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硫系相变材料Ge_1Sb_2Te_4和Ge_2Sb_2Te_5薄膜相变速度及电学输运性质研究: 2011年; 利用磁控溅射方法制备了Ge_1Sb_2Te_4和Ge_2Sb_2Te_5两种相变存贮材料的薄膜。原位X射线衍射(XRD)的结果表明,随着退火温度的升高,Ge_1Sb_2Te_4和Ge_2Sb_2Te_5薄膜都逐步晶化,材料结构发生了从非晶态到面心立方结构、再到六角密堆结构的转变。由衍射峰的半宽高可以看出,在达到第一次相变温度后,Ge_2Sb_2Te_5比Ge_1Sb_2Te_4结晶更快。原位变温电阻测量的结果显示,在相同的升温速率下,Ge_2Sb_2Te_5的热致晶化速率更快。而且Ge_2Sb_2Te_5非晶态与晶态的电阻差值更高。故Ge_2Sb_2Te_5比Ge_1Sb_2Te_4更适合作为相变存储器的材料。另外,对两种薄膜的电学输运性质进行了研究,霍尔效应的测量表明,Ge_1Sb_2Te_4材料电导的变化是迁移率和载流子浓度共同作用的结果,而Ge_2Sb_2Te_5材料电导的变化主要是由于载流子浓度的变化引起。; 刘文强仝亮徐岭刘妮杨菲廖远宝刘东徐骏马忠元陈坤基

相变存储材料Ge_1Sb_2Te_4和Ge_2Sb_2Te_5薄膜的结构和电学特性研究被引量：5: 2010年; 采用射频磁控溅射方法制备了两种用于相变存储器的Ge1Sb2Te4和Ge2Sb2Te5相变薄膜材料,对其结构、电学输运性质和恒温下电阻随时间的变化关系进行了比较和分析.X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)的结果表明:随着退火温度的升高,Ge1Sb2Te4薄膜逐步晶化,由非晶态转变为多晶态,表面出现均匀的、高度起伏小于10nm的突起;而对于Ge2Sb2Te5薄膜样品,其结构也从非晶态向多晶态转变,但表面形貌的变化不太明显.霍尔效应测量结果表明,无论是原始淀积的还是退火的样品,Ge1Sb2Te4薄膜的载流子浓度均比Ge2Sb2Te5高三个数量级以上,由此推论:Ge1Sb2Te4较高的电导主要来自其较大的载流子浓度.利用变温探针台测量了Ge1Sb2Te4和Ge2Sb2Te5在相变前恒温条件下电阻随时间变化关系,结果表明在相同的恒温条件下Ge2Sb2Te5电阻保持时间更长,更加有利于数据的存储.; 廖远宝徐岭杨菲刘文强刘东徐骏马忠元陈坤基

制备垂直结构相变存储器的方法: 本发明涉及一种制备垂直结构相变存储器的方法，属于纳米电子和纳米光电子器件技术领域。该方法包括准备衬底、镀隔热层、镀薄膜层、铺设模板、离子刻蚀、去除模板、镀绝热层、抛光磨平、光刻腐蚀、复镀绝热层、复抛磨平、制作电极各步骤。...; 徐岭徐骏马忠元刘东廖远宝戴明杨菲刘文强吴良才陈坤基李伟; 文献传递

miR--181b通过调节抑癌基因PDCD4影响结直肠癌进程: 结直肠癌(colorctalcancer,CRC)是全球高发的消化道恶性肿瘤之一。全球每年新发病例已增至100万，其发病率正以4.2％的速度递增。结直肠癌的病因尚不明确，早期没有明显的症状，也易发生转移，这些均是导致其预...; 杨菲; 关键词：结直肠癌 MICRORNA PDCD4 细胞增殖; 文献传递

硫系相变存储材料SbTe/GeSbTe的光电性质及其基于C-AFM的存储机理研究: 随着信息科学的迅猛发展，人们对存储器的存储密度和存储容量的要求也在不断提高。在众多类型的半导体存储器中，相变存储器(PCRAM)被认为是最有可能取代静态随机存储器(SRAM)、动态随机存储器(DRAM)和闪存(FLASH...; 杨菲; 关键词：相变存储器光电性质

制备垂直结构相变存储器的方法: 本发明涉及一种制备垂直结构相变存储器的方法，属于纳米电子和纳米光电子器件技术领域。该方法包括准备衬底、镀隔热层、镀薄膜层、铺设模板、离子刻蚀、去除模板、镀绝热层、抛光磨平、光刻腐蚀、复镀绝热层、复抛磨平、制作电极各步骤。...; 徐岭徐骏马忠元刘东廖远宝戴明杨菲刘文强吴良才陈坤基李伟; 文献传递

一种硫系太阳能电池及其制作方法: 本发明公开了一种硫系太阳能电池及其制作方法，硫系太阳能电池包括衬底、ITO、纳米结构层、纳米硅层和下电极；所述下电极设在纳米硅层上；所述纳米硅层设在纳米结构层上；所述纳米结构层设在ITO上；所述ITO设在衬底上；方法包括...; 徐岭徐骏马忠元肖金荣耿雷陈坤基李伟方力刘妮江一帆杨菲仝亮; 文献传递

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杨菲