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胡博: 作品数：14 被引量：14H指数：3; 供职机构：南京理工大学化工学院更多>>; 发文基金：国家自然科学基金南京市科技发展计划项目江苏省自然科学基金更多>>; 相关领域：电气工程兵器科学与技术化学工程理学更多>>

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用于爆炸箔起爆器的肖特基结平面爆炸开关及其制备方法: 本发明公开了一种用于爆炸箔起爆器的肖特基结平面爆炸开关及其制备方法，所述开关包括硅基衬底、硅基衬底上的SiO2绝缘层、金属铜层和肖特基结桥区层；本发明与现有技术相比其显著优点：（1）开关尺寸小，制作...; 朱朋胡博沈瑞琪叶迎华付帅李东乐梁振华; 文献传递

一种肖特基单触发开关集成EFI芯片单元及爆炸箔起爆装置: 本发明公开了一种肖特基单触发开关集成EFI芯片单元及爆炸箔起爆装置。所述肖特基单触发开关集成EFI芯片单元包括：Si3N4的硅基底、金属Ti/Cu层、聚酰亚胺层、上电极Ti/W/Ti/Cu/Au和肖特基二级管，所述爆炸箔...; 朱朋沈瑞琪叶迎华胡博吴立志胡艳; 文献传递

封装材料对单触发开关的性能影响研究被引量：1: 2016年; 针对单触发开关高导通电流和高导通速率的要求,本文在制备肖特基二极管(SBD)单触发开关的基础上,采用环氧类树脂胶、有机硅胶以及端羟基聚丁二烯(HTPB)橡胶3种不同类型的材料封装单触发开关,分析比较其对开关峰值电流、延迟时间和上升时间的影响。试验结果表明,对于3种封装材料,单触发开关的峰值电流大小的顺序为:AB胶>HTPB橡胶>704胶;同时,AB胶封装的开关延迟时间最短,分析原因是其能够约束住肖特基二极管电爆炸产生的电弧。封装材料对开关的上升时间没有显著影响。; 胡博朱朋沈瑞琪叶迎华吴立志胡艳; 关键词：封装材料开关性能爆炸箔起爆器

一种肖特基结电爆换能元及其制备方法: 本发明公开了一种肖特基结电爆换能元，所述电爆换能元包括：硅基衬底、SiO2绝缘层、金属铝层、肖特基结桥区层；本发明与现有技术相比，其显著优点在于每一个肖特基结都有一定的击穿电压，通过控制肖特基结的数...; 朱朋胡博沈瑞琪叶迎华付帅李东乐梁振华; 文献传递

一种肖特基结电爆换能元及其制备方法: 本发明公开了一种肖特基结电爆换能元，所述电爆换能元包括：硅基衬底、SiO2绝缘层、金属铝层、肖特基结桥区层；本发明与现有技术相比，其显著优点在于每一个肖特基结都有一定的击穿电压，通过控制肖特基结的数...; 朱朋胡博沈瑞琪叶迎华付帅李东乐梁振华; 文献传递

基于Parylene C的单触发开关性能实验研究被引量：3: 2015年; 为了研制具有高导通电流和高导通速率能力的单触发开关,利用微加工技术制备了基于Parylene C的三明治结构单触发开关。在主回路充电电压1.0~1.6kV的范围内,分析了开关触发回路电流、电压特性,导通峰值电流、上升时间、开关延迟时间,并且对单触发开关的电感、电阻做了估算。结果表明,基于Parylene C的单触发开关性能优于基于聚酰亚胺的单触发开关;随着开关加载电压的升高,开关导通的峰值电流呈现不断增大的趋势,但是上升时间几乎不变,其延迟时间分布在1~200μs之间,呈随机性分布,开关电阻随其作用时间增加不断增大。; 胡博李杰朱朋沈瑞琪叶迎华吴立志; 关键词：爆炸箔起爆器微电子机械系统

EFI芯片单元及其制备方法、以及基于该芯片单元的爆炸箔起爆装置: 本发明公开了一种EFI芯片单元及其制备方法、以及基于该芯片单元的爆炸箔起爆装置。所述EFI芯片单元包括：陶瓷基底、金属Ti/Cu层、Parylene C层、上电极Ti/W/Ti/Cu/Au、肖特基二级管和Su8加速膛，所...; 朱朋胡博沈瑞琪叶迎华吴立志胡艳; 文献传递

适用于爆炸箔起爆器的电爆炸等离子体开关技术研究: 脉冲功率开关是爆炸箔起爆系统（Exploding Foil Initiator System,EFIS）中的关键器件，高导通电流、高开关速率和低电感、低导通电阻的开关技术是目前迫切需要解决的技术。传统的阴极真空开关虽然能...; 胡博; 关键词：爆炸箔起爆器电气性能

气相法沉积PTFE薄膜及其疏水性被引量：2: 2014年; 分别以载玻片、陶瓷片、镀铝聚酯膜、普通白纸和Cu片为基底,聚四氟乙烯(PTFE)粉末为原料,采用电子束蒸发法沉积聚合物薄膜。对于基底载玻片和陶瓷片,采用2%H2SO4溶液刻蚀预处理后在其上沉积厚度为125nm的聚合物薄膜;Cu片用不同浓度草酸刻蚀预处理后在其上沉积厚度为62 nm的聚合物薄膜;而基底镀铝聚酯膜和白纸,直接在其上沉积不同厚度的PTFE薄膜。通过傅里叶变换红外光谱仪(FT-IR)、原子力显微镜(AFM)、接触角测量仪分别对薄膜的成分、表面形貌和疏水性进行表征。结果表明:经刻蚀处理后,基底表面粗糙度皆增大。载玻片由亲水性转变为疏水性,陶瓷片无明显变化,Cu片显示良好的疏水性;沉积薄膜后,载玻片表面接触角增大到138°,而陶瓷片接触角可以达到142°;在粗糙度较大的白纸表面沉积不同厚度的PTFE薄膜,膜厚对接触角具有显著影响,当膜厚为225 nm时,接触角达到151°,滞后角为8°;经0.5%草酸刻蚀的Cu片表面膜的接触角达到153°,滚动角为2°,具有良好的超疏水性。; 方丹江晓红ROGACHEV A A胡博徐新沈瑞琪陆路德; 关键词：电子束蒸发表面能接触角超疏水性

微型平面复合薄膜电爆炸开关的设计和研究(英文)被引量：3: 2015年; 开关技术是影响爆炸箔起爆系统可靠作用、微型化、低能化、集成化的关键技术。电爆炸平面开关是利用强脉冲电流使触发极金属桥箔发生电爆炸,产生高温高压等离子体,使爆炸桥区两侧的电极导通。基于微加工技术,采用Al/CuO复合薄膜材料作为触发电极,设计制造了微型平面复合薄膜电爆炸开关。采用扫描电子显微镜、差示扫描量热法和光谱谱线测温研究了触发极Al/CuO复合薄膜的形貌、反应性和电爆炸等离子体温度,通过放电电流测试研究了开关性能。结果表明,在主回路电压2000V时,开关输出电流峰值约为1938A,上升时间390ns,性能优于仅以铜薄膜为触发电极的电爆炸平面开关。; 胡博朱朋沈瑞琪叶迎华吴立志胡艳; 关键词：爆炸箔起爆器