龚灿锋
- 作品数：4 被引量：10H指数：2
- 供职机构：浙江大学材料科学与工程学系硅材料国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电气工程理学更多>>
- 氮化硅双层减反射薄膜的减反射效果研究
- 本文采用普通热氧化、快速热氧化和氧等离子体氧化三种不同的氧化方法制备SiOx,然后用PECVD生长SiNx形成双层减反射膜,并测试其减反射率,与单层SiNx薄膜的减反射效果对比。结果表明:采用氧等离子体和快速热氧化得到S...
- 龚灿锋席珍强杨德仁
- 关键词：氮化硅
- 氮化硅薄膜对晶体硅材料和电池的钝化效果研究被引量：4
- 2005年
- 利用等离子体增强化学气相沉积技术,在P型直拉单晶硅硅片和铸造多晶硅片以及太阳电池的表面上 沉积了非晶氮化硅(a-SiNx:H)薄膜,并研究了氮化硅薄膜对材料少子寿命和太阳电池性能的影响。研究发现: 氮化硅薄膜显著地提高了晶体硅材料中少子寿命,同时多晶硅太阳电池的开路电压有少量提高,短路电流普遍 提高了1mA/cm2,电池效率提高了2％。实验结果表明:氮化硅薄膜不仅具有表面钝化作用,也有良好的体钝化 作用。
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- 关键词：氮化硅PECVD太阳电池少子寿命
- SiNx薄膜的稳定性研究
- 采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)在硅片表面生长氮化硅薄膜(SiN
- 席珍强杨德仁龚灿锋阙端麟
- 关键词：氮化硅红外
- 热处理对氮化硅薄膜光学和电学性能的影响被引量：7
- 2006年
- 使用PECVD在单晶硅硅片表面沉积了非晶氮化硅(a-SiNx∶H)薄膜,采用传统的退火炉和快速热退火炉进行了不同时间和温度下的退火比较,并研究了退火对薄膜光学性能以及材料少子寿命的影响。研究发现:氮化硅薄膜经热处理后厚度降低,折射率先升高后降低;沉积氮化硅薄膜后400℃退火可以促进氢扩散,提高少子寿命,超过400℃后氢开始逸失,衬底少子寿命急剧下降。另外,还发现RTP处理过程中氢的逸失比常规热处理快。
- 龚灿锋席珍强王晓泉杨德仁阙端麟
- 关键词：氮化硅PECVD
