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秦石强

作品数：18 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 17篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 6篇自动化与计算...
  • 2篇电子电信

主题

  • 13篇存储器
  • 10篇闪存
  • 9篇快闪存储器
  • 9篇编程
  • 5篇电路
  • 5篇浮栅
  • 5篇编程效率
  • 5篇存储密度
  • 4篇氮化
  • 4篇氮化硅
  • 4篇沟道
  • 3篇多晶
  • 3篇多晶硅
  • 3篇集成电路
  • 3篇非易失存储器
  • 3篇超大规模集成
  • 3篇超大规模集成...
  • 3篇大规模集成电...
  • 2篇电压
  • 2篇电阻接地

机构

  • 18篇北京大学

作者

  • 18篇秦石强
  • 17篇黄如
  • 16篇蔡一茂
  • 14篇唐粕人
  • 9篇唐昱
  • 7篇张丽杰
  • 5篇谭胜虎
  • 4篇杨庚雨
  • 3篇黄欣
  • 3篇黄芊芊
  • 2篇邹积彬
  • 2篇田明
  • 2篇潘越
  • 2篇叶乐
  • 1篇张天威

年份

  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 2篇2013
  • 7篇2012
  • 6篇2011
共 18 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种SONOS快闪存储器及其制备方法和操作方法
本发明公开了一种SONOS快闪存储器及其制备方法和操作方法。该快闪存储器包括衬底、源漏和沟道，沟道之上依次为隧穿氧化层、氮化硅陷阱层、阻挡氧化层和多晶硅控制栅；其特征在于，所述衬底为轻掺杂硅；源漏的掺杂类型不同，分别为P...
秦石强田明唐粕人唐昱蔡一茂黄如
文献传递
一种用于机器人情感模拟的电路及其控制方法
本发明公开了一种用于机器人情感模拟的电路及其控制方法。本发明的电路包括：微处理器，用以处理需要进行情感模拟的信息；存储器，用以存储对于事物的经验认识，作为经验库，它包括感性存储区和理性存储区；加法器电路，用以将机器人的感...
黄如杨庚雨张丽杰叶乐谭胜虎蔡一茂邹积彬唐昱秦石强
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一种可在BJT和MOSFET之间相互转变的器件
本发明公开了一种可在BJT和MOSFET之间相互转变的器件，包括MOSFET结构中的衬底、栅介质层、栅极、源区和漏区，其中源区的掺杂浓度比漏区高，栅介质层是由阻变材料构成的阻变介质层，当该阻变介质层为高阻态时该器件为MO...
黄如秦石强唐粕人张丽杰蔡一茂
一种用于机器人情感模拟的电路及其控制方法
本发明公开了一种用于机器人情感模拟的电路及其控制方法。本发明的电路包括：微处理器，用以处理需要进行情感模拟的信息；存储器，用以存储对于事物的经验认识，作为经验库，它包括感性存储区和理性存储区；加法器电路，用以将机器人的感...
黄如杨庚雨张丽杰叶乐谭胜虎蔡一茂邹积彬唐昱秦石强
一种SONOS快闪存储器及其制备方法和操作方法
本发明公开了一种SONOS快闪存储器及其制备方法和操作方法。该快闪存储器包括衬底、源漏和沟道，沟道之上依次为隧穿氧化层、氮化硅陷阱层、阻挡氧化层和多晶硅控制栅；其特征在于，所述衬底为轻掺杂硅；源漏的掺杂类型不同，分别为P...
秦石强田明唐粕人唐昱蔡一茂黄如
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一种快闪存储器及其制备方法和操作方法
本发明公开了一种快闪存储器及其制备方法和操作方法。该快闪存储器包括两个垂直沟道的存储单元，以轻掺杂N型(或P型)硅作为衬底，在硅平面的两端各有一个P+区(或N+区)，中间为两个垂直于硅平面的沟道区域，沟道之上为两个沟道共...
秦石强黄芊芊唐粕人唐昱黄如蔡一茂杨庚雨
一种可在BJT和MOSFET之间相互转变的器件
本发明公开了一种可在BJT和MOSFET之间相互转变的器件，包括MOSFET结构中的衬底、栅介质层、栅极、源区和漏区，其中源区的掺杂浓度比漏区高，栅介质层是由阻变材料构成的阻变介质层，当该阻变介质层为高阻态时该器件为MO...
黄如秦石强唐粕人张丽杰蔡一茂
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低压低功耗的新结构闪存器件性能研究
步入信息化时代的今天，人们的生活方式已经随着各种电子产品的广泛普及发生了很大的变化。而就在这些电子产品给人们生活带来极大方便的同时，它自身也为了满足人们日益多样化的需求，种类变得越来越多，性能变得越来越强。在追求整体性能...
秦石强
关键词：低功耗设计CMOS工艺
一种快闪存储器及其制备方法和操作方法
本发明公开了一种快闪存储器及其制备方法和操作方法。该快闪存储器包括两个垂直沟道的存储单元，以轻掺杂N型(或P型)硅作为衬底，在硅平面的两端各有一个P+区(或N+区)，中间为两个垂直于硅平面的沟道区域，沟道之上为两个沟道共...
秦石强黄芊芊唐粕人唐昱黄如蔡一茂杨庚雨
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一种半导体存储器阵列及其编程方法
本发明提供一种闪存存储器的阵列结构及其编程方法，属于超大规模集成电路制造技术中的非易失存储器技术领域。本发明的闪存存储器阵列，包括存储单元，连接存储单元的字线和位线，其中连接存储单元漏端的位线和连接存储单元控制栅的字线不...
蔡一茂黄如唐粕人秦石强
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