xY_(1-x)AlO_3:Ce结构稳定性方面的分析与讨论,结果表明:随着熔体中Lu元素含量的增加,熔体分层加剧,析晶Lu_xY_(1-x)AlO_3:Ce相的熔体组成区间将向富Lu一侧偏移,这使得晶体上部易伴生(Lu,Y)_3Al_5O_(12):Ce相;而随着Lu元素含量的提高,Lu_xY_(1-x)AlO_3:Ce晶体的热稳定性降低,氧空位的存在则使晶体的热稳定性进一步降低,在接种过程中籽晶表面易发生相分解反应生成(Lu,Y)_3Al_5O_(12):Ce和(Lu,Y)_4Al_2O_9:Ce,籽晶表面相分解产物(Lu,Y)_3Al_5O_(12):Ce提供了诱导析晶(Lu,Y)_3Al_5O_(12):Ce相所需的晶核,这使得晶体的外表面处易伴生(Lu,Y)_3Al_5O_(12):Ce相.调整配料组成使n((Lu,Y)_2O_3):n(Al_2O_3)=1.17～1.00,加大熔体内部和固液界面处的温度梯度以改善熔体对流,抑制熔体分层以及籽晶表面处的相分解等有助于高Lu元素含量Lu_xY_(1-x)AlO_3:Ce晶体的获得.
- 丁栋舟陆晟潘尚可张卫东王广东任国浩
- 关键词：钙钛矿石榴石伴生
