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许军

作品数:28 被引量:2H指数:1
供职机构:复旦大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信经济管理更多>>

文献类型

  • 25篇专利
  • 2篇学位论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇经济管理
  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 7篇取向层
  • 6篇柔性基板
  • 6篇基板
  • 6篇成膜
  • 5篇液晶
  • 5篇有机场效应管
  • 5篇载流子
  • 5篇载流子迁移率
  • 5篇迁移率
  • 5篇膜厚
  • 5篇膜厚均匀性
  • 5篇均匀性
  • 5篇分子
  • 5篇场效应
  • 5篇场效应管
  • 4篇电池
  • 4篇喷墨
  • 4篇喷墨打印
  • 4篇分子排列
  • 3篇胆甾

机构

  • 28篇复旦大学
  • 3篇琳得科株式会...

作者

  • 28篇许军
  • 7篇黄维
  • 6篇李岩川
  • 4篇汤昊
  • 3篇颜竹君
  • 3篇张天翼
  • 2篇白春礼
  • 2篇骆小军
  • 2篇邢贵川
  • 2篇蔡林君
  • 2篇钟高余
  • 2篇李笑然
  • 2篇钱东金
  • 2篇富春
  • 1篇常翔宇
  • 1篇丁士进
  • 1篇张卫
  • 1篇黄宇健

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2015
  • 11篇2013
  • 4篇2009
  • 3篇2008
  • 1篇2007
  • 4篇2006
  • 4篇2005
28 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
以单分子层作为取向传递层的有机场效应管及其制备方法
本发明提供了一种有机场效应管(OFET)器件及其制备方法。它包括一种可以用来传递取向效果的取向传递层,该种取向传递层作为绝缘层,从而提高有机场效应管载流子迁移率。该绝缘层由硅烷偶联剂对表面进行处理形成的单分子膜,其可以将...
黄维张天翼许军钱东金白春礼
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一种柔性显示面板的生产制样方法
本发明属于信息显示技术领域,具体为一种柔性显示面板的生产制样方法。本发明方法包括:使用粘结的方法将柔性基板与载体基板贴合,对所述贴合的复合基板进行裁切,采用柔性和刚性复合衬垫进行一次裁切,再使用定角装置对边缘进行二次裁切...
许军董佳垚加藤挥一郎罗永春
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一种用于溶液成膜过程的超声辅助干燥方法及其装置
本发明属溶液成膜技术领域,具体为一种用于溶液成膜过程的新型干燥成膜方法及装置,适用于各种溶液成膜的干燥成膜过程,包括喷墨打印技术、丝网印刷技术、旋涂技术等。该方法将超声处理技术引入干燥成膜过程,以提高有机聚合物液滴成膜中...
许军李岩川
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一种用于溶液成膜过程的超声辅助干燥方法及其装置
本发明属溶液成膜技术领域,具体为一种用于溶液成膜过程的新型干燥成膜方法及装置,适用于各种溶液成膜的干燥成膜过程,包括喷墨打印技术、丝网印刷技术、旋涂技术等。该方法将超声处理技术引入干燥成膜过程,以提高有机聚合物液滴成膜中...
许军李岩川
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原子层淀积高k介质MIM电容性能研究
金属-绝缘体-金属(MIM)电容在射频(RF)集成电路中具有广泛的应用,并且随着RF集成电路的高速发展,对MIM电容的电容密度也提出了更高的要求,传统SiO2和Si3N4绝缘介质MIM电容已面临严峻的挑战。为了应付这种挑...
许军
关键词:原子层淀积电压系数
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一种柔性反射式胆甾相液晶显示器及其制备方法
本发明属于一种柔性显示器技术领域,具体为一种柔性反射式胆甾相液晶显示器及其制备方法。本发明方法包括:确定控制胆甾相液晶螺距形成目标红色、目标绿色、目标蓝色波长的条件;第一层在柔性基板上涂导电层,第二层形成反射红色液晶、反...
许军张东
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一种柔性显示用胶囊化液晶薄膜及其制备方法
本发明属于柔性液晶技术领域,具体为一种柔性显示用胶囊化液晶薄膜及其制备方法。本发明的制备步骤为:将液晶、聚合物单体、光引发剂及交联剂均匀混合,将混合物加热到清亮点,再灌入塑料液晶盒中;在塑料液晶盒上方放置光掩模板,紫外光...
颜竹君蔡林君许军骆小军
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一种柔性反射式胆甾相液晶显示器及其制备方法
本发明属于一种柔性显示器技术领域,具体为一种柔性反射式胆甾相液晶显示器及其制备方法。本发明方法包括:确定控制胆甾相液晶螺距形成目标红色、目标绿色、目标蓝色波长的条件;第一层在柔性基板上涂导电层,第二层形成反射红色液晶、反...
许军张东
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Ta和TaN底电极对原子层淀积HfO2介质MIM电性能的影响被引量:1
2009年
以Ta,TaN为衬底,采用原子层淀积方法制备高介电常数HfO2介质,比较研究了不同衬底电极对金属-绝缘体-金属(MIM)电容的性能影响.结果表明,采用TaN底电极能够获得较高的电容密度和较小的电容电压系数(VCC),在1MHz下的其电容密度为7.47fF/μm2,VCC为356ppm/V2和493ppm/V,这归因于TaN底电极与HfO2介质之间良好的界面特性.两种电容在3V时漏电流为5×10-8A/cm2左右,基于TaN底电极的MIM电容表现出具有较高的击穿强度,其在室温下的导电机理为肖特基发射.
许军黄宇健丁士进张卫
关键词:HFO2薄膜电极
一种有机场效应管取向层及其制备方法和应用
本发明提供一种用于有机场效应管的取向层,一种用来形成该种取向层的方法和一种使用该取向层作为绝缘层,从而提高有机场效应管(OFET)载流子迁移率的新型器件方法。该取向层由聚酰亚胺(PI)类聚合物制成,并经过光取向处理。根据...
许军李岩川黄维
文献传递
共3页<123>
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