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潘越
作品数:
30
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供职机构:
北京大学
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相关领域:
自动化与计算机技术
电子电信
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合作作者
黄如
北京大学
蔡一茂
北京大学
谭胜虎
北京大学
王宗巍
北京大学
唐昱
北京大学
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机构
30篇
北京大学
作者
30篇
潘越
30篇
黄如
26篇
蔡一茂
13篇
谭胜虎
11篇
唐昱
11篇
王宗巍
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黄英龙
9篇
张丽杰
9篇
张耀凯
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杨庚雨
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陈诚
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2014
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2013
9篇
2012
2篇
2010
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一种高一致性的高速阻变存储器及其制备方法
本发明涉及一种高一致性的高速阻变存储器及其制备方法,阻变存储器包括:底电极、阻变材料薄膜和顶电极,底电极在衬底上,阻变材料薄膜有金属掺杂,掺杂的金属同时满足低导热率和高吉布斯自由能。通过离子注入方法在阻变材料薄膜中注入相...
黄如
余牧溪
蔡一茂
王宗巍
潘越
方亦陈
黎明
文献传递
基于非化学剂量比的氮氧硅的双极阻变存储器及制备方法
本发明提供了一种基于非化学剂量比即富含硅的氮氧硅(SiO<Sub>x</Sub>N<Sub>y</Sub>)阻变材料的双极阻变存储器及其制备方法,属于超大规模集成电路技术领域。该阻变存储器包括顶电极,阻变材料层,底电极和...
张丽杰
黄如
潘越
基于非化学剂量比的氮氧硅的双极阻变存储器及制备方法
本发明提供了一种基于非化学剂量比即富含硅的氮氧硅(SiO<Sub>x</Sub>N<Sub>y</Sub>)阻变材料的双极阻变存储器及其制备方法,属于超大规模集成电路技术领域。该阻变存储器包括顶电极,阻变材料层,底电极和...
张丽杰
黄如
潘越
文献传递
一种阻变存储器及其制备方法
本发明公开了一种阻变存储器及其制备方法,属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)技术领域。该阻变存储器包括一衬底,衬底上设置绝缘层和底电极,在底电极上设有隔离层和第一层阻变薄膜,所述隔离层形成凹槽状器件区域,所述第一层阻...
黄如
余牧溪
蔡一茂
王宗巍
潘越
郭彬彬
方亦陈
黎明
文献传递
一种自路由单元电路及其控制方法
本发明公开了一种自路由单元电路及其控制方法。本发明的电路适用于大规模互联的神经网络系统中,前神经元与两个以上后神经元的突触连接采用自路由单元电路,具有两条以上并联的支路,每条并联支路由一个或者多个双极阻变忆阻器构成,每条...
黄如
杨庚雨
蔡一茂
潘越
谭胜虎
张耀凯
陈诚
黄英龙
唐昱
一种纳米尺寸阻变存储器小孔的制备方法
本发明公开了一种纳米尺寸阻变忆阻器小孔的制备方法。本发明的制备方法利用牺牲层腐蚀法来制备纳米尺寸阻变忆阻器的小孔,小孔的方向可以是垂直的,可以是水平的,也可以是任何其他方向。本发明所提供的制备方法可以用来制备任何形状的小...
黄如
杨庚雨
孙帅
谭胜虎
张丽杰
黄英龙
张耀凯
唐昱
潘越
蔡一茂
毛俊
文献传递
一种多值非易失性有机阻变存储器及制备方法
本发明涉及一种多值非易失性有机阻变存储器及其制备方法。该阻变存储器包括顶电极、底电极以及位于顶电极和底电极之间的中间功能层,中间功能层为至少两层聚对二甲苯。该方法包括:采用PVD方法在衬底上生长底电极材料,并采用标准光刻...
蔡一茂
刘业帆
方亦陈
王宗巍
李强
余牧溪
潘越
黄如
文献传递
一种适用于交叉阵列的自选择阻变存储器及其读取方法
本发明公布了一种适用于交叉阵列的自选择阻变存储器及其读取方法。本发明的自选择阻变存储器采用较薄的活性电极,具有挥发性低阻态,结合较小的限流值和特定的读写操作,在十字交叉阵列中应用可以抑制泄漏电流,实现阻变单元的无选择管高...
蔡一茂
潘越
王宗巍
喻志臻
黄如
文献传递
一种平面非易失性阻变存储器及其制备方法
本发明公开了一种平面非易失性阻变存储器及其制备方法。本发明的阻变存储器在衬底的水平方向上形成电极‑阻变层‑电极的平面结构;采用侧墙结构制备阻变层,通过适当的设计可以在一定程度上控制侧墙的厚度和宽度;利用侧墙加上选择性腐蚀...
蔡一茂
王宗巍
黄如
刘业帆
潘越
余牧溪
文献传递
一种低电压阻变存储器及其制备方法
本发明提供了一种低电压阻变存储器及制备方法,属于超大规模集成电路技术领域。该阻变存储器包括顶电极,阻变材料层,底电极和衬底,其中,阻变材料层为氮氧硅(Si<Sub>x</Sub>O<Sub>y</Sub>N<Sub>z<...
黄如
高德金
张丽杰
邝永变
于哲
唐昱
潘越
唐粕人
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