王申伟
- 作品数：12 被引量：34H指数：4
- 供职机构：北京交通大学理学院发光与光信息技术教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金教育部留学回国人员科研启动基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学文化科学医药卫生一般工业技术更多>>
- 氢钝化对硅纳米晶发光强度的影响被引量：5
- 2008年
- 通过热蒸发方法在单晶硅衬底上沉积了SiO/SiO2超晶格样品,在氮气保护下对样品进行高温退火,得到硅纳米晶/SiO2超晶格结构。随后将该结构样品分别注入3.0×1014和3.0×1015cm-2两种剂量的H+。通过对样品的光致发光光谱的分析发现,H+注入后未经过二次退火的样品发光强度急剧下降;二次退火后的样品,随着退火温度的升高,发光强度逐渐增强;注入足够剂量的H+,其发光强度可以远远超过未注入时的发光强度。研究表明,样品发光强度的变化取决于样品内部缺陷面密度的改变,而缺陷面密度是由氢离子的注入剂量和注入后再退火的温度等因素决定的。
- 陈恩光衣立新王申伟刘尧平苏梦蟾唐莹王永生
- 关键词：超晶格硅纳米晶
- 溅射气氛和退火方式对硅纳米晶的形成及发光特性的影响被引量：5
- 2009年
- 利用磁控溅射技术溅射硅靶,通过调节溅射气氛在硅衬底上生长了S iO/S iO2超晶格,热退火处理后超晶格中的S iO发生相分离得到硅纳米晶。通过比较不同退火方式对于硅纳米晶的形成的影响发现,管式炉退火处理的样品给出非常强的室温光致发光,其发光峰的峰位随着硅纳米晶尺寸的增大而红移,且管式炉退火比快速热退火更有利于硅纳米晶的形成。
- 胡峰衣立新王申伟高华何桢
- 关键词：硅纳米晶超晶格磁控溅射热退火
- Ce^3＋注入对不同尺寸的nc-Si/SiO2超晶格发光特性的影响被引量：3
- 2009年
- 通过电子束蒸发方法以及高温退火处理,得到nc-Si/SiO2超晶格。将样品分别注入剂量为2.0×1014cm-2和2.0×1015cm-2的Ce3+,再对其进行二次退火处理,获得多组样品。通过对样品光致发光光谱的分析发现,样品发光强度的变化不仅受到Ce3+注入剂量的影响,而且也受到nc-Si颗粒大小的影响。在相同注入计量和相同的二次退火处理温度下,nc-Si颗粒较大的样品经Ce3+注入后其发光强度增强较为明显。
- 杜玙璠衣立新王申伟邬洋
- 关键词：超晶格硅纳米晶光致发光
- 磁控溅射制备SiO<,x>非晶薄膜的沉积机制及薄膜结构的研究
- 硅基纳米材料是近年迅速发展起来的一类新型光电信息材料，在未来的硅发光二极管、硅激光器以及硅基光电子集成技术中具有潜在的重要应用.这些材料主要包括纳米多孔硅、由SiO2薄膜或SiOx(x＜2)非晶薄膜与氢化非晶Si(a-S...
- 王申伟
- 关键词：非晶薄膜磁控溅射纳米材料
- 文献传递
- 红外吸收光谱法研究磁控溅射沉积SiO_x非晶薄膜的过程被引量：7
- 2007年
- 利用磁控溅射技术,在单晶Si衬底上生长了SiOx非晶薄膜。傅里叶变换红外吸收光谱(FTIR)显示,SiOx非晶薄膜存在3个吸收谱带。研究发现,随着溅射功率的提高,薄膜中先后形成Si-Oy-Si4-y(0
- 王申伟衣立新苏梦蟾陈恩光王永生
- 关键词：SIOX非晶薄膜磁控溅射红外吸收光谱
- 过程管理在高校科研实验室信息化管理中的探索与实践
- 科研实验室管理的重点是确保实验人员在实验过程中能够严格遵守实验室的各项规章制度.目前校科研实验室管理存在实验室管理人员严重不足，管理不到位的问题突出；夜间实验增加，无人值守，设备运行安全保障；管理制度健全，但制度落实、执...
- 王申伟姚志刚何大伟
- 关键词：信息化管理
- SiO/SiO2超晶格结构界面发光的研究
- 2009年
- 利用热蒸发技术在硅衬底上制备了层厚不同的SiO/SiO2超晶格样品。对其光致发光谱进行研究发现,随着SiO/SiO2超晶格中SiO层厚度的增加,发光峰在400～600nm之间移动。研究表明,样品的发光中心来自于SiO/SiO2界面处的缺陷发光(界面态发光)。即在样品沉积的过程中,在SiO/SiO2的界面处由于晶格的不连续性,会形成大量的Si—O悬挂键,这些悬挂键本身相互结合可以形成一定数量的缺陷,同时由于O原子容易脱离Si原子的束缚而产生扩散,因此,这些悬挂键可以与扩散的O原子结合,随着SiO层厚度的增加,在SiO/SiO2的界面处先后出现WOB(O3≡Si—O—O.),NOV(O3≡Si—Si≡O3),E′中心(O≡Si.),NBOHC(O3≡Si—O.)等缺陷,这些缺陷在SiO层厚度增大的过程中对发光先后起到主导作用,从而使得发光峰产生红移。
- 王申伟衣立新何桢胡峰王永生
- 关键词：超晶格界面态光致发光
- 磁控溅射法沉积SiNx非晶薄膜的生长机制及结构分析被引量：4
- 2009年
- 利用磁控溅射技术在单晶Si衬底上沉积了SiNx非晶薄膜。样品的傅里叶变换红外吸收光谱(FTIR)显示,SiNx非晶薄膜在812～892cm-1范围内存在一个较强的吸收谱带。该吸收谱带对应于Si—N—Si键的伸缩振动吸收(Stretching vibration mode),其吸收峰峰位随着溅射功率的增大明显红移;但退火后,该吸收峰又逐渐蓝移。结合中心力模型和自由结合模型,分析了磁控溅射过程中SiNx非晶薄膜的生长机制和内部结构。研究认为,随着溅射功率的提高,薄膜中先后形成Si-N4四面体,Si—N—Si3,Si-N2-Si2及Si-N3-Si等结构,这几种结构分别对应着Si—N—Si键的不同模式的振动吸收。随着退火温度的升高,分子热运动逐渐加剧,非晶SiNx薄膜发生相分离,生成Si3N4和Si纳米晶颗粒,因此,Si—N—Si键的吸收峰逐渐向Si3N4的特征振动吸收峰位870cm-1靠近。
- 邬洋衣立新王申伟杜玙璠黄圣冀国蕊王永生
- 关键词：磁控溅射傅里叶变换红外光谱
- 过程信息化管理在高校科研实验室管理中的探索与实践被引量：15
- 2016年
- 高校科研实验室管理的重点是确保实验人员在实验过程中能够严格遵守实验室的各项规章制度。针对目前高校科研实验室管理人员严重不足、规章制度落实困难的问题,提出过程信息化管理模式,在信息化管理体系的约束下,实现科研实验室"安全、高效、有序"运转。
- 王申伟姚志刚何大伟
- 关键词：过程管理信息化管理权限分配
- Si基CeO2/Tb4O7超晶格薄膜发光特性的研究
- 2011年
- 利用电子束蒸发技术在P型硅衬底上沉积了CeO2/Tb4O7超晶格样品,将样品置于弱还原气氛中高温退火后,观察到薄膜样品在488,544,588以及623nm左右出现Tb3+的四个典型发光峰。结合激发光谱、吸收光谱以及XRD分析表明,CeO2薄膜在高温下失氧,发生Ce4+→Ce3+转变,Ce3+吸收紫外光后,Ce3+与Tb3+发生能量传递,产生发光。通过改变Tb4O7薄膜厚度,研究了Tb4O7层厚对超晶格发光的影响,结果显示在Tb4O7层厚为0.5nm时,发光强度最大;Tb4O7层厚大于0.5nm时,由于Tb3+间的能量传递,产生浓度猝灭。同时,对超晶格样品在900～1 200℃之间进行了不同温度、不同时间的退火,结果显示在1 200℃下进行2h的退火,薄膜发光强度达到最大。研究认为,Ce3+的浓度、氧空位缺陷以及Ce3+与Tb3+间距的变化是导致这一结果的主要原因。
- 王申伟衣立新丁甲成高靖欣郭逦达王永生
- 关键词：超晶格浓度猝灭
