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程士东

作品数：8 被引量：8H指数：1
供职机构：浙江大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 5篇功率模块
  • 3篇电感
  • 3篇散热
  • 3篇寄生电感
  • 2篇电气
  • 2篇电气连接
  • 2篇散热结构
  • 2篇陶瓷层
  • 2篇冷却液
  • 2篇母排
  • 2篇绝缘
  • 2篇绝缘材料
  • 2篇功率
  • 2篇IGBT
  • 1篇电路
  • 1篇电路结构
  • 1篇元件
  • 1篇散热性
  • 1篇散热性能
  • 1篇双极型

机构

  • 8篇浙江大学

作者

  • 8篇程士东
  • 7篇郭清
  • 7篇盛况
  • 5篇汪涛
  • 5篇谷彤
  • 3篇翟超
  • 2篇谢刚
  • 1篇张军明
  • 1篇周伟成

传媒

  • 1篇机电工程

年份

  • 1篇2015
  • 3篇2014
  • 1篇2013
  • 3篇2012
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
母排型功率模块支架
本发明提供一种新型自带母排型功率模块支架。母排型功率模块支架包括第一架臂及第二架臂，第一架臂包括第一金属板及第一支脚，第二架臂包括第二金属板及第二支脚，第一支脚与第二支脚对应在第一架臂与第二架臂的位置相互错开，第一金属板...
程士东盛况汪涛郭清谢刚
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带有散热结构的功率模块DBC板
本发明的目的是提供一种带有散热结构的功率模块DBC板，由上之下依次为DBC上铜层、DBC陶瓷层和DBC下铜层，其特征在于：在原有DBC陶瓷层的基础上，根据DBC上铜层的分布，在DBC上铜层周围的陶瓷区域附加DBC板散热结...
郭清谷彤汪涛盛况翟超程士东
文献传递
一种低寄生电感IGBT半桥模块被引量：7
2014年
针对绝缘栅双极型晶体管(IGBT)半桥模块的寄生电感在实际应用中会引起芯片过电压及较大的关断损耗、电磁干扰等问题,设计了一种采用新型芯片布局方式的模块结构。设计中考虑了半桥模块在电力电子电路中的工作方式与模块内部各元件的工作状态,分析了通路寄生电感的作用机理,将工作在同一换流回路中的各元件放置在一起,减小了模块内部换流通路的长度,从而减小了其带来的寄生电感值。为保证功率模块封装的兼容性,制作了具有相同封装尺寸的传统商用型IGBT半桥模块与采用了新型芯片布局方式的IGBT半桥模块,搭建了电感测试电路对制作完成的两种模块进行公平地测试比较。实验结果表明,在模块和外部电路接口不变的情况下,新型模块的寄生电感比传统型减少了35%。
谷彤程士东郭清周伟成盛况
关键词：绝缘栅双极型晶体管寄生电感GATEBIPOLAR
功率模块的封装结构
本发明的目的在于针对现有的功率模块散热的局限性，提供一种新型功率模块封装结构。这种封装形式与传统形式相比，增大模块的散热面积，提高了模块的散热性能。一种功率模块的封装结构，其特征在于：包括下层导热管壳和上层塑料管壳，导热...
程士东郭清谷彤翟超汪涛盛况
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带有散热结构的功率模块基板
本发明的目的是提供一种带有散热结构的功率模块基板，其特征在于：在原有基板的基础上，根据DBC板的分布，在DBC板周围的基板区域附加基板散热结构，附加的基板散热结构由铜制成，其内部为中空结构，并且充有冷却液，该冷却液通过管...
郭清翟超汪涛盛况谷彤程士东
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高压大电流碳化硅MOSFET串并联模块
碳化硅(SiC) MOSFET作为一种新型宽禁带半导体器件，其性能在高温、高频、高功率密度的应用场合具有优于硅基功率半导体器件。然而，由于碳化硅晶元生长和SiC MOSFET制造工艺的限制，现在商用SiC MOSFET电...
程士东
关键词：电路结构分立元件
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关于IGBT堆叠结构结壳热阻的简化算法
本发明涉及公开了一种IGBT堆叠结构结壳热阻的简化算法，GBT堆叠结构共有七层材料，包括芯片层，上层焊锡层，DBC上层金属层，DBC陶瓷层，DBC下层金属层，下层焊锡层，基板层，总热阻为这七种材料的热阻串联之和，表述如下...
程士东盛况谷彤郭清张军明
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母排型功率模块支架
本发明提供一种新型自带母排型功率模块支架。母排型功率模块支架包括第一架臂及第二架臂，第一架臂包括第一金属板及第一支脚，第二架臂包括第二金属板及第二支脚，第一支脚与第二支脚对应在第一架臂与第二架臂的位置相互错开，第一金属板...
程士东盛况汪涛郭清谢刚
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