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杨国勇

作品数：4 被引量：2H指数：1
供职机构：东南大学微电子中心更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 2篇温度特性
  • 2篇半导体
  • 2篇MOS器件
  • 1篇电路
  • 1篇动体
  • 1篇偏置
  • 1篇阈值
  • 1篇阈值电压
  • 1篇解析模型
  • 1篇金属-氧化物...
  • 1篇金属-氧化物...
  • 1篇晶体管
  • 1篇绝缘层
  • 1篇绝缘层上硅
  • 1篇绝缘衬底
  • 1篇硅技术
  • 1篇多阈值
  • 1篇费米
  • 1篇高温
  • 1篇半导体场效应...

机构

  • 4篇东南大学

作者

  • 4篇杨国勇
  • 3篇冯耀兰
  • 2篇张海鹏
  • 2篇宋安飞
  • 1篇魏同立

传媒

  • 1篇电子器件
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2003
  • 2篇2001
  • 1篇2000
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
一种自动体偏置多阈值电压高温SOI CMOS电路被引量：1
2001年
提出了一种高温 SOI CMOS电路设计方法—自动体偏置多阈值电压 SOI CMOS(简称 ABB－MT－ SOI CMOS： Auto－ Bulk－ Biased Multi－ Threshold SOI CMOS)电路。文中主要讨论了 ABB－MT－ SOI CMOS电路的结构与工作原理 ,设计与布局等，给出了内部电路电压和电流的模拟结果，并简述了该电路的应用前景。
张海鹏魏同立杨国勇冯耀兰宋安飞
关键词：高温
高温SOI MOS器件的研究与设计
该论文系统的研究了27~300℃温度范围内SOI/SIMOX MOS器件的物理特性和电学性能.该论文对SOI MOS器件主要寄生效应-浮体效应的温度特性作了详细研究.提出了部分耗尽SOI MOS器件电流翘曲效应(Kink...
杨国勇
关键词：温度特性金属-氧化物-半导体场效应晶体管
文献传递
薄膜SOI MOS器件阈值电压的解析模型分析被引量：2
2003年
研究了薄膜全耗尽增强型 SOIMOS器件阈值电压的解析模型 ,并采用计算机模拟 ,得出了硅膜掺杂浓度和厚度、正栅和背栅二氧化硅层厚度及温度对阈值电压影响的三维分布曲线 ,所得到的模拟结果和理论研究结果相吻合。
冯耀兰杨国勇张海鹏
关键词：MOS器件绝缘层上硅金属-氧化物-半导体阈值电压解析模型
硅体费米势在(300～600K)宽温区温度特性的研究
2001年
本文首先简要分析了 MOSFET阈值电压随温度的变化率 ,讨论了影响阈值电压温度特性的主要因素——体费米势的温度特性 ,最后给出了一种比较精确的线性拟合模型 。
杨国勇宋安飞冯耀兰
关键词：温度特性硅
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