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林更琪

作品数:50 被引量:71H指数:4
供职机构:华中科技大学光学与电子信息学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家教育部博士点基金湖北省自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术理学化学工程电气工程更多>>

文献类型

  • 42篇期刊文章
  • 4篇专利
  • 3篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 16篇一般工业技术
  • 13篇理学
  • 12篇化学工程
  • 11篇电气工程
  • 6篇自动化与计算...
  • 4篇电子电信

主题

  • 21篇溅射
  • 20篇磁控
  • 20篇磁控溅射
  • 14篇矫顽力
  • 11篇射频磁控
  • 11篇射频磁控溅射
  • 10篇磁记录
  • 8篇磁化
  • 8篇磁性能
  • 6篇CR
  • 5篇介质
  • 5篇金属
  • 5篇过渡金属
  • 5篇磁光
  • 5篇磁化强度
  • 5篇磁性
  • 5篇磁性层
  • 4篇记录介质
  • 4篇光记录
  • 4篇饱和磁化强度

机构

  • 43篇华中科技大学
  • 7篇华中理工大学
  • 3篇华中师范大学
  • 3篇中国科学院上...
  • 2篇中国地质大学
  • 1篇邮电部
  • 1篇中国科学院上...

作者

  • 50篇林更琪
  • 42篇李佐宜
  • 18篇李震
  • 15篇杨晓非
  • 8篇缪向水
  • 8篇王浩敏
  • 8篇晋芳
  • 7篇程伟明
  • 7篇黄致新
  • 5篇胡用时
  • 5篇廖红伟
  • 5篇鄢俊兵
  • 4篇李震
  • 3篇游龙
  • 3篇张约品
  • 3篇董凯锋
  • 3篇王现英
  • 3篇沈德芳
  • 3篇程晓敏
  • 3篇干福熹

传媒

  • 8篇信息记录材料
  • 6篇功能材料
  • 4篇稀有金属材料...
  • 4篇磁性材料及器...
  • 3篇无机材料学报
  • 3篇华中理工大学...
  • 2篇光电子技术与...
  • 2篇磁记录材料
  • 1篇物理学报
  • 1篇华中科技大学...
  • 1篇中国激光
  • 1篇光学学报
  • 1篇稀有金属
  • 1篇应用科学学报
  • 1篇中国稀土学报
  • 1篇光通信研究
  • 1篇半导体光电
  • 1篇材料科学进展
  • 1篇第六届中国功...
  • 1篇第六届中国国...

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2009
  • 3篇2008
  • 6篇2007
  • 3篇2006
  • 3篇2005
  • 7篇2004
  • 4篇2003
  • 5篇2002
  • 5篇2001
  • 1篇2000
  • 2篇1999
  • 2篇1998
  • 2篇1996
  • 1篇1995
  • 1篇1994
  • 1篇1993
  • 1篇1991
  • 1篇1989
50 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
Ag底层对TbFeCo薄膜磁性能的影响
采用射频磁控溅射法在玻璃基片上制备了 TbFeCo/Ag 非晶垂直磁化膜,研究了 Ag 底层厚度对 TbFeCo 薄膜磁性能的影响.原子力显微镜、振动样品磁强计与磁光盘测试仪测量结果表明:薄的银底层具有较高的表面粗糙度可...
程伟明李佐宜林更琪杨晓非缪向水
关键词:射频磁控溅射矫顽力
文献传递
高矫顽力SmCo(Al,Si)/Cr薄膜的研究被引量:3
2001年
通过对磁控溅射条件的优化 ,制备出了较理想的 Sm Co(Al,Si) /Cr硬盘磁记录介质。退火处理后又得到较好的硬磁薄膜。结果指出 ,在 Sm含量 (摩尔分数 )为 31 .6% ,Cr缓冲层为 66nm,Sm(Co,Al,Si) 5磁性层为 30 nm的条件下 ,制得的 Sm(Co,Al,Si) 5/Cr薄膜的矫顽力 Hc 为 1 87.8k A/m,剩磁比 S =Mr/Ms≈ 0 .94。在 50 0℃退火 2 5min后 ,矫顽力 Hc 达到1 0 4 2 .5k A/m,剩磁比 S≈ 0 .92。
王翔李佐宜林更琪蔡长波胡雪涛李震LI Zhen
关键词:矫顽力磁性能磁控溅射
TbCo/Cr非晶垂直磁化膜的磁特性被引量:8
2004年
在 SPF-430H 溅射系统上采用不加偏压的射频磁控溅射法制备了 TbCo 非晶垂直磁化膜, 并就 Cr 底层对 TbCo 非晶垂直磁化膜磁性能的影响进行了研究。结果表明,Cr 底层的存在能够增强 TbCo 非晶垂直磁化膜的磁各向异性,并使得其矫顽力增加。分别采用 VTBH-1 型高感度振动样品磁强计和 MTL-1 磁转矩系统测量了 TbCo薄膜的磁滞回线和磁转矩曲线。结果发现,厚度为 120 nm,并带有 180 nm 厚度 Cr 底层的 Tb31C69 薄膜的矫顽力和磁各向异性能分别高达 51.2×104 A/m 和 0.457 J/cm3;没有带 Cr 底层的同样厚度的 Tb31C69 薄膜的矫顽力和磁各向异性能分别只有 35.2×104 A/m 和 0.324 J/cm3。Hitachi X-650 型扫描电镜的观测结果表明,带有 Cr 底层的TbCo 薄膜具有柱状结构,这一柱状结构导致了磁各向异性能的增强以及矫顽力的提高。
黄致新李佐宜但旭晋芳林更琪
关键词:磁性磁控溅射
光调制直接重写磁光多层膜的制备及其性能研究被引量:1
2000年
本文研究了光调制直接重写磁光多层膜的制备及其磁与磁光特性。成功研制了满足光调制直接重写要求的不同居里温度的磁光存储介质。
王可李佐宜胡作启林更琪熊锐杨晓非李震王翔易开军朱全庆胡煜
关键词:光调制
Ti膜磁控溅射及光吸收特性研究被引量:4
1998年
介绍了射频磁控溅射金属Ti膜工艺,对Ti膜光吸收特性进行了测试,用经典电子理论分析了光吸收机理。
陈善宝林更琪方罗珍吴爱清
关键词:磁控溅射光吸收半导体薄膜技术
溅射氩气压对TbFeCo薄膜磁和磁光性能的影响被引量:3
2003年
研究了射频磁控溅射的溅射氩气压的变化对TbFeCo薄膜的磁和磁光特性的影响,以及不同溅射氩气压下TbFeCo薄膜退火后的特性。溅射氩气压的变化通过改变表面状态影响TbFeCo薄膜矫顽力和克尔角,另外,溅射氩气压的变化会影响被溅射原子轰击薄膜的速度,从而影响TbFeCo薄膜的垂直磁各向异性、矫顽力、磁光克尔效应。
王浩敏林更琪李震李佐宜
关键词:射频磁控溅射磁光特性磁光存储矫顽力
GdFeCo/AlN/DyFeCo静磁耦合多层薄膜磁化方向转变的研究
2004年
对 Gd Fe Co/Al N/Dy Fe Co静磁耦合多层薄膜变温磁化方向变化进行了研究。结果表明读出层 Gd Fe Co随温度上升从平面磁化转变成垂直磁化 ,转变过程中受饱和磁化强度 (Ms)和有效各向异性常数影响 ,但主要受饱和磁化强度 (Ms)的影响。在高温时读出层的磁化强度很小 ,退磁场能减小 ,在静磁耦合作用下 ,使 Gd Fe Co读出层的磁化方向发生转变 ,而且磁化方向的转变在较小的温度范围内变化较快。
张约品王现英林更琪李震李佐宜沈德芳干福熹
关键词:磁光记录磁化
磁光盘抗恶劣环境实验研究
1995年
用射频溅射和反应射频溅射方法分别制备了RE-TM磁光记录薄膜及其保护膜,并从膜面测量和背面测量两侧面分别研究了覆盖保护膜前后的RE-TM磁光盘材料的抗恶劣环境实验。RE-TM磁光盘材料样品的高温高湿老化实验和温度稳定性实验结果证明,覆盖AIN和AiN保护膜的TbFeCo磁光薄膜具有优异的抗高温高湿能力和优越的温度稳定性,因而具有很强的抗恶劣环境能力,可作为宽温磁光盘材料。
缪向水李佐宜胡用时林更琪
关键词:磁光盘抗恶劣环境温度稳定性
具有垂直磁各向异性的TbCo/Cr非晶磁化膜
2004年
采用不加偏压的磁控溅射方法,制备了具有垂直磁晶各向异性的TbCo/Cr非晶垂直磁化膜,并且就Cr底层对TbCo膜磁性能的影响进行了研究。研究发现TbCo磁性层的厚度以及Cr底层的存在都会影响TbCo薄膜磁晶各向异性能的大小。对于厚度为120 nm,并且带有180 nm厚度Cr底层的Tb31C69薄膜而言,其磁晶各向异性能高达4.57×106 erg·cm-3,而对于同样厚度的Tb31C69薄膜,当它没有带Cr底层时,其磁晶各向异性能只有3.24×106 erg·cm-3。扫描电镜的观测结果表明,带有Cr底层的TbCo薄膜具有柱状结构。正是TbCo薄膜内的柱状结构导致了其磁晶各向异性的增强。
黄致新李佐宜但旭晋芳李震林更琪
CoCrPtNb/CrTi/C多层膜记录介质的制备和性能研究被引量:2
2005年
采用CoCrPtNb四元合金作磁记录介质,并采用多层膜结构(CoCrPt)100-xNbx/CrTi/C/Glass制备玻璃盘基硬盘。实验结果表明:采用适宜厚度的籽晶层与合适组分的底层和磁性层的多层膜结构,即使在室温下溅射,此种薄膜磁记录介质也可得到高达260kA/m的矫顽力;在550℃高温下,经过30min真空退火后,其矫顽力有较大幅度提高,并在Nb含量为2.4%(原子分数)时达到极大值386kA/m,适用于高密度磁记录。同时,也详细分析了磁性层和底层组分、籽晶层厚度以及真空退火对磁记录介质磁性能和微结构的影响。
李佐宜游龙杨晓非林更琪
关键词:矫顽力
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