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钟广明

作品数:10 被引量:17H指数:3
供职机构:重庆大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金重庆市自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
相关领域:电子电信理学动力工程及工程热物理更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 4篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇动力工程及工...
  • 1篇理学

主题

  • 5篇倒装焊
  • 5篇量子效率
  • 5篇LED芯片
  • 4篇多量子阱
  • 4篇衬底
  • 3篇导电薄膜
  • 3篇生长应力
  • 3篇GAN
  • 3篇表面积
  • 2篇有限元
  • 2篇蓝宝
  • 2篇蓝宝石
  • 2篇发光
  • 1篇电极
  • 1篇电极结构
  • 1篇电流
  • 1篇电流分布
  • 1篇电阻
  • 1篇有限元分析
  • 1篇有限元数值模...

机构

  • 10篇重庆大学

作者

  • 10篇钟广明
  • 9篇杜晓晴
  • 5篇陈伟民
  • 4篇田健
  • 3篇刘显明
  • 1篇王晓兰
  • 1篇唐杰灵
  • 1篇李小涛
  • 1篇雷小华

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇光学技术
  • 1篇发光学报
  • 1篇光电子技术
  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 1篇2013
  • 3篇2012
  • 6篇2011
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
提高GaN基倒装焊LED芯片外量子效率的方法研究
LED以其节能、环保的优点广泛应用在信息显示、通信和照明等领域。目前LED芯片的主要外延材料是GaN基化合物,GaN具有大的禁带宽度、较高的热导率和电子空穴辐射复合效率;GaN和InN、A1N按不同组分混合可以改变材料的...
钟广明
关键词:发光二极管外量子效率电极结构LED芯片
文献传递
GaN基倒装焊LED芯片的热学特性模拟与分析被引量:2
2012年
采用有限元方法建立了GaN基倒装LED芯片的三维热学模型,并对其温度分布进行模拟,比较了在不同凸点(焊点)分布、不同粘结层材料与厚度、不同蓝宝石衬底厚度及蓝宝石图形化下的倒装芯片温度分布,研究了粘结层空洞对倒装芯片热学特性的影响,并根据芯片传热模型对模拟结果进行了分析。
董向坤杜晓晴钟广明唐杰灵陈伟民
关键词:有限元数值模拟
一种倒装焊LED芯片结构及其制作方法
一种倒装焊LED芯片结构及其制备方法,所述LED芯片包括以蓝宝石为衬底的外延层和以SiO<Sub>2</Sub>/Si为衬底的电极层;蓝宝石衬底的正面刻蚀有周期性结构的孔,背面刻蚀有随机图案;刻蚀有孔的蓝宝石衬底上依次生...
杜晓晴钟广明田健李小涛唐杰灵
文献传递
基于双面凹孔衬底及组分渐变缓冲层的倒装LED芯片
本发明公开了一种基于双面凹孔衬底及组分渐变缓冲层的倒装LED芯片,该芯片自上而下由上下表面均匀分布10<Sup>2</Sup>~10<Sup>4</Sup>个凹孔的蓝宝石衬底、由k个非掺杂Al<Sub>x</Sub>Ga...
杜晓晴钟广明陈伟民刘显明
文献传递
透射式GaN光电阴极在正面光照和背面光照下的量子效率特性研究被引量:3
2011年
研究了透射式GaN光电阴极在正面光照和背面光照两种工作模式下的光电发射特性差异及影响因素,并推导了这两种工作模式下的量子效率理论公式,利用所推导的公式对实验获得的GaN光电阴极量子效率曲线进行了分析。研究结果表明,两种工作模式下光电子的表面逸出几率与光子能量具有不同的依赖关系,背面光照下,光电子将以一个一致的表面逸出几率从表面发射出去,并且短波响应会受到缓冲层及界面特性的影响,总体光电发射效率依赖于阴极表面势垒所决定的平均电子逸出几率。利用所推导的量子效率公式对实验曲线进行拟合,可实现多个阴极参量的评估,这为透射式GaN阴极材料与制备工艺水平的分析提供了重要依据。
杜晓晴钟广明田健
关键词:紫外探测
基于不同衬底材料高出光效率LED芯片研究进展被引量:1
2011年
提高LED芯片的出光效率是解决LED光源大功率化和可靠性的根本。根据LED芯片所用衬底材料的不同,总结了近年来提高GaN基LED出光效率的研究进展,介绍了新的设计思路、工艺结构与制备方法。并从材料结构和衬底选取方面,对LED芯片未来的发展趋势进行了展望。
杜晓晴钟广明董向坤田健王晓兰
关键词:发光学
基于双面凹孔衬底及组分渐变缓冲层的倒装LED芯片
本发明公开了一种基于双面凹孔衬底及组分渐变缓冲层的倒装LED芯片,该芯片自上而下由上下表面均匀分布10<Sup>2</Sup>~10<Sup>4</Sup>个凹孔的蓝宝石衬底、由k个非掺杂Al<Sub>x</Sub>Ga...
杜晓晴钟广明陈伟民刘显明
文献传递
GaN基倒装焊LED芯片的光提取效率模拟与分析被引量:9
2011年
采用蒙特卡罗光线追踪方法,模拟GaN基倒装LED芯片的光提取效率,比较了蓝宝石衬底剥离前后、蓝宝石单面粗化和双面粗化、有无缓冲层下LED光提取效率的变化,并对粗化微元结构和尺寸作了进一步选取与优化。研究结果表明:采用较厚的蓝宝石衬底和引入AlN缓冲层均有利于LED光提取效率的提高;蓝宝石衬底双面粗化对提高光提取效率的效果要明显好于单面粗化;表面粗化的结构和尺寸对光提取效率有较大影响,当微元特征尺寸与微元间距相当时,光提取效率较高。
钟广明杜晓晴田健
关键词:光提取效率光线追踪ALN缓冲层
基于双面凹孔衬底及组分渐变缓冲层的LED芯片
本实用新型公开了一种基于双面凹孔衬底及组分渐变缓冲层的LED芯片,该芯片自上而下由上下表面均匀分布10<Sup>2</Sup>~10<Sup>4</Sup>个凹孔的蓝宝石衬底、由k个非掺杂Al<Sub>x</Sub>Ga...
杜晓晴钟广明陈伟民刘显明
文献传递
影响倒装焊LED芯片电流分布均匀性的因素分析被引量:3
2012年
为研究影响倒装LED芯片电流密度均匀分布的因素,建立了芯片的三维有限元电学模型,采用COMSOL有限元仿真方法,分析了芯片尺寸、电极结构、电流注入点对倒装LED芯片电流分布均匀性的影响,并对相关机理进行了探讨.研究结果表明,芯片尺寸的增加扩展了电流的横向传输路径与横向电阻,使LED芯片电流分布的不均匀性呈指数型恶化;叉指式电极结构可有效缩短电流传输途径,增加叉指电极数目有利于电流均匀性的提高;通过在块状电极上合理设计电流注入点可缩短电流传输路径,显著提高电流的均匀性.
钟广明杜晓晴唐杰灵董向坤雷小华陈伟民
关键词:有限元分析电流分布横向电阻
共1页<1>
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