李绪诚
- 作品数：37 被引量：81H指数：6
- 供职机构：贵州大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术文化科学更多>>
- MgB_2超导体的相图及其对薄膜制备的指导作用
- 2012年
- MgB2适合于制备约瑟夫森结,在超导电子学领域有很好的应用前景。制备高质量的MgB2薄膜至关重要,应用Mg-B/Mg-B-O体系的相图指导MgB2薄膜生长意义重大。总结MgB2相体系及相关系,详细对比分析Mg-B/Mg-B-O体系的热力学相图,总结分析富氧区杂项MgO的生成机理及其对MgB2薄膜质量和性能的影响,研究分析有氧体系下Mg-B/Mg-B-O热力学相图对MgB2薄膜材料制备生长的指导意义,探讨HPCVD环境下采用原位生长技术制备MgB2超导薄膜时热力学相图的指导作用及相关制备工艺。
- 汪怀蓉李良荣张荣芬李绪诚虞苏青
- 关键词：MGB2超导体相图
- 推挽对称输出的一种热疏导电路
- 2008年
- 功率集成电路的功率密度越来越高,发热问题越来越严重,为现代传热技术在电子冷却领域的应用提出了新的课题。论文分析了半导体器件的温度特性,提出了一种通过电路自身的特性来测量基片温度,并利用电路结构进行散热的热疏导电路结构,提高了大功率电路系统的集成度及散热效率。
- 庞增俊刘桥龙飞李绪诚
- 关键词：功率输出级
- 助熔剂对Ca_(0.98)Bi_2Ta_2O_9:0.02Pr^(3+)发光性能的影响被引量：2
- 2013年
- 采用传统高温固相反应法制备了Pr3+离子掺杂的铋层结构铁电氧化物Ca0.98Pr0.02Bi2Ta2O9(CBTO:Pr3+)荧光粉。利用X射线衍射、荧光光谱等研究了分别添加四种不同助熔剂(H3BO3,NH4F,CaCl2或CaF2)对CBTO:Pr3+粉体的晶体结构、发光强度的影响。结果表明,与未加助熔剂的样品相比,H3BO3,NH4F,CaCl2或CaF2的添加量为5%(摩尔分数)时,CBTO:Pr3+的发光强度分别提高了63%,43%,43%和29%;助熔剂的添加量为10%时,发光强度分别提高了186%,10%,13%和31%。随着H3BO3添加量的增加,CBTO:Pr3+的发光强度先增强后降低,在添加量为10%时,发光强度最大。样品温度特性测试表明CBTO:Pr3+粉体的热稳定性需要进一步改善。
- 吴莘崔瑞瑞李绪诚李良荣邓朝勇
- 关键词：助熔剂固相烧结法稀土
- CaSi_2O_2N_2：Ce^(3＋)/Eu^(2＋)荧光粉的发光性能研究被引量：3
- 2015年
- 采用高温固相反应法制备了CaSi2O2N2:Ce3+/Eu2+荧光粉,研究了分别掺杂Ce3+、Eu2+及Ce3+/Eu2+共掺杂时荧光粉的发光特性。CaSi2O2N2:Ce3+在333nm激发下得到宽波段的发射谱,发射峰位于395nm,随着Ce3+浓度的增大,发射波长出现明显的红移,猝灭浓度为1 mol%。CaSi2O2N2:Eu2+在397nm激发下得到峰值位于540nm处的宽波段发射谱,猝灭浓度为1 mol%。对于Ca0.99-2 xSi2O2N2:xCe3+,xLi+,0.01Eu2+荧光粉,在333nm激发下,位于395nm处的发射峰十分微弱,在540nm处有宽带发射,随着Ce3+浓度增大,位于540nm处的Eu2+的特征发射显著增强。对于Ca0.98-ySi2O2N2:0.01Ce3+,0.01Li+,yEu2+荧光粉,在激发光波长为333nm,Eu2+浓度较低时,可以观察到两个发射带,峰值分别位于395nm及540nm,随着Eu2+浓度增加,位于395nm的发射强度一直减小,而540nm处的发射强度先增加后减小,猝灭浓度为0.4mol%。证实了Ce3+,Eu2+之间发生了有效的能量传递。计算出Ce3+、Eu2+之间能量传递的效率ηT,在Eu2+浓度为1 mol%时ηT趋于饱和,达到97.7%。通过计算,得到Ce3+与Eu2+之间的能量传递方式为电偶极-电偶极相互作用。
- 罗思远李绪诚崔瑞瑞邓朝勇
- 关键词：荧光粉稀土
- 开放式电子技术教学方案研究与实施被引量：9
- 2012年
- 以培养"综合型、设计型、创新型"人才为主线,讨论了开放式电子技术教学方案,以及开放式实验的项目设置、项目开发、项目管理、学分管理等,目标是激励学生的学习积极性、教师项目开发及实验指导的积极性,总结了开放式实验教学急需解决的几个问题。
- 潘正坤李良荣邓朝勇李绪诚张荣芬
- 关键词：电子技术
- 大功率倒装阵列LED芯片及其制造方法
- 本发明公开了一种大功率倒装阵列LED芯片及其制造方法。其大功率倒装阵列LED芯片结构为：阵列LED芯片是由多个阵列单元构成阵列，其中相邻阵列单元都共用一个n型缓冲层（3）；所述阵列单元是蓝宝石衬底（2）上方依次覆盖n型缓...
- 邓朝勇杨利忠李绪诚张荣芬许铖
- 文献传递
- BaO-MgO二元系相图优化计算研究
- 2011年
- 在对BaO-MgO二元系热力学数据评估的基础上,采用Thermo-Calc软件对该体系相图进行优化计算。采用规则溶液模型,获得了较完整的BaO-MgO二元系相图和该体系较完整的热力学数据。还对该二元系的混合焓及组元活度进行了讨论。通过与实验数据进行比较,在富BaO端与实验结果基本吻合;在富MgO端,采用了最新的MgO熔点温度,获得了更加合理的液相线。
- 徐慧马凯英张荣芬李绪诚丁召邓朝勇
- 关键词：相图热力学优化吉布斯自由能
- 大功率倒装阵列LED芯片及其制造方法
- 本发明公开了一种大功率倒装阵列LED芯片及其制造方法。其大功率倒装阵列LED芯片结构为：阵列LED芯片是由多个阵列单元构成阵列，其中相邻阵列单元都共用一个n型缓冲层（3）；所述阵列单元是蓝宝石衬底（2）上方依次覆盖n型缓...
- 邓朝勇杨利忠李绪诚张荣芬许铖
- 超导MgB_2掺杂及薄膜制备研究进展
- 2012年
- 综述了MgB2超导体近期的研究成果,介绍了MgB2的电子结构和超导性质以及化学掺杂对MgB2超导性质的影响,认为通过掺杂可以提高MgB2超导材料在高场下的Jc,少量的SiC掺杂可以得到目前最优异的Jc。讨论了制备MgB2超导薄膜的各种方法,发现HPCVD法制备MgB2超导薄膜有巨大的发展空间,并展望了MgB2超导体的应用前景。
- 王洪伟张松崔瑞瑞李绪诚张荣芬邓朝勇
- 关键词：MGB2电子结构超导性质
- 基于FPGA快速二维DCT图像编码结构被引量：1
- 2012年
- 本文提出了一种二维DCT快速算法的FPGA实现结构,采用行列分解算法将二维DCT分解成两个一维DCT和一个转置缓冲器组成的结构,其中一维DCT借鉴Arai DCT算法,并采取了FPGA特有的并行的流水线技术,该结构极大减少了加法器和乘法器的数量,节省了计算时间。该结构的特点是高数据吞吐率、硬件资源消耗少,功耗低。实验结果证明了二维DCT核设计的正确性,适合图像的实时处理。
- 龙飞李良荣李绪诚
- 关键词：硬件结构
