杨子文
- 作品数：7 被引量：2H指数：1
- 供职机构：北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- InGaN/GaN量子阱能带及光增益研究
- 作为具有重要应用前景的第三代半导体，III族氮化物半导体材料在过去的20年中始终是学术界和产业界研究和开发的热点。目前，基于III族氮化物的短波长半导体光电器件，包括蓝光半导体发光二极管(LED)，蓝/紫光半导体激光器，...
- 杨子文
- 关键词：氮化物光增益第三代半导体半导体激光器
- P型GaN的Ni/Au合金电极的I-V特性分析
- 本文运用传输线方法(TLM)测量了P型GaN的合金后的Ni/Au电极的接触电阻率和电流-电压(I-V)关系,推导了合金的Ni/Au电极和P型GaN接触处的电流密度与电压(j-V)的关系.在考虑热发射机制和镜像力的基础上,...
- 王彦杰胡晓东杨子文廖辉胡成余潘尧波杨志坚张蓓张国义
- 关键词：电流电压接触电阻率
- 文献传递
- 变条长实验测量GaN增益时条宽的影响被引量：1
- 2010年
- 研究了光学变条长实验中条的宽度对半导体激光器光增益测量的影响,提出利用光刻溅射处理样品来严格控制泵浦条的宽度,并详细研究了泵浦条宽度与样品增益及饱和长度关系。实验表明:泵浦条宽度越窄,饱和长度越长,但测得的增益系数有所减小。本文利用非平衡载流子扩散模型对此现象进行了解释。
- 王伟杨子文于涛邢兵王磊李睿杜为民胡晓东
- 关键词：GAN
- In气氛下晶体生长对Mg掺杂p-AlxGa1-xN激活能的影响
- 2010年
- Ⅲ-Ⅴ族氮化物宽禁带半导体材料体系中,普通方法生长的p型外延层电导率一般都很低,成为了制约器件性能提高的瓶颈。在p-AlxGa1-xN材料中,Mg受主的激活能较大,并且随Al组份增加而增大。通过在p-AlxGa1-xN材料生长过程中引入三甲基铟(TMIn),发现能有效地降低AlxGa1-xN材料中受主态的激活能。为研究不同In气氛下生长的p-AlxGa1-xN材料的性质,在使用相同二茂基镁(CP2Mg)的情况下,改变TMIn流量,生长了A,B,C和D四块样品。X射线衍射(XRD)组份分析表明:在1100℃下生长AlxGa1-xN外延层时,In的引入不会影响晶体组份。利用变温霍尔(Hall)测试研究了p-AlxGa1-xN材料中受主的激活能,结果表明:In气氛下生长的外延层相比无In气氛下生长的外延层,受主激活能明显降低,电导率显著提高。采用这种方法改进深紫外发光二极管(LED)的p-AlxGa1-xN层后,LED器件性能明显提高。
- 张延召秦志新桑立雯许正昱于涛杨子文沈波张国义赵岚张向锋成彩晶孙维国
- 关键词：激活能
- Mg掺杂的Al_xGa_(1-x)N/GaN超晶格紫外峰的性质被引量：1
- 2009年
- 观测了不同Mg含量的AlxGa1-xN/GaN超晶格(SLs)样品在不同退火温度和激发强度下的光致发光(PL)光谱。结合霍尔测量,分析了其紫外发射(UVL)峰的起源及相关影响因素。实验发现:同一样品在N2气氛中高温退火,UVL峰强随退火温度的升高,先增至饱和继而急剧下降,峰位红移;而在相同退火条件下,随着掺杂Mg的流量增加,样品空穴浓度下降,峰强减弱,峰位红移。结果表明:UVL峰是来自于易热分解的浅施主(VNH)与浅受主(MgGa)之间的跃迁,并受到深施主(MgGaVN)与浅受主(MgGa)自补偿效应的影响。实验上随着PL光谱激发强度的增强,UVL峰位约有260meV的蓝移,结合超晶格极化场下的能带模型分析,认为这是极化效应导致的锯齿状能带中,VNH与MgGa之间跃迁方式的改变引起的现象。
- 于涛李睿杨子文张晓敏张延召陈伟华胡晓东
- 关键词：超晶格极化效应
- p型GaN的Ni/Au合金电极的I-V特性
- 2007年
- 运用传输线方法(TLM)测量了p型GaN合金后的Ni/Au电极的接触电阻率和电流-电压(I-V)关系,推导了合金的Ni/Au电极和p型GaN接触处的电流密度与电压(J-V)的关系.在考虑热发射机制和镜像力的基础上,通过对p型GaN的Ni/Au合金电极的I-V特性分析,进一步得出势垒高Φb=0.41eV,受主浓度Na=4×1019cm-3,能带弯曲Vi=0.26V,和EF-Ev:0.15eV.这些结果与理论值和其他实验结果符合得很好.
- 王彦杰杨子文廖辉胡成余潘尧波杨志坚章蓓张国义胡晓东
- 关键词：P-GAN传输线
- MOCVD生长的p型GaN薄膜中Mg掺杂的优化与分析(英文)
- 2008年
- 通过优化Mg流量增强了MOCVD生长的GaN薄膜的p型电导并改善了晶体质量.Hall测量结果表明空穴浓度首先随着Mg流量的升高而升高,达到极大值后开始降低;迁移率始终随Mg流量的升高而降低.最优的样品在室温下空穴浓度达到4.1×1017cm-3,电阻率降至1Ω.cm.考虑施主型缺陷MGaVN的自补偿作用,计算了空穴浓度随掺杂浓度变化的曲线关系.计算结果表明自补偿系数随掺杂浓度的增大而增大;空穴浓度首先随掺杂浓度的增大而增加,在受主浓度为NA≈4×1019左右时达到极大值,之后随着掺杂浓度的增大而迅速降低.XRD数据表明在实验范围内晶体缺陷密度随着掺杂浓度的降低而降低.
- 张晓敏王彦杰杨子文廖辉陈伟华李丁李睿杨志坚张国义胡晓东
- 关键词：P型GAN自补偿MOCVD
