马亚楠
- 作品数：8 被引量：4H指数：1
- 供职机构：复旦大学更多>>
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- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 带MOS电容的增益单元eDRAM单元、存储器及制备方法
- 本发明提供一种增益单元eDRAM单元、存储器及制备方法，属于嵌入式动态随机存储器(eDRAM)技术领域。该发明提供的增益单元eDRAM单元在存储节点处增加一个MOS电容，从而提高增益单元eDRAM单元的数据保持时间，降低...
- 林殷茵董存霖孟超程宽马亚楠严冰
- 文献传递
- 先进逻辑工艺下SRAM漏电流测试
- 2013年
- 对于65nm及以下的先进逻辑工艺,SRAM的漏电流功耗占据了保持状态下功耗的一半以上,成为降低功耗的主要瓶颈之一.精确测量漏电流成为优化工艺从而降低功耗的先决条件.在保持SRAM原有版图环境不变的情况下,通过对SRAM施加不同激励,将栅漏电流、结漏电流和衬底漏电流这3种漏电流有效地区分出来.通过大量的测试,得到在不同温度下SRAM漏电流的相应数据结果用以分析,并对漏电流在整片晶圆内的系统波动和局部随机波动进行了讨论.
- 陈浩董庆马亚楠林殷茵
- 关键词：漏电流SRAM
- 一种带有新型曲率补偿的带隙基准电压源设计被引量：4
- 2012年
- 设计了一种具有新型曲率补偿的电流模式的带隙基准电压源电路,通过在高温时产生一路正温度系数的电流注入到输出端来补偿VBE的高阶负温度系数项实现曲率补偿,从而得到更低温度系数的输出电压.同时采用一种有效的启动电路保证电路上电后可正常启动.该设计基于SMIC 0.13μm CMOS工艺,在1.2V电源电压下,输出基准电压为500mV,在-30～130℃范围内温度系数的版图后仿真可达到3.1×10-6 V/℃,整个电路功耗为180μW.
- 马亚楠陈刚林殷茵
- 关键词：带隙基准低温度系数启动电路
- eDRAM高速读写和紧凑式电荷转移刷新方案
- 2012年
- 提出了一种采用逻辑工艺、访存速度优化、降低刷新功耗的动态随机存储器(DRAM),使其在嵌入式系统的设计与制造中易于与高性能逻辑电路融合.采用读写前置放大的高速读写方案,使DRAM读写速度得到了优化;采用紧凑式电荷转移刷新替代传统刷新方案,在降低了刷新功耗的同时,缩短了DRAM的刷新时间开销,提高了DRAM的数据可访问性.仿真结果表明:与传统方案相比,在3ns时钟周期下,存储器写操作时间为3ns,减少了23%;数据访问时间为1.8ns,减少了15%;在刷新模式下,灵敏放大器功耗降低了58%,同时刷新时间降低了43%.
- 程宽马亚楠孟超董存霖林殷茵
- 关键词：动态随机存储器
- 一种增益单元eDRAM单元、存储器及操作方法
- 本发明属于动态随机存储器技术领域，具体为一种增益单元eDRAM单元、存储器及其操作方法。本发明提供的增益单元eDRAM单元是在写MOS晶体管、读MOS晶体管、写字线、写位线、读字线、读位线、等效寄生电容的基础上，增加耦合...
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- 文献传递
- 带MOS电容的增益单元eDRAM单元、存储器及制备方法
- 本发明提供一种增益单元eDRAM单元、存储器及制备方法，属于嵌入式动态随机存储器(eDRAM)技术领域。该发明提供的增益单元eDRAM单元在存储节点处增加一个MOS电容，从而提高增益单元eDRAM单元的数据保持时间，降低...
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- 基于2T GC的动态随机存储器版图设计及其关键参数表征与优化
- 本文基于一种新型嵌入式动态随机存储器2T GC的版图设计和关键参数进行了相关的研究工作。2T GC存储器版图设计是影响2T GC面积的重要因素,同时还涉及到面积与性能及功耗的折中问题。其中包含了2T GC单元的版图设计和...
- 马亚楠
- 文献传递
- 一种增益单元eDRAM单元、存储器及操作方法
- 本发明属于动态随机存储器技术领域，具体为一种增益单元eDRAM单元、存储器及其操作方法。本发明提供的增益单元eDRAM单元是在写MOS晶体管、读MOS晶体管、写字线、写位线、读字线、读位线、等效寄生电容的基础上，增加耦合...
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