秦军瑞
- 作品数：28 被引量：24H指数：3
- 供职机构：国防科学技术大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金长江学者和创新团队发展计划更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>
- 抗单粒子翻转的扫描结构D触发器
- 本发明公开了一种抗单粒子翻转的扫描结构D触发器，目的是提高抗单粒子翻转的扫描结构D触发器的抗单粒子翻转能力。它由时钟电路、扫描控制缓冲电路、主锁存器、从锁存器、第一反相器电路和第二反相器电路组成；主锁存器由十六个PMOS...
- 池雅庆孙永节李鹏梁斌杜延康刘必慰陈建军何益百秦军瑞
- 锁相环电路中压控振荡器的SET响应研究被引量：2
- 2011年
- 空间辐射环境中的锁相环在SET作用下,将产生频率或相位偏差,甚至导致振荡中止,造成通信或功能中断。压控振荡器是锁相环中的关键电路,也是对SET最为敏感的部件之一。本文基于工艺校准的器件模型,采用TCAD混合模拟的方法,针对180nm体硅CMOS工艺下高频锁相环中的压控振荡器,研究了偏置条件、入射粒子的能量以及温度对压控振荡器SET响应的影响,通过分析失效机理,以指导抗辐照压控振荡器的设计。研究结果表明,当器件工作在截止区时,入射粒子引起压控振荡器输出时钟的最大相位差最小;压控振荡器的输出时钟错误脉冲数随着入射粒子LET的增加而线性增加;随着器件工作温度的升高,轰击粒子引起压控振荡器输出时钟的最大相位差也是增大的。
- 秦军瑞陈吉华赵振宇梁斌刘征
- 关键词：压控振荡器混合模拟
- 抗单粒子翻转可置位的扫描结构D触发器
- 本发明公开了一种抗单粒子翻转可置位的扫描结构D触发器，目的是提高抗单粒子翻转可置位的扫描结构D触发器的抗单粒子翻转能力。它由时钟电路、扫描控制缓冲电路、主锁存器、从锁存器、输出缓冲电路组成；主锁存器由十八个PMOS管和十...
- 池雅庆梁斌刘必慰李鹏刘祥远孙永节胡春媚陈建军何益百杜延康秦军瑞
- A-Z-A型石墨烯场效应晶体管吸附效应的第一性原理研究被引量：1
- 2012年
- 利用第一性原理的计算方法,研究了A-Z-A型GNR-FET的电子结构和输运性质及其分子吸附效应.得到了以下结论:纯净的A-Z-A型GNR-FET具有典型的双极型晶体管特性,吸附分子的存在会使纳米带能隙变小.对于吸附H,H_2,H_2O,N_2,NO,NO_2,O_2,CO_2和SO_2分子的情况,A-Z-A型GNR-FET仍然保持着场效应晶体管的基本特征,但吸附不同类型的分子会使GNR-FET的输运特性发生不同程度的改变;对于吸附OH分子的情况,输运特性发生了本质的改变,完全不具有场效应晶体管的特性.这些研究结果将有助于石墨烯气体探测器的工程实现,并对应用于不同环境巾GNR-FET的设计具有重要指导意义.
- 秦军瑞陈书明张超陈建军梁斌刘必慰
- 关键词：石墨烯纳米带石墨烯晶体管分子吸附电子结构
- 纳米CMOS集成电路单粒子诱导的脉冲窄化及电荷共享效应研究
- 我国航天科技迅速发展，航天器对先进集成电路抗辐照技术的研究需求十分迫切。随着集成电路工艺的不断进步、芯片上集成的晶体管数目不断增加、时钟频率不断增加、工作电压以及节点电容不断降低，电荷共享已逐渐成为纳米集成电路单粒子失效...
- 秦军瑞
- 关键词：SRAM
- 高频锁相环中单粒子效应失效机理与加固技术研究
- 作为时钟产生和同步的电路,锁相环(PLL)被广泛应用于各种航天器的电子和通信系统中。空间辐射环境中的PLL在单粒子作用下,将产生频率或相位偏差,甚至导致振荡中止,造成通信或功能中断,从而对航天器造成灾难性的后果。随着工艺...
- 秦军瑞
- 关键词：锁相环单粒子效应压控振荡器鉴频鉴相器抗辐射加固
- 一种抗单粒子翻转可置位和复位的扫描结构D触发器
- 本发明公开了抗单粒子翻转可置位和复位的扫描结构D触发器，目的是提高抗单粒子翻转可置位和复位的扫描结构D触发器的抗单粒子翻转能力。它由时钟电路、扫描控制缓冲电路、复位缓冲电路、主锁存器、从锁存器和输出缓冲电路组成；主锁存器...
- 刘必慰池雅庆梁斌李鹏刘祥远孙永节胡春媚陈建军何益百杜延康秦军瑞
- 文献传递
- 180nm CMOS工艺下SEL敏感性关键影响因素被引量：6
- 2011年
- 研究了影响SEL敏感性的关键因素。针对180nm体硅工艺,基于校准的CMOS反相器器件模型,使用器件模拟的方法,研究了粒子入射位置、温度、阱/衬底接触位置、NMOS与PMOS间距等因素对SEL敏感性的影响。模拟和分析表明,CMOS电路不同位置的闩锁响应差别很大,找出了电路发生闩锁的敏感区域,得出了温度、阱/衬底接触的位置、NMOS与PMOS间距等因素与SEL敏感性之间的关系,并从理论上进行了解释,总结了降低单粒子闩锁效应的有效方法,研究结果能为深亚微米体硅工艺下的抗SEL加固设计提供有效的指导。
- 秦军瑞陈书明陈建军梁斌刘必慰
- 抗单粒子翻转可置位的扫描结构D触发器
- 本发明公开了一种抗单粒子翻转可置位的扫描结构D触发器，目的是提高抗单粒子翻转可置位的扫描结构D触发器的抗单粒子翻转能力。它由时钟电路、扫描控制缓冲电路、主锁存器、从锁存器、输出缓冲电路组成；主锁存器由十八个PMOS管和十...
- 池雅庆梁斌刘必慰李鹏刘祥远孙永节胡春媚陈建军何益百杜延康秦军瑞
- 文献传递
- NBTI效应导致SET脉冲在产生与传播过程中的展宽被引量：4
- 2011年
- 本文研究了负偏置温度不稳定性(NBTI)对单粒子瞬态(SET)脉冲产生与传播过程的影响.研究结果表明:NBTI能够导致SET脉冲在产生与传播的过程中随时间而不断展宽.本文还基于工艺计算机辅助设计模拟软件(TCAD)进行器件模拟,提出了一种在130nm体硅工艺下,计算SET脉冲宽度的解析模型,并结合NBTI阈值电压退化的解析模型,建立了预测SET脉冲宽度在产生的过程中随PMOS器件的NBTI退化而不断展宽的解析模型,TCAD器件模拟的结果与解析模型的预测一致;本文还进一步建立了预测SET脉冲宽度在传播的过程中随PMOS器件的NBTI退化而不断展宽的解析模型,SPICE电路模拟的结果与解析模型所预测的结论一致.
- 陈建军陈书明梁斌刘征刘必慰秦军瑞
- 关键词：脉冲展宽解析模型
