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王炯

作品数:25 被引量:4H指数:1
供职机构:华南理工大学更多>>
相关领域:自动化与计算机技术化学工程一般工业技术电子电信更多>>

文献类型

  • 18篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 7篇自动化与计算...
  • 4篇化学工程
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信

主题

  • 5篇电机
  • 5篇铬钢
  • 5篇发电
  • 5篇发电机
  • 5篇发电机组
  • 5篇高铬
  • 5篇高铬钢
  • 5篇超临界发电机...
  • 4篇构型
  • 4篇超弹性
  • 3篇导电
  • 3篇曲率
  • 3篇曲率线
  • 3篇曲面
  • 3篇可行性
  • 3篇加成
  • 3篇合金
  • 2篇单晶
  • 2篇动力学仿真
  • 2篇多场耦合

机构

  • 25篇华南理工大学

作者

  • 25篇王炯
  • 6篇李建雄
  • 6篇刘安华
  • 3篇张美娟
  • 3篇姚小虎
  • 3篇蔡晓丹
  • 2篇马亚晓
  • 2篇杜平
  • 1篇王东侠
  • 1篇黄怀纬
  • 1篇刘杰
  • 1篇张晓
  • 1篇韩强

传媒

  • 1篇中国胶粘剂
  • 1篇高分子材料科...
  • 1篇材料研究与应...
  • 1篇2013广东...

年份

  • 2篇2025
  • 4篇2024
  • 1篇2023
  • 3篇2022
  • 1篇2021
  • 3篇2020
  • 1篇2019
  • 2篇2018
  • 1篇2017
  • 2篇2015
  • 3篇2014
  • 2篇2013
25 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种柔性透明导电复合膜的制作方法
本发明公开了一种柔性透明导电复合膜的制作方法。将覆氧化剂膜的透明聚合物薄膜,浸入3,4-乙撑二氧噻吩单体溶液,在聚合物薄膜表面进行3,4-乙撑二氧噻吩单体的化学氧化聚合,原位合成导电聚3,4-乙撑二氧噻吩涂层,制得柔性透...
李建雄马亚晓王炯刘安华
一种超弹性壳生长变形控制的数值计算方法、装置及介质
本发明公开了一种超弹性壳生长变形控制的数值计算方法、装置及介质,其中方法包括:确定初始构型的底面<Image file="DDA0004832041630000011.GIF" he="61" imgContent="d...
李展锋王炯
一种高铬钢构件高温蠕变变形预测与蠕变损伤分析方法
本发明公开了一种高铬钢构件高温蠕变变形预测与蠕变损伤分析方法,包括理论模型的建立、材料参数的确定、数值积分算法设计、有限元软件的二次开发、构件的蠕变损伤分析等。本发明方法相对于现有的技术方案进行了较大的改进,可以实现对高...
王炯蔡晓丹
导电PEDOT膜的液相沉降聚合及应用研究--全加成线路板制作的可行性
李建雄张美娟王炯刘安华
不可压超弹性壳构型软材料生长变形方法及存储介质
本发明公开了一种不可压超弹性壳构型软材料生长变形方法及存储介质。该方法包括步骤:确定参考构型底部的曲面、目标构型的目标曲面;根据目标曲面获取第一类基本量和第二类基本量;判断目标曲面的坐标曲线是否形成正交曲率线网;若是,则...
王炯李展锋
高铬钢构件高温氧化腐蚀的连续损伤预测方法及系统
本发明公开了一种高铬钢构件高温氧化腐蚀的连续损伤预测方法及系统,其中方法包括以下步骤:构建扩散‑反应连续性损伤模型,所述扩散‑反应连续性损伤模型包括扩散‑反应方程与损伤演化方程;确定扩散‑反应方程与损伤演化方程的参数;将...
王炯李展锋
一种用于磁致变形材料实验测试的磁场动态加载控制装置
本发明公开了一种用于磁致变形材料实验测试的磁场动态加载控制装置,包括基座;动力模块,设置在基座上,动力模块包括驱动部;旋转台,包括旋转底座、支撑平台以及样品夹持平台,旋转底座固定设置在驱动部上,驱动部驱动旋转台绕第一方向...
杜平王炯陈淡贤李展锋
先进材料与结构力学行为及其失效机理的研究
姚小虎韩强黄怀纬王炯张晓
项目所属科学技术领域:固体力学(弹塑性力学、高速碰撞动力学、原子与分子动力学)。 该项目通过系统深入地研究,在理论分析、实验研究和数值计算方面,取得了一系列原创性的科研成果,主要包括: 1.在国内外率先系统开展了航空...
关键词:
基于生长变形的超弹性薄板构型演化控制方法、系统及介质
本发明公开了一种基于生长变形的超弹性薄板构型演化控制方法、系统及介质,其中方法包括:S1、根据目标曲面的参数方程,计算目标曲面的第一类基本量和第二类基本量;S2、根据第一类基本量和第二类基本量判断坐标曲线是否形成正交曲率...
王炯 李展锋
导电PEDOT膜的液相沉降聚合及应用研究——全加成线路板制作的可行性被引量:1
2014年
为开发全加成PCB制作新工艺,将水解PI膜浸入H2O2和FeCl3溶液后再浸入EDOT溶液,研究EDOT原位聚合新方法,分析VUV辐射对PEDOT导电性的影响和在掩膜下制作导电图纹,以SEM揭示在导电PEDOT上电镀铜箔的形成.PI膜经H2O2和FeCl3溶液浸泡可引入mmol/m2量级的过氧基团和FeCl3,于EDOT溶液中与滞留层中的EDOT反应,形成PEDOT膜,使PI的表面电阻降至400Ω/□;VUV照射使PEDOT的导电性下降,可透过掩膜制作导电图纹;在电解池中导电PEDOT可传递电子使铜离子还原,沉积于导电PEDOT表面,形成针状晶核,再发育成枝晶、纺锤晶和连续铜箔,将导电图纹转化成铜线图纹.
李建雄张美娟王炯刘安华
关键词:真空紫外
共3页<123>
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