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程文娟

作品数:6 被引量:36H指数:4
供职机构:清华大学更多>>
相关领域:理学电子电信化学工程更多>>

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 6篇理学
  • 2篇电子电信
  • 1篇化学工程

主题

  • 5篇等离子体化学...
  • 5篇微波等离子体
  • 5篇微波等离子体...
  • 5篇化学气相
  • 5篇化学气相沉积
  • 4篇衬底
  • 2篇金刚石膜
  • 2篇MPCVD
  • 2篇衬底温度
  • 1篇衍射
  • 1篇氧化锌晶体
  • 1篇三元化合物
  • 1篇水热
  • 1篇水热法
  • 1篇水热条件
  • 1篇碳氮
  • 1篇铜网
  • 1篇氰化
  • 1篇热法
  • 1篇微波水热法

机构

  • 6篇清华大学
  • 1篇北京理工大学

作者

  • 6篇朱鹤孙
  • 6篇江锦春
  • 6篇程文娟
  • 6篇张阳
  • 4篇沈德忠
  • 2篇常开朋

传媒

  • 6篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2005
  • 3篇2004
  • 2篇2003
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
微波等离子体化学气相沉积制备碳氮晶体薄膜被引量:4
2004年
利用微波等离子体化学气相沉积系统 ,以甲烷、氮气和氢气作为气源 ,在Si( 1 0 0 )衬底上成功地制备出了碳氮晶体薄膜 ,并对两种衬底温度下的薄膜性质进行了比较。用高分辨率场发射扫描电子显微镜观察薄膜 ,可以看出晶型完整 ,结构致密 ,结晶质量较好。X射线能谱证明了碳氮是以C─N和CN共价键的形式存在 ,氮碳元素的原子比均为 1 .3。X射线衍射确定出在衬底温度为 90 0± 1 0℃时薄膜样品的主要晶相成份是α C3N4,β C3N4,赝立方C3N4,立方C3N4和一个未知相 (面间距d =0 .4 0 0 2nm) ,而在 95 0± 1 0℃时薄膜样品的主要晶相成份是α C3N4,β C3N4,赝立方C3N4,类石墨C3N4和一个未知相 (面间距d =0 .3 984nm)。喇曼光谱分析也证实了薄膜中主要存在α C3N4,β
江锦春程文娟张阳朱鹤孙沈德忠
关键词:晶体薄膜衬底温度微波等离子体化学气相沉积喇曼光谱晶相
高质量金刚石膜在无氧铜衬底上的MPCVD被引量:6
2003年
本文采用高纯无氧铜 (Cu)片作为基片 ,用自行设计的微波等离子体化学气相沉积系统 ,制备出了高质量多晶金刚石膜。用场发射扫描电子显微镜 (SEM)、Raman散射谱和X射线衍射谱 (XRD)对制备的金刚石膜进行了表征与分析 ,其结果证明金刚石膜具有较优的质量。
常开朋程文娟江锦春张阳朱鹤孙沈德忠
关键词:金刚石膜无氧铜衬底MPCVD微波等离子体化学气相沉积
金刚石膜在Si(100)衬底上的选择沉积被引量:2
2003年
采用自行设计的微波等离子体化学气相沉积系统,利用铜网作为模板实现了在sj(100)衬底上金刚石膜的选择沉积。用场发射扫描电子显微镜(SEM)、Raman散射谱对样品进行了表征与分析。并与同样生长条件下未采用模板时得到的金刚石样品进行了比较。结果发现,采用模板后,金刚石膜的成核密度和质量都得到很大提高。
常开朋程文娟江锦春张阳朱鹤孙沈德忠
关键词:金刚石膜SI(100)硅衬底微波等离子体化学气相沉积铜网
SiCN薄膜在Si衬底上的沉积被引量:2
2004年
本文采用微波等离子体化学气相沉积 (MPCVD)系统 ,在单晶Si衬底上制备出了SiCN薄膜。所采用的源气体为高纯CH4和N2 ,而Si源来自于Si衬底、SiH4和Si棒。用场发射扫描电镜 (SEM)、X射线光电子能谱 (XPS)和X射线衍射谱 (XRD)对样品进行了表征与分析。结果表明 ,外加Si源、高的衬底温度、高流量N2 有助于提高样品的成膜质量。
程文娟张阳江锦春朱鹤孙
关键词:SI衬底衬底温度X射线衍射谱三元化合物MPCVD微波等离子体化学气相沉积
微波水热条件对氧化锌晶体的形态和粒度的影响被引量:19
2005年
利用微波水热法,以氢氧化锌为前驱物,在反应温度不小于100℃的情况下,成功地制备出氧化锌微晶.研究了水热条件对氧化锌微晶的晶粒大小和形貌的影响.在水热环境下,当反应温度一达到100℃,氧化锌微粒就能快速形成和生长.反应温度在100℃时,延长反应时间(~4h)氧化锌微晶的形貌和晶粒大小均没有受到大的影响;然而,升高反应温度氧化锌微晶的晶粒大小会略微地减小.另一方面,当反应前溶液中的pH值从9增大到12时,氧化锌微晶的形态从不规则的片状颗粒改变到长柱状晶粒.另外,随着溶液中pH值的增加,氧化锌微晶的结晶性变好、粒度变大.合理地解释了反应温度、溶液中的pH值对制得的氧化锌微晶的形态、晶粒粒度的影响.
江锦春程文娟张阳朱鹤孙沈德忠
关键词:微波水热法粒度PH值晶体
微波等离子体化学气相沉积制备SiCN结晶膜及SiCN微米棒阵列(英文)被引量:5
2004年
本文采用微波等离子体化学气相沉积 (MPCVD)系统 ,以CH4,H2 ,N2 作为源气体 ,以Si棒作为Si源 ,在Si衬底上制备出了SiCN结晶及SiCN微米棒阵列。样品的形貌由场发射扫描电子显微镜 (SEM)表征分析。用X射线光电子谱 (XPS)、Raman散射谱及X射线衍射 (XRD)对样品的键合状态及结构进行表征 ,结果表明 ,所得到的SiCN薄膜是一具有新的六方结构的三元化合物。
程文娟张阳江锦春朱鹤孙
关键词:微波等离子体化学气相沉积CH4H2N2
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