沈寿珍
- 作品数：9 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
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- 一种改进的锑化铟多元列阵器件工艺
- 一种改进的锑化铟多元列阵器件工艺，它是在原有的p-n结合面形成、二氧化硅介质隔离、铬金延伸电极的工艺中，引入阳极氧化法，从而克服了原工艺的缺陷，提高了器件成品率和成品器件的性能，做出了64元多元列阵器件。其改进方法不仅适...
- 俞振中陈新强沈寿珍胡文军
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- 金属有机化合物气相沉积技术倒置式生长反应器
- 本实用新型提供了一种金属有机化合物气相沉积技术倒置式生长反应器。在水平式常压开管腔体内,置有石英搁架,外延衬底片放置在搁架上。加热石墨块紧贴衬底,置于衬底片上方。衬底片外延面朝向下面的反应物主气流。在前部的Hg池上方,设...
- 何进俞振中马可军沈寿珍许平
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- 一种薄膜晶体生长装置
- 本实用新型提供一种改进的具有二个生长腔体的金属有机化合物气相沉积薄膜晶体生长装置,由气体供给部分、尾气处理部分、电子控制部分、安全报警部分、反应生长腔体及加热部分组成。其特点是:一个腔体为倒置式生长结构,采用高频加热方式...
- 俞振中马可军何进沈寿珍许平
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- 准平面型InSb光伏列阵红外探测器
- 1984年
- 在台式光敏面基础上,采用SiO_2介质掩蔽,金属膜延伸电极和衬底区超声引焊电极引线,研制成InSb光伏型列阵的准平面型器件。由本工艺制备的器件具有无串音、结阻抗高、反向耐压高、稳定性好等良好性能。
- 俞振中王留福陈新强沈寿珍葛友放胡文军
- 关键词：平面型光敏面串音串话红外探测器INSB
- 一种可调温度场的加热装置
- 本实用新型提供了一种可调温度场的加热装置,在平面辐射加热装置上设置以二条相平行的轴,在每条轴上设置有一组翅状辐射板,每组辐射板的个数视需要为1至几十个,每个辐射板能绕自己的转轴转动和于不同角度处调节定位,通过调节反射板能...
- 马可军俞振中何进沈寿珍许平匡定波
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- 气垫式衬底旋转装置
- 本实用新型提供了一种金属有机化合物气相沉积技术生长腔气垫式衬底旋转装置。在半圆柱状的基座上配置气垫,气垫和旋片之间用转轴支撑,在旋片上置放衬底。气垫上设置喷气口和涡流状导气槽,旋转驱动气流由基座后面的进气口注入,进入气垫...
- 马可军匡定波何进俞振中沈寿珍许平
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- 一种自补给汞源装置
- 本实用新型提供了一种MOCVD技术生长碲镉汞薄膜材料用的自补给汞源装置。其主体为一个具有双池的石英器皿,一池在加热时产生汞蒸汽,另一为贮汞池,二者由小管相通。热电偶插至蒸发汞舟中部的石英热偶管内以精确控温。贮汞池的汞液通...
- 俞振中马可军何进沈寿珍许平
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- MOCVD－Hg_（1－x）Cd_xTe／CdTe／GaAs外延材料红外吸收光谱研究被引量：2
- 1994年
- 从理论上完成对ＭＯＣＶＤ工艺生长的ＨｇＣｄＴｅ／ＣｄＴｅ／ＧａＡｓ材料的透过率、吸收边和相干行为的计算．结果表明光的干涉条纹与外延层ＨｇＣｄＴｅ和缓冲层ＣｄＴｅ的总厚度相关，其透过率不能直接反映材料的内在质量．计算结果还表明，外延材料组份的均匀性对红外光谱的吸收边有很大的影响．运用理论计算对实验中测得的光谱曲线进行了分析，发现ＭＯＣＶＤ工艺存在着一种部分过饱和态的生长机制，并发现负禁带ＨｇＴｅ薄膜也具有一定的透光特性．
- 杨建荣何进沈寿珍马可军俞振中
- 关键词：碲镉汞红外材料
- 金属有机化合物气相沉积薄膜晶体生长装置
- 本发明提供了一种改进的金属有机化合物气相沉积薄膜晶体生长装置，由气体供给部分、尾气处理部分、电子控制部分、安全报警部分及多个可通过阀门切换的反应生长腔体及加热部分组成。该装置已成功地生长出HgCdTe单晶膜并已试制成功性...
- 俞振中马可军何进沈寿珍许平
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