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闫小龙

作品数：4 被引量：8H指数：2
供职机构：吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇氧化锌
  • 2篇氧化锌薄膜
  • 2篇金属有机化学...
  • 2篇化学气相
  • 2篇化学气相沉积
  • 2篇ZNO
  • 2篇MOCVD
  • 1篇射线衍射
  • 1篇退火
  • 1篇蓝宝
  • 1篇蓝宝石
  • 1篇缓冲层
  • 1篇SEM
  • 1篇XRD
  • 1篇X射线衍射
  • 1篇MOCVD生...
  • 1篇ZNO薄膜

机构

  • 4篇吉林大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 4篇闫小龙
  • 3篇刘大力
  • 3篇高忠民
  • 2篇石增良
  • 2篇董鑫
  • 2篇杜国同
  • 1篇张源涛
  • 1篇白石英
  • 1篇徐经纬

传媒

  • 3篇发光学报

年份

  • 1篇2008
  • 3篇2005
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
氧化锌薄膜材料的MOCVD生长及其特性研究
我们用自己设计的MOCVD 系统在蓝宝石和硅衬底上生长高质量的ZnO 薄膜,并对利用表面预处理和生长缓冲层的方法提高ZnO 薄膜质量作了详细的研究,获得了较好的结果。通过测量氧化锌薄膜XRD 谱,分析表面预处理对ZnO ...
闫小龙
关键词：MOCVD缓冲层
文献传递
低温缓冲层对氧化锌薄膜质量的影响被引量：4
2008年
利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法,在Si衬底上外延生长ZnO薄膜。为了改善氧化锌薄膜的质量,首先在Si衬底上生长低温ZnO缓冲层,然后再生长高质量的ZnO薄膜。通过XRD、SEM、光致发光(PL)光谱的实验研究,发现低温ZnO缓冲层可有效降低ZnO薄膜和Si衬底之间的晶格失配以及因热膨胀系数不同引起的晶格畸变。利用低温缓冲层生长的ZnO薄膜的(002)面衍射峰的强度要比直接在Si上生长的ZnO薄膜样品的高,并且衍射峰的半高宽也由0.21°减小到0.18°,同时有低温缓冲层的样品室温下的光致发光峰也有了明显的增高。这说明利用低温缓冲层生长的ZnO薄膜的结晶质量和光学性质都得到了明显改善。
石增良刘大力闫小龙高忠民徐经纬白石英
关键词：氧化锌薄膜MOCVDXRDSEM
退火对ZnO薄膜质量的影响被引量：2
2005年
用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)在蓝宝石(0001)衬底上制备了c轴取向的高质量的ZnO薄膜,通过在生长温度下氧气和氮气中退火处理的比较,研究了退火对ZnO薄膜结构和发光特性的影响。通过X射线衍射测量得知,经过氮气和氧气退火都可以使其002峰增强,且在氧退火中表现得尤为明显。光致发光测量发现氮气中退火的ZnO薄膜的紫外发光峰明显增强,而深能级发光峰明显减弱;而氧气中退火的ZnO薄膜的紫外发光峰略有减弱,而深能级峰显著增强。
董鑫刘大力闫小龙张源涛杜国同高忠民
关键词：蓝宝石氧化锌薄膜金属有机化学气相沉积X射线衍射退火
表面预处理对氧化锌薄膜质量的影响被引量：2
2005年
用MOCVD方法在c面蓝宝石衬底上生长ZnO薄膜。生长前衬底表面进行预处理,观察不同表面预处理对ZnO薄膜质量的影响。测量氧化锌的XRD谱,观察表面预处理后对氧化锌薄膜结晶质量的影响。室温下用325 nm的He-Cd激光器作为激发源测量ZnO薄膜的紫外发光谱,观察表面处理后对ZnO薄膜发光特性的影响。用HL5500 Hall System分别对ZnO薄膜的电学特性进行了测试。得到了ZnO薄膜的电阻率和霍尔迁移率,并得到氧气气氛处理后电阻率变小,霍尔迁移率变大;氮气气氛射频处理后电阻率变大,霍尔迁移率变小的结果。
闫小龙刘大力石增良董鑫高忠民杜国同
关键词：ZNO薄膜金属有机化学气相沉积
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