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隋妍萍

作品数:67 被引量:52H指数:5
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划天津市应用基础与前沿技术研究计划天津市科技攻关计划更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术理学电气工程更多>>

文献类型

  • 44篇专利
  • 14篇期刊文章
  • 7篇会议论文
  • 2篇学位论文

领域

  • 12篇电子电信
  • 8篇一般工业技术
  • 6篇理学
  • 5篇电气工程
  • 1篇化学工程
  • 1篇动力工程及工...

主题

  • 30篇石墨
  • 29篇石墨烯
  • 21篇衬底
  • 10篇金属
  • 7篇电池
  • 7篇太阳电池
  • 6篇多层膜
  • 6篇柔性衬底
  • 6篇气相沉积
  • 6篇刻蚀
  • 6篇化学气相
  • 6篇化学气相沉积
  • 6篇薄膜太阳电池
  • 5篇氮化镓
  • 5篇堆垛
  • 5篇微电子
  • 5篇SIO
  • 4篇铜表面
  • 4篇籽晶
  • 4篇光致

机构

  • 47篇中国科学院
  • 14篇南开大学
  • 6篇南京大学
  • 1篇天津市光电子...

作者

  • 67篇隋妍萍
  • 46篇于广辉
  • 39篇张燕辉
  • 37篇陈志蓥
  • 20篇张浩然
  • 15篇葛晓明
  • 14篇张德贤
  • 13篇王斌
  • 12篇蔡宏琨
  • 10篇李晓良
  • 9篇徐伟
  • 9篇陶科
  • 7篇王林申
  • 6篇姜元建
  • 6篇赵敬芳
  • 6篇薛颖
  • 5篇马忠元
  • 5篇黄信凡
  • 5篇阮建明
  • 5篇陈坤基

传媒

  • 3篇光电子.激光
  • 3篇物理学报
  • 2篇人工晶体学报
  • 2篇功能材料与器...
  • 2篇第十一届中国...
  • 1篇太阳能学报
  • 1篇南京大学学报...
  • 1篇功能材料
  • 1篇发光学报
  • 1篇第十二届华东...
  • 1篇第十二届全国...
  • 1篇第二届海峡两...

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 3篇2020
  • 6篇2019
  • 2篇2018
  • 11篇2017
  • 4篇2016
  • 7篇2015
  • 5篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 3篇2011
  • 3篇2010
  • 5篇2009
  • 3篇2008
  • 5篇2006
  • 1篇2005
  • 1篇2004
  • 4篇2003
67 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种无粘连金属密堆生长石墨烯的方法
本发明提供一种无粘连金属密堆生长石墨烯的方法,所述方法包括步骤:步骤1),在金属箔片的第一表面沉积氧化物,金属箔片的第二表面为金属面,将金属箔片按氧化物表面朝向金属面的顺序堆叠或者卷起来,形成金属堆垛或金属卷;步骤2),...
于广辉张燕辉隋妍萍陈志蓥邓荣轩葛晓明梁逸俭胡诗珂
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柔性衬底硅基薄膜太阳电池的研究
本文介绍了本科研组近几年关于柔性衬底硅基薄膜太阳电池的最新进展。多年来,我们一直从事低温聚酰亚胺衬底非晶硅薄膜太阳电池的研究。近一年来,开展了廉价透明的PEN衬底p-i-n型柔性衬底硅基薄膜太阳电池的研究,以及柔性衬底非...
蔡宏琨陶科胡居涛靳果谢轲隋妍萍张德贤
关键词:薄膜太阳电池柔性衬底
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铜晶须的制备方法
本发明提供一种铜晶须的制备方法,包括:1)提供铜基材,将所述铜基材置于硫源溶液中进行硫化反应,以在所述铜基材表面形成铜的硫化物;2)对表面具有铜的硫化物的所述铜基材进行清洗及干燥处理;3)对表面具有铜的硫化物的所述铜基材...
张燕辉于广辉陈志蓥隋妍萍
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Ⅲ/Ⅴ比对GaN等离子体辅助MBE生长的影响被引量:2
2006年
在射频(RF)等离子体辅助分子束外延(MBE)系统中,采用低温缓冲层等一系列生长工艺制备出二维生长模式的GaN材料;通过研究Ⅲ/Ⅴ比的调节对GaN生长的影响,确定了微富Ga的MBE生长GaN的优化条件;对GaN富Ga和富N状态的表面形貌和结构进行了比较,富Ga条件下的GaN具有更好的表面和材料特性;通过Hall和光致发光(PL)谱测试研究了GaN的电学和光学性质,GaN的黄带发光(YL)与GaN中生成能最低的V和V缺陷态有关。
隋妍萍于广辉俞谦荣齐鸣
柔性衬底非晶硅薄膜太阳电池界面处理的研究被引量:7
2009年
通过实验和模拟计算对比分析了i/p界面过渡层对太阳电池性能的影响.结合具体实验工艺参数,模拟计算了不同带隙和缺陷态密度的过渡层对太阳电池的影响,同时结合实验情况重现了宽带隙高缺陷态密度过渡层对太阳电池的损伤,为实验结果提供了理论依据.通过优化调整i/p界面过渡层的制备方法得到了转换效率为7.09%的聚酰亚胺衬底非晶硅薄膜太阳电池.
蔡宏琨陶科王林申赵敬芳隋妍萍张德贤
关键词:柔性衬底太阳电池AMPS模拟计算
衬底温度对共蒸发制备GaSb多晶薄膜性质的影响被引量:2
2011年
采用共蒸发的方法在玻璃衬底上制备出GaSb多晶薄膜材料。研究了薄膜生长速率与衬底温度、Ga源温度和Sb源温度的关系。通过XRD、UV-Vis、Hall效应和AFM等测试方法,研究了衬底温度对于GaSb薄膜的结构特性、光电性质以及表面形貌的影响。GaSb多晶薄膜具有(111)择优取向,薄膜的吸收系数达到105cm-1,晶粒尺寸随衬底温度升高逐渐增大;衬底温度为540℃时,薄膜的迁移率达到127 cm2/V.s,空穴浓度为3×1017 cm-3。
隋妍萍阮建明李涛蔡宏琨何炜瑜张德贤
关键词:衬底温度
电子束加热蒸发方法与装置及其用途
本发明涉及一种蒸发具有较高熔点粉末状材料的新型电子束加热蒸发方法与装置。所述方法结合电子束加热蒸发和电阻加热蒸发两种蒸发方式,由高压直流电源为灯丝阴极提供负偏压,使之与接地坩埚间形成强电场;另由低压交流电源为灯丝热阴极提...
张德贤蔡宏琨隋妍萍陶科薛颖席强姜元建冯凯齐龙茵赵敬芳王林申孙云
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衬底温度对GaSb多晶薄膜的影响
Ga Sb的禁带宽度是0.72e V,是热光伏电池的理想材料。本文采用共蒸发的方法在玻璃衬底上生长Ga Sb多晶薄膜。通过XRD谱和Hall测试,研究了衬底温度对薄膜的结构特性和电学特性的影响。研究表明:随衬底温度的升高...
阮建明隋妍萍李涛蔡宏琨张德贤
关键词:XRDHALL
GaSb薄膜特性的研究
GaSb的禁带宽度是0.72eV,为低禁带半导体,是红外探测器和光伏电池的主要材料。用传统的方法获得GaSb电池的代价很高。本文采用共蒸发的方法在衬底上成功制备Gasb薄膜。分别对在相同蒸发源反应温度,不同衬底上得到的G...
阮建明隋妍萍蔡宏琨乔在祥张德贤
关键词:晶粒尺寸禁带宽度
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一种基于石墨烯的表面增强拉曼基底及其制备方法
本发明涉及一种基于石墨烯的表面增强拉曼基底及其制备方法,所述基底为表面覆有多孔结构石墨烯的绝缘衬底,金属颗粒修饰于多孔结构石墨烯表面。制备方法包括:(1)制备表面覆有多孔结构石墨烯的绝缘衬底;(2)将金属颗粒分散覆盖于多...
隋妍萍于广辉张燕辉陈志蓥葛晓明张浩然
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共7页<1234567>
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