狄小莲
- 作品数：7 被引量：18H指数：3
- 供职机构：苏州大学物理科学与技术学院（能源学院）江苏省薄膜材料重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江苏省重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
- 平板型感应耦合等离子体源的线圈配置对功率耦合效率的影响被引量：9
- 2006年
- 基于感应耦合等离子体的变压器模型,分析了感应耦合等离子体的功率耦合效率与线圈配置(几何尺寸、电学参量)及等离子体基本参量(等离子体电子密度、电子-中性粒子有效碰撞频率)之间的关系;然后,改变平板型线圈的匝数从而改变了线圈的几何尺寸、电学参量,并且测量出了不同的线圈所对应的功率耦合效率.实验结果表明,线圈的电感量是能否实现放电的决定性因素;而功率耦合效率则与感应线圈的Q值、放电参量(气压、功率)等密切相关,射频输入功率的增加、放电气压的上升都会导致感应耦合等离子体耦合效率的提高,这与感应耦合等离子体的变压器模型预测结果是符合的.然而,变压器模型给出的提高线圈Q值可导致耦合效率增强的预测结果仅适用于同等电感量的线圈条件.本文对于单线圈的感应耦合等离子体源的研究为线圈的优化设计甚至大面积的多线圈感应耦合等离子体源研制提供了理论依据.
- 狄小莲辛煜宁兆元
- 关键词：感应耦合等离子体变压器模型
- 氟化非晶碳氢薄膜的红外结构及其电学特性被引量：2
- 2003年
- 通过感应耦合等离子体(ICP)化学气相沉积方法并利用C4F8和H2的混合气体制备了氟化非晶碳氢(a C:F,H)薄膜.使用红外光谱仪分析了薄膜的结构.研究了金属Al/a C:F、H/SiMIS结构在不同环境光和不同频率下的电容 电压(C V)特性.红外结果表明,在800cm～1800cm-1和2700～3100cm-1的波数范围内,薄膜存在大量的C——C、C—F和C—H的振动结构.从薄膜的C V曲线的计算结果表明,薄膜当中的缺陷电荷约为1.07×1010cm-2,这些电荷主要局域在C——C双键周围 同时,由于界面陷阱电荷的存在,使得C V曲线随着测试频率的增加向负偏置方向偏移.
- 狄小莲辛煜黄松
- 关键词：红外分析电学特性介电常数
- 电容耦合的抑制对感应耦合放电等离子体的影响被引量：1
- 2005年
- 感应耦合等离子体(ICP)是微电子工业刻蚀高精度沟槽结构的首选高密度等离子体源。研究ICP的电特性与等离子体电学参量的变化显得非常重要。本文中,在平板型ICP源的感应线圈和介质窗口之间,使用了对称、均匀、呈辐射状的法拉第屏蔽板。结果表明,屏蔽板的使用不仅极大地降低了干扰等离子体参量测量的等离子体射频电位,而且也降低了线圈中的放电电流和等离子体中的轴向微分磁场信号强度,但Ar等离子体的发射光谱表明,法拉第屏蔽的采用对等离子体功率吸收的影响不大。对测量信号中出现的高次谐波行为也做了定性的讨论。
- 辛煜宁兆元狄小莲虞一青
- 关键词：感应耦合等离子体电容耦合
- 感应耦合等离子体的功率耦合效率的理论分析与计算
- 基于变压器模型,本文对感应耦合等离子体中线圈产生的空间电场分布、等离子体电阻、电感及功率耦合效率等进行了数值计算.在计算过程中,考虑了低气压等离子体无碰撞随机加热机制的作用.结果表明,同心线圈的感应电场呈中空分布,径向和...
- 狄小莲辛煜宁兆元
- 关键词：感应耦合等离子体变压器模型
- 文献传递
- 感应耦合等离子体源线圈配置对等离子体特性的影响
- 感应耦合等离子体技术以其结构简单、低气压下产生高密度等离子体的能力及其良好的可扩展性得到了广泛的应用。本文从优化设计的角度出发，研究了线圈配置对等离子体特性的影响。
建立了变压器模型，模型中将等离子体看成是一变...
- 狄小莲
- 关键词：感应耦合等离子体源优化设计变压器模型
- 文献传递
- 多源感应耦合等离子体的产生及等离子体诊断被引量：3
- 2006年
- 基于单组多匝线圈的小腔体感应耦合等离子体,研究了线圈配置与耦合效率等之间的关联,并将实验结果应用到多组并联螺旋天线感应耦合等离子体放电体系中.采用了改进的朗谬尔探针方法对单源和多源感应耦合等离子体的电参量分别进行了表征.结果表明,使用多螺旋天线并联方式可以产生低气压高密度的感应耦合等离子体放电,通过调整工艺参量,可以将等离子体密度和光刻胶的刻蚀均匀性控制在80%以上.
- 辛煜狄小莲虞一青宁兆元
- 关键词：朗谬尔探针
- HfO_2在CHF_3,Ar和H_2的感应耦合等离子体中的刻蚀行为被引量：3
- 2004年
- 通过改变偏压功率和气体气压的宏观条件 ,利用CHF3 ,Ar和H2 的感应耦合等离子体 (ICP)对HfO2 和RZJ 30 6光刻胶进行了刻蚀选择性实验研究。结果表明 ,HfO2 与等离子体化学相互作用的刻蚀产物属于非挥发性的 ,容易造成边墙的堆积而形成“驼峰”形 ,因而需要借助于Ar+ 的辅助轰击来消除边墙堆积 ,典型的HfO2 /光刻胶的刻蚀选择比在 0 2～ 0 .5之间。在射频源功率 4 0 0W、气压 0 5Pa、射频偏压 - 4 0 0V、流量比为Ar∶CHF3 ∶H2 =4 0sccm∶18sccm∶2sccm的优化条件下 ,利用感应耦合等离子体刻蚀特性 ,对光刻胶作为掩膜的HfO2 /BK7玻璃进行刻蚀 ,扫描电镜的测试结果表明 ,光栅的图形转移效果较好。红外激光波长为 10 6 4nm时 ,所测得的光栅二级衍射效率在 71%以上。
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- 关键词：HFO2刻蚀感应耦合等离子体非挥发性
