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王柱

作品数:65 被引量:38H指数:3
供职机构:武汉大学更多>>
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相关领域:理学一般工业技术金属学及工艺自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 31篇期刊文章
  • 24篇会议论文
  • 7篇专利
  • 2篇科技成果
  • 1篇学位论文

领域

  • 27篇理学
  • 10篇一般工业技术
  • 7篇金属学及工艺
  • 7篇自动化与计算...
  • 6篇核科学技术
  • 4篇电子电信
  • 2篇经济管理
  • 1篇化学工程
  • 1篇机械工程
  • 1篇电气工程

主题

  • 43篇正电子
  • 23篇正电子湮没
  • 11篇正电子寿命
  • 10篇半导体
  • 6篇GASB
  • 5篇微结构
  • 5篇纳米
  • 4篇相互作用
  • 4篇核电子学
  • 4篇
  • 3篇电子辐照
  • 3篇正电
  • 3篇正电子寿命谱
  • 3篇寿命研究
  • 3篇全数字
  • 3篇最小二乘
  • 3篇最小二乘法
  • 3篇温度关系
  • 3篇离子注入
  • 3篇脉冲

机构

  • 65篇武汉大学
  • 4篇中国科学院
  • 3篇中国原子能科...
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  • 2篇深圳大学
  • 2篇太原理工大学
  • 2篇中国辐射防护...
  • 2篇武汉理工大学
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  • 1篇教育部
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  • 1篇西南科技大学
  • 1篇中国工程物理...
  • 1篇中国科学院近...
  • 1篇武汉第二船舶...
  • 1篇日本原子力研...

作者

  • 65篇王柱
  • 18篇王少阶
  • 12篇李辉
  • 11篇庞锦标
  • 7篇陈志权
  • 6篇周凯
  • 6篇田丰收
  • 5篇李世清
  • 5篇吴奕初
  • 4篇苏本法
  • 4篇马莉
  • 4篇邵云东
  • 3篇戴益群
  • 3篇陈叶清
  • 3篇黄启俊
  • 3篇何高魁
  • 3篇朱俊
  • 3篇黄长虹
  • 3篇秦伟
  • 2篇郝晓勇

传媒

  • 8篇武汉大学学报...
  • 5篇第九届全国正...
  • 3篇核技术
  • 3篇原子核物理评...
  • 3篇武汉大学学报...
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  • 1篇中国科技论文
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年份

  • 3篇2022
  • 3篇2021
  • 4篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 4篇2015
  • 5篇2014
  • 1篇2013
  • 5篇2012
  • 1篇2011
  • 6篇2010
  • 2篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 3篇2006
  • 10篇2005
  • 1篇2004
  • 4篇2000
  • 3篇1999
65 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
未掺杂SI-InP中缺陷的正电子寿命研究被引量:2
2000年
在 10~ 30 0 K的温度范围内 ,测量了用液封直拉法 (L EC)生长的 n- In P经高温退火后形成的未掺杂SI- In P晶体的正电子寿命谱 .用 PATFIT和 MEL T两种技术分析了正电子寿命谱 .常温下的结果表明 ,SI- In P中存在铟空位 VIn或与杂质的复合体缺陷 .观察到在 10~ 2 2 0 K之间正电子的平均寿命 τm 随温度的升高而减小 ,表明上述缺陷是带负电荷的铟空位 VIn的氢复合体 ;但是在低温下还存在正电子浅捕获态 ,浅捕获中心很可能是反位缺陷 In2 - P ,因此在 2 2 0~ 30 0 K范围内平均寿命τm 随温度的升高而略有上升 .
毛卫东王少阶王柱孙聂枫孙同年赵有文
关键词:正电子寿命化合物半导体
正电子湮没谱和光致发光谱研究掺锌GaSb质子辐照缺陷被引量:3
2010年
用正电子湮没谱和光致发光谱研究了质子辐照后掺锌GaSb中的缺陷.通过分析正电子的缺陷寿命τ2及强度I2的变化发现,在高能质子的辐照下产生了双空位缺陷VGaVSb,可能同时产生了小的空位团.正电子平均寿命τav和S参数随着质子辐照剂量的变化也证明了这一结论.通过分析不同质子辐照剂量下掺锌GaSb的光致发光谱,发现GaSb中的Zn没有与辐照缺陷相互关联.质子辐照在样品中产生了非辐射复合中心.这种非辐射复合中心很可能是双空位和小空位团.利用光致发光谱推算了受主杂质Zn在GaSb中的能级位置.在经过质子辐照后的样品中发现了氢的存在,氢充当了浅受主杂质.通过退火实验观察到了样品中空位型缺陷的迁移合并和分解,发现氢原子加强了缺陷的移动能力.
周凯李辉王柱
关键词:GASB正电子湮没光致发光谱
一种全数字二维符合多普勒展宽系统
本发明涉及核电子学技术,具体涉及一种全数字二维符合多普勒展宽系统,包括第一、第二探测器和上位机;还包括结构相同的第一、第二采集通道,FPGA数字处理平台和千兆以太网口;第一、第二探测器分别与第一、第二采集通道连接,FPG...
王柱张梦新廖远黄启俊
文献传递
用正电子湮没方法鉴别GaSb半导体中的缺陷
利用正电子湮没谱学方法系统地研究了掺Zn,掺Te、未掺杂的原生和辐照GaSb样品的缺陷结构。正电子寿命实验表明在上述原生样品中存在单空位型缺陷。进一步采用符合多普勒展宽谱仪测试了上述的GaSb样品以及纯Sb、纯Ga晶体。...
王柱胡卫国苏本法邵云东王少阶赵有文
关键词:GASB正电子湮没
文献传递
高纯锗能谱仪系统研制被引量:1
2021年
介绍了高纯锗能谱仪系统的研制。项目突破了探测器级高纯锗单晶提纯、高纯锗探测器表面钝化保护、高计数率数字化多道分析器以及无源效率刻度等关键技术,研制出高纯锗能谱仪系统样机。开展了高纯锗能谱仪在核燃料包壳破损在线监测、中高放射性废物桶核素源项无损检测和材料点缺陷特性分析示范应用研究。性能测试表明:85%探测效率的能谱仪的能量分辨率为1.98keV(1.33 MeV伽马射线),峰康比好于61。
何高魁孙慧斌郝晓勇刘义保代传波邓长明王柱廖辉汪天照胡世鹏邵俊琪张怀强刘海峰杨松贾伟强厉文聪刘洋阙子昂田华阳张向阳
关键词:高纯锗探测器离子注入多道分析器
数字式正电子寿命谱仪
正电子是研究材料微结构的灵敏探针,被广泛地应用于研究凝聚态材料电子结构和缺陷性质。传统正电子谱仪具有的仪器分辨函数大小一般在200-400ps(半高宽)范围内,这种谱仪分辨能力限制了对材料中短寿命成分的研究。数字正电子寿...
李辉王柱庞锦标秦伟周凯
文献传递
用正电子谱研究Ge(SxSe1-x)2玻璃的结构缺陷
由于硫化玻璃基光纤可以在红外长波区间传送电磁波,因而在远程通讯中大量应用。硫化玻璃的结构是影响玻璃基器件参数的重要因素。为了改善玻璃基器件的参数,我们有必要研究硫化玻璃的结构。硫化玻璃是长程无序而短程有序,因而短程有序性...
田丰收庞锦标王柱
关键词:正电子寿命拉曼散射
文献传递
用正电子寿命谱和X射线衍射研究纳米晶体铜的热稳定性
本文用正电子湮没寿命谱和X射线衍射研究了纳米晶体铜的微结构在热作用下的演化。纳米晶体铜样品是在高真空下用1.0Gpa压强压制纳米铜颗粒制成。所用纳米铜颗粒是用自
周凯李辉庞锦标王柱
关键词:正电子寿命微观结构射线衍射
对汤姆逊原子模型的讨论
朱俊王柱
文献传递
浅析襄阳市的城市营销被引量:1
2020年
当下,城市之间的竞争日益激烈,各大城市为提高自身的竞争力,营销手段层出不穷。在此背景下,襄阳市也采取了一系列的城市营销手段,结果虽然取得一定成效,但仍有许多不足。本文通过总结襄阳市的城市营销手段,分析其中存在的问题,对推动襄阳城市营销的进一步改进提出了相关的政策建议。
王柱
关键词:城市营销
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