鲍丙豪
- 作品数：85 被引量：244H指数：8
- 供职机构：江苏大学机械工程学院更多>>
- 发文基金：安徽省自然科学基金国家自然科学基金江苏省高等学校大学生实践创新训练计划项目更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术一般工业技术金属学及工艺理学更多>>
- 钴基非晶丝应力电阻抗效应
- 2001年
- 研究了钴基非晶丝材料显示的应力电阻抗 (SI)效应。结果表明 ,淬态钴基非晶丝在其两端受到外加轴向压力作用下可呈现显著的应力电阻抗效应 。
- 鲍丙豪
- 关键词：驱动电流
- 磁芯气隙中串联层叠非晶带GMI效应电流传感器被引量：5
- 2009年
- 利用由CMOS多谐振荡桥及低通滤波器产生的正弦信号激励的钴基非晶带巨磁阻抗(GMI)效应设计出一种非接触型电流传感器。该非晶带经频率为2Hz,密度为35A/mm2,持续时间40s的脉冲电流退火。非晶带采用串联层叠方式嵌于带气隙的环形磁芯中,推出了气隙中的层叠非晶带受到的导线电流所产生的磁场公式。给出了传感器信号处理电路框图。当磁芯中引入强负反馈磁场时,实验结果表明,新型电流传感器的非线性误差小于0.5%FS,线性量程±7A。
- 鲍丙豪
- 关键词：电流传感器
- 非晶态合金材料的巨磁阻抗效应及应用
- 1996年
- 非晶态合金材料是一种性能优良的新型软磁材料,其中包括非晶合金薄带、非晶合金粉末、非 晶态合金薄膜及非晶态合金丝。这类材料具有矫顽力、高磁导率、高频特性好等优良特性。特别是采用非晶晶化法制备的纳米软磁材料使非晶合金材料显示出了更为广阔的应用前景。 非晶态合金材料中的非晶态合金带及非晶态合金丝的应用范围较广,主要表现在以下几个方面:(1)大功率配电变压器、高频开关电源、电机、扼流圈、磁放大器;(2)各种电感元件、录音、录像磁头、漏电保护装置;(3)磁敏元件、磁传感器及力学量传感器等。
- 鲍丙豪朱大奇
- 关键词：巨磁阻抗效应
- 基于ABAQUS的印刷电路板组件模态研究被引量：4
- 2009年
- 对多种集成芯片组成的印刷电路板组件(PCBA)进行了有限元模态和实验模态分析。以有限元分析软件ABAQUS/CAE为平台,经简化建立等质量仿真模型,得到PCBA在不同固定方式下的多阶固有频率和振型。通过对有限元软件仿真与实验模态分析的结果进行比较,可知有限元分析方法和实验结果具有很好的一致性,电路板固定方式和芯片分布的位置对PCBA组件的模态影响较大,有限元模态分析可以为PCBA芯片的分布优化设计和抗振可靠性研究提供理论依据。
- 鲍丙豪赵洪利龚勇镇董现伦陈子夏
- 关键词：有限元分析模态分析固有频率
- 无线传感器网络节点程序改编的原理与实现
- 2008年
- 网络程序改编有助于实现用户了解各种不同情况下监测区域信息的要求,对无线传感器网络的使用灵活性具有重要意义。介绍了一种基于Mica2节点的程序改编方法。首先提出了程序改编的概念;然后介绍了程序改编的3个主要过程,并详细分析了程序下载阶段、查询阶段和再编程阶段的原理;最后给出了利用该方法进行的一次程序改编过程。
- 鲍丙豪王伟志
- 关键词：无线传感器网络TINYOS
- Bi4Ge3O12晶体光纤磁场传感器的研究
- 对BiGeO晶体的法拉第旋转效应进行了研究,结果表明可以把它用作基于法拉第效应光纤磁场传感器的敏感材料。设计了传感器探头及后续信号处理电路,并搭建了实验测量平台。通过变化两个环状磁铁的间距来得到不同强度的磁场,并用研制的...
- 鲍丙豪张金卫肖颖赵洪利
- 关键词：光纤磁场传感器
- 文献传递
- 脉冲电流退火的钴基非晶带环巨磁阻抗效应被引量：3
- 2005年
- 将近零磁致伸缩系数的钴基非晶薄带卷成环形后,在16kA/m横向磁场作用下,用密度为25A/mm2的脉冲电流退火30s,并由环形薄带轴线上的直流电流提供环形磁场,可以获得显著的巨磁阻抗效应。分析了巨磁阻抗效应与激励电流的频率和幅值的关系。结果表明,在低频下阻抗变化率随频率升高而增大,达到特征频率后随频率升高而减小,增大激励电流幅值有利于提高磁阻抗效应。样品在频率为5MHz、峰-峰值5mA交流电流激励下阻抗变化率达55.1%。
- 赵湛鲍丙豪蒋峰周少雄
- 关键词：巨磁阻抗效应
- 非晶态合金力传感器的研究被引量：2
- 1992年
- 本文介绍了我们研制的一种新型的力传感器,该传感器用非晶合金薄带作为敏感材料,多谐振荡回路作为传感器电路。它是一种精确、可靠、敏感、线性的力传感器,该传感器可用于高温、高噪音环境下的机械系统中,如工业自动控制上。本文给出了该传感器的工作原理,材料的制作方法及测试结果。
- 鲍丙豪姜惟诚周军
- 关键词：非晶态合金磁致伸缩系数力传感器
- 低频脉冲电流退火对CoFeSiB非晶薄带巨磁阻抗效应的影响被引量：1
- 2007年
- 研究了经不同低频脉冲电流密度退火的Co66.3Fe3.7Si12B18非晶薄带的巨磁阻抗(GMI)效应。结果表明,在低频脉冲电流下,巨磁阻抗效应的大小与退火电流密度密切相关。非晶带的GMI变化率△Z/Z先随退火电流密度的增加而增强,当电流密度为104A/mm2时,△Z/Z达到最大值53.8%,此后随电流密度增大,GMI变化率开始减小。对脉冲电流退火影响巨磁阻抗效应的机制作了定性分析。并分析了由脉冲电流退火在材料内感生的横向各向异性场HK对GMI效应的影响,发现HK有利于提高GMI效应的峰值,但同时存在一个临界值,当超过这个值时,GMI效应的峰值减弱。
- 鲍丙豪蒋峰孙超
- 关键词：巨磁阻抗效应
- 基于巨磁阻效应的电流传感器研制被引量：3
- 2022年
- 通过叠合两个巨磁阻芯片构成差分式巨磁阻组件。差动结构能够改善电流传感器的零偏电压,抑制温度漂移。同时引入反馈电路构成闭环系统,有效地提高了传感器的输出线性度,因此提高了电流测量精度。分析了传感器的工作原理,给出了系统闭环传递函数,并进行电路仿真和有限元仿真,分析验证方案的合理性。制作了样机,实验结果表明,所研制闭环结构电流传感器能在±5 A的量程内线性工作,灵敏度为204.6 mV/A,线性度为0.30%FS,精度可达0.39%。
- 陆霞飞鲍丙豪
- 关键词：电流传感器巨磁阻差分式有限元仿真
