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银淑君

作品数：10 被引量：17H指数：3
供职机构：四川大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 4篇专利
  • 1篇科技成果

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇机械工程

主题

  • 4篇单晶
  • 4篇晶体
  • 4篇半导体
  • 3篇单晶体
  • 2篇牙槽
  • 2篇牙槽骨
  • 2篇致密
  • 2篇致密度
  • 2篇溶血
  • 2篇颌骨
  • 2篇羟基磷灰石
  • 2篇羟基磷灰石微...
  • 2篇立式炉
  • 2篇安瓿
  • 2篇半导体材料
  • 1篇单晶生长
  • 1篇碘化
  • 1篇粘度
  • 1篇蒸馏
  • 1篇闪烁晶体

机构

  • 9篇四川大学
  • 1篇四川联合大学

作者

  • 10篇银淑君
  • 9篇陈观雄
  • 8篇李正辉
  • 8篇朱世富
  • 8篇赵北君
  • 4篇李伟堂
  • 2篇韩斌
  • 1篇朱居木
  • 1篇傅师申
  • 1篇李奇峰

传媒

  • 3篇人工晶体学报
  • 1篇核技术
  • 1篇四川大学学报...

年份

  • 1篇2001
  • 2篇1997
  • 2篇1995
  • 1篇1994
  • 1篇1992
  • 1篇1991
  • 2篇1988
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
光电落球粘度计的研制被引量：6
1994年
光电落球粘度计的研制赵北君，朱世富，李正辉，银淑君（四川大学材料科学系）傅师申（成都科技大学纺织化学工程系）聚合物流体的粘度是聚合物材料研制和生产工艺过程中非常重要的宏观中间控制指标之一。聚合物浓溶液的粘度与聚合物的分子量、浓度、温度及受力状态密切相...
赵北君朱世富李正辉银淑君傅师申
关键词：高聚物粘度落球法
致密多晶羟基磷灰石微粒的制作方法
致密多晶羟基磷灰石微粒的制作方法，由化学合成羟基磷灰石，经陈化、清洗和抽滤后，将湿料挤注成细条，截成颗粒状，滚磨后进行烧结。本方法工序少，所需设备简单，易于操作，能制得形状规则的微粒，成本较低。产品为纯羟基磷灰石成分，单...
陈观雄银淑君
文献传递
硒镓银单晶体的制备方法
朱世富赵北君李正辉陈观雄银淑君
硒嫁银（AgCaSe2）单晶体是一种性能优异的红外非线性光学材料，属新材料领域。硒稼银晶体是一种三元化合物半导体材料，常温下呈深灰色，禁带宽度大（1.83eV），密度大（5.699g/cm3），红外透明范围宽（0.73-...
关键词：
关键词：半导体材料
碘化汞单晶体的制备方法
本发明提出了一种碘化汞单晶体制备方法，它将高纯碘化汞原料封入真空度为10<Sup>-5</Sup>Torr的玻璃生长安瓿，把安瓶瓿于立式炉中，使安瓿慢速转动，加热使原料在安瓿1/2高度处稳定配置，缓慢调节安瓿底部温度，逐...
陈观雄李正辉朱世富银淑君冉王俊韩斌赵北君
文献传递
致密多晶羟基磷灰石微粒的制作方法
致密多晶羟基磷灰石微粒的制作方法，由化学合成羟基磷灰石，经陈化、清洗和抽滤后，将湿料挤注成细条，截成颗粒状，滚磨后进行烧结。本方法工序少，所需设备简单，易于操作，能制得形状规则的微粒，成本较低。产品为纯羟基磷灰石成分，单...
陈观雄银淑君银淑君
文献传递
碘化汞半导体探测器的能量分辨率被引量：7
1995年
介绍了ＨｇＩ２晶体的生长方法及探测器制备技术；讨论了ＨｇＩ２半导体探测器的能量分辨率，测得ＨｇＩ２探测器在室温下对５５Ｆｅ５．９ｋｅＶ和２４１Ａｍ５９．５ｋｅＶ射线的能量分辨率（ＦＷＨＭ）分别为１．３ｋｅＶ和３．４ｋｅＶ。
李伟堂李正辉朱世富陈观雄银淑君赵北君
关键词：半导体探测器能量分辨率
碘化汞单晶体的生长习性研究被引量：1
1997年
碘化汞单晶体的生长习性研究李正辉李伟堂赵北君朱世富银淑君陈观雄（四川联合大学材料科学系，成都６１００６４）ＳｔｕｄｉｅｓｏｆＧｒｏｗｔｈＨａｂｉｔｓｏｆｔｈｅＨｇＩ２ＳｉｎｇｌｅＣｒｙｓｔａｌＬｉＺｈｅｎｇｈｕｉＬｉｗｅｉｔａｎｇＺｈａｏＢｅｉｊｕｎ...
李正辉李伟堂赵北君朱世富银淑君陈观雄
关键词：闪烁晶体晶体生长单晶体
硒镓银晶体加工工艺
1997年
硒镓银（ＡｇＧａＳｅ２）晶体是一种ⅠⅢⅥ２族三元化合物半导体，黄铜矿结构，４－２ｍ点群。它是一种性能优异的中远红外非线性光学材料，可透过０．７３～２１μｍ的红外光，非线性系数大（ｄ３６＝４３×１０－１２ｍ／Ｖ），具有适宜的双折射，对３～１８μｍ范围的二次谐波能实现相位匹配，还可进行三波混频和光参量振荡。用硒镓银晶体制作的倍频、混频和光参量振荡器件，能在３～１８μｍ红外范围内提供多种频率的光源，而且在相当宽范围内连续可调，这在激光和军事技术方面有广泛用途。本文简要介绍硒镓银晶体定向切割及倍频器件加工工艺。实验所用晶体为本实验室采用改进Ｂｒｉｄｇｍａｎ法生长出的ＡｇＧａＳｅ２晶体。在晶锭表面有一些取向一致的半开放性小孔，它们是由于ＡｇＧａＳｅ２晶体生长习性所导致的。用激光正反射法研究表明，这些小孔内部大都存在四个方向的显露面，用Ｘ射线衍射分析可进一步确定这些显露面属于｛１０１｝、｛１１２｝单形晶面族。硒镓银晶体光轴沿［００１］方向，即晶体ｃ轴方向。对于１０．６μｍＣＯ２基频光的第Ⅰ类相位匹配角θｍ为５７．５℃，此角即为以光轴为轴，基频光波矢为母线的正圆锥半顶角。因ＡｇＧａＳｅ２晶体［１０１］方向与ｃ轴夹角为６１?
赵北君朱世富朱居木李正辉李伟堂李奇峰银淑君陈观雄
关键词：非线性光学晶体晶体加工半导体
碘化汞单晶体的生长装置
本实用新型是一种制备碘化汞单晶体的装置，由安瓿、加热器和温度控制器组成，并用钟罩将安瓿和加热器罩在平台上构成一个立式炉。安瓿支承在一个转轴上，转轴由电动机带动，利用源与晶体之间一定的温差自发成核，并进行晶体生长，从而获得...
陈观雄朱世富李正辉银淑君冉玉俊韩斌赵北君
文献传递
碘化汞单晶生长原料的提纯被引量：4
1995年
本文报道了以升华－蒸馏法提纯碘化汞的结果。用纯化后的原料长出碘化汞单晶体，对晶体的性能进行了观测，表明采用这种方法所获得的原料适用于生长低位错密度的优质的碘化汞大单晶体，是一种行之有效的提纯方法。
李正辉朱世富赵北君李伟堂银淑君陈观雄
关键词：提纯蒸馏半导体材料单晶生长
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