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罗尹虹

作品数：151 被引量：196H指数：8
供职机构：西北核技术研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家科技重大专项国防科技技术预先研究基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术核科学技术理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 80篇期刊文章
  • 56篇专利
  • 14篇会议论文

领域

  • 64篇电子电信
  • 18篇自动化与计算...
  • 12篇核科学技术
  • 10篇理学
  • 6篇文化科学
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  • 1篇天文地球
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 79篇单粒子
  • 46篇单粒子效应
  • 28篇总剂量
  • 27篇单粒子翻转
  • 22篇总剂量效应
  • 20篇电路
  • 19篇重离子
  • 18篇存储器
  • 16篇CMOS器件
  • 13篇测试系统
  • 10篇辐照
  • 10篇MOS器件
  • 9篇质子
  • 9篇随机存储器
  • 9篇剂量率
  • 9篇SRAM
  • 8篇电离辐射
  • 8篇静态随机存储...
  • 8篇核反应
  • 7篇瞬态

机构

  • 148篇西北核技术研...
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  • 4篇中国科学技术...
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  • 3篇中国科学院新...
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  • 2篇中国航天
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  • 1篇中国工程物理...
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  • 1篇西安高技术研...
  • 1篇中国航天科技...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 150篇罗尹虹
  • 100篇张凤祁
  • 94篇郭红霞
  • 59篇丁李利
  • 58篇赵雯
  • 52篇陈伟
  • 45篇姚志斌
  • 43篇郭晓强
  • 39篇何宝平
  • 31篇张科营
  • 28篇王园明
  • 21篇王忠明
  • 17篇王燕萍
  • 15篇龚建成
  • 13篇肖尧
  • 12篇张正选
  • 12篇姜景和
  • 10篇王桂珍
  • 9篇周辉
  • 7篇王祖军

传媒

  • 14篇物理学报
  • 14篇原子能科学技...
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  • 10篇现代应用物理
  • 8篇核技术
  • 5篇强激光与粒子...
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年份

  • 2篇2024
  • 7篇2023
  • 6篇2022
  • 10篇2021
  • 4篇2020
  • 10篇2019
  • 13篇2018
  • 10篇2017
  • 6篇2016
  • 8篇2015
  • 7篇2014
  • 10篇2013
  • 1篇2012
  • 6篇2011
  • 10篇2010
  • 4篇2009
  • 2篇2008
  • 1篇2007
  • 8篇2006
  • 6篇2005
共 151 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
GaN HEMT器件中子辐照效应实验研究被引量：4
2011年
建立了GaN HEMT器件(氮化镓高电子迁移率晶体管)中子原位测试技术和辐照效应实验方法,开展了GaN HEMT器件脉冲反应堆中子辐照效应实验研究,重点研究了电离辐射和位移损伤对器件性能退化的影响,获取了GaN HEMT中子位移损伤效应敏感参数和效应规律。结果表明,阈值电压、栅极泄漏电流以及漏极电流是中子辐照损伤的敏感参数,讨论了器件性能退化的各种辐射损伤机制。
王燕萍罗尹虹张科营王园明
关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管中子辐照
低概率条件下大气中子单粒子效应截面测量方法
为解决低概率条件下，传统的测量系统辐照试验耗时较长的技术问题，本发明提供了一种低概率条件下大气中子单粒子效应截面测量系统和方法。其中，测量系统包括辐照板、测试板和计算机；辐照板有m个，m≥1；第i个辐照板上集成有n<Su...
王勋郭晓强张凤祁陈伟丁李利罗尹虹
一种存储器单粒子翻转效应的检测系统及方法
本发明涉及一种存储器单粒子翻转效应的检测系统及方法，在回读存储节点逻辑状态的过程中，采用两次或两次以上的回读验证方法，通过前后两次回读数据的比较，判断存储节点状态是否处于受干扰状态，如果是，则再次回读，直到存储状态稳定或...
郭晓强张凤祁陈伟郭红霞罗尹虹赵雯丁李利肖尧
SDRAM辐射效应测试系统研制及实验研究
2013年
在分析SDRAM器件辐射失效现象的基础上,研制了具备读写功能测试、刷新周期测试及功耗电流测试三种功能的SDRAM辐射效应在线测试系统,并开展了SDRAM的总剂量效应实验研究.结果表明,总剂量效应会导致SDRAM器件的数据保持时间不断减小,功耗电流不断增大以及读写功能失效.实验样品MT48LC8M32B2的功能失效主要由外围控制电路造成,而非存储单元翻转.数据保持时间虽然随着辐照剂量的累积不断减小,但不是造成该器件功能失效的直接原因.
姚志斌罗尹虹陈伟何宝平张凤祁郭红霞
关键词：SDRAM测试系统总剂量效应单粒子效应
铁电存储器激光微束单粒子效应试验研究被引量：1
2017年
利用脉冲激光微束单粒子效应(SEE)模拟装置,研究了铁电存储器(FRAM)工作频率对其单粒子翻转(SEU)的影响。研究结果表明,随工作频率的降低,被测器件SEU截面显著增大,且翻转是由外围电路引发的。被测芯片1→0翻转截面明显大于0→1翻转截面。对FRAM工作时序及不同芯片使能信号(CE)占空比下SEU截面的分析表明,频率降低导致的CE有效时间延长与SEU截面的增大有直接关系。本文同时开展了FRAM不同功能模块的单粒子锁定(SEL)敏感性试验,获得了相应的SEL阈值能量和饱和截面,并研究了静态和动态工作模式下由SEL引发的数据翻转情况,发现动态模式下被测器件更易受SEL影响而发生翻转。
魏佳男郭红霞张凤祁罗尹虹潘霄宇丁李利赵雯刘玉辉
关键词：铁电存储器单粒子效应激光微束
一种区分纳米MOSFET器件单粒子瞬态不同电荷收集机制的方法
本发明涉及一种区分纳米MOSFET器件单粒子瞬态不同电荷收集机制的方法。克服传统电荷收集机制研究方法计算精度较低、无法区分源漏导通和双极放大机制以及无法给出不同电荷收集机制的物理过程的问题。包括器件单粒子瞬态仿真、分析单...
卢超陈伟罗尹虹丁李利张凤祁薛院院
考虑辐照偏置电压动态变化的CMOS电路总剂量效应仿真方法
本发明涉及一种考虑辐照偏置电压动态变化的CMOS电路总剂量效应仿真方法，包括单管损伤模型建立的步骤、对待研究CMOS电路执行瞬态仿真，描述不同辐照偏置电压对氧化层中空穴产额的影响，并建立辐照偏置电压与测试用辐照电压之间的...
丁李利郭红霞陈伟姚志斌郭晓强罗尹虹张凤祁赵雯
文献传递
累积剂量影响静态随机存储器单粒子效应敏感性研究被引量：2
2014年
本文利用60Coγ源和兰州重离子加速器,开展不同累积剂量下,静态随机存储器(static random access memory,SRAM)单粒子效应敏感性研究,获取不同累积剂量下SRAM器件单粒子效应敏感性的变化趋势,分析其辐照损伤机理.研究表明,随着累积剂量的增加,SRAM器件漏电流增大,影响存储单元低电平保持电压、高电平下降时间等参数,导致"反印记效应".研究结果为空间辐射环境中宇航器件的可靠性分析提供技术支持.
肖尧郭红霞张凤祁赵雯王燕萍丁李利范雪罗尹虹张科营
关键词：单粒子效应静态随机存储器
NMOSFET器件不同源、不同γ剂量率辐射损伤比较被引量：1
2002年
利用不同剂量率γ射线、低能 (小于 9MeV)质子和 1MeV电子对CC40 0 7RH、CC40 11、LC5 4HC0 4RHNMOS FET进行了辐照实验 ,结果表明 ,在 +5V偏置条件下 ,9MeV以下质子造成的损伤总是小于60 Co,而且质子能量越低 ,损伤越小 ;对于同等的吸收剂量 ,1MeV电子和60 Co造成的损伤差别不大 ;在高剂量率γ射线辐射下 ,氧化物陷阱电荷是导致器件失效的主要原因 ,在接近空间低剂量率辐射环境下 ,LC5 4HC0 4RH电路失效的主要原因是辐射感生界面态陷阱电荷 ,而CC40 0 7RH器件则是氧化物陷阱电荷 .
何宝平王桂珍周辉罗尹虹姜景和
关键词：Γ射线质子剂量率
核与空间辐射效应模拟试验技术研究
2023年
在天然与人为辐射环境中,辐射可能在电子器件中引发瞬时电离、单粒子、位移损伤、总剂量等多种辐射效应,导致器件性能退化、功能异常、故障甚至损毁,是制约电子器件及所属系统长期、稳定、可靠工作的关键.核与空间辐射效应模拟试验技术是抗辐射加固的基础,可用于研究辐射效应机理、检验抗辐射加固方法有效性,是提升电子器件和系统抗辐射能力不可或缺的重要手段.本文从瞬时电离辐射效应模拟试验技术、空间单粒子效应模拟试验技术、位移损伤效应模拟试验技术、总剂量效应模拟试验技术四个方面出发,梳理了辐射效应研究和模拟试验装置现状,结合微电子工艺的发展趋势,分析提炼需要重点关注的科学问题与技术问题,为抗辐射加固技术创新发展提供参考.
陈伟陈伟马武英罗尹虹丁李利马武英刘岩王晨辉姚崇斌丁李利郭晓强王祖军吴伟
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