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陈苹

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：西安交通大学电子与信息工程学院电子科学与技术系更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇高频
  • 1篇半导体
  • 1篇表面势
  • 1篇C-V

机构

  • 1篇西安交通大学

作者

  • 1篇罗晋生
  • 1篇陈苹
  • 1篇齐鸣

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇1990
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
用高频C-V特性测量表面势和界面陷阱密度及其分布被引量：1
1990年
本文基于对MOS结构耗尽-弱反型区C-V特性的理论分析,提出了一种利用高频C-V特性直接测量半导体表面势和界面陷阱密度及其按能量分布的简便方法,减少了测量分析的计算量,降低了对样品的要求。本文还给出了一些实验样品的测试结果。
齐鸣陈苹罗晋生
关键词：C-V半导体表面势
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共1页<1>
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