李兴教
- 作品数：69 被引量：110H指数：5
- 供职机构：华中科技大学光学与电子信息学院电子科学与技术系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术电气工程理学更多>>
- 铁电材料Bi_4Ti_3O_（12）及应用被引量：5
- 1995年
- 叙述了Ｂｉ＿４Ｔｉ＿３Ｏ＿（１２）材料的结构、性质和制备方法，并对Ｂｉ＿４Ｔｉ＿３Ｏ＿（１２）铁电薄膜的研究现状和应用前景作了简单分析。
- 顾豪爽邝安祥李兴教
- 关键词：铁电薄膜铁电材料
- BaO－SnO_2－Sb_2O_3系中的固相反应
- 1994年
- 研究了Ｓｂ固溶限以下ＢａＯ－ＳｎＯ２－Ｓｂ２Ｏ３系统中的固相反应过程。结果表明，在形成ＢａＳｎＯ３相之前Ｓｂ先行进入ＳｎＯ２晶格形成固溶体，高温下ＢａＳｎＯ３相的生成速度取决于ＢａＣＯ３的分解速度，ＢａＳｎＯ３的相生成量取决于合成温度。
- 庄严李兴教
- 关键词：固相反应陶瓷半导体
- 全文增补中
- 激光烧结Al_2O_3－WO_3材料的结构及特性
- 1995年
- 采用大功率ＣＯ＿２激光非平衡合成Ａｌ＿２Ｏ＿３－ＷＯ＿３陶瓷新工艺。分析了激光合成陶瓷的组织结构，测量了激光合成Ａｌ＿２Ｏ＿３－ＷＯ＿３材料的阻－温特性。通过Ｘ射线粉末分析和微区电阻测量，初步证明Ａｌ＿ｘＷＯ＿３相为激光合成Ａｌ＿２Ｏ＿３－ＷＯ＿３系材料的导电相。
- 郑启光陶星之郑芳李兴教
- 关键词：激光烧结陶瓷三氧化二铝三氧化钨
- 麻痹性贝毒的表面等离子体共振快速检测方法研究被引量：5
- 2006年
- 采用表面等离子体共振（SPR）技术研究了赤潮毒素麻痹性贝毒（PSP）的快速检测方法，分别采取固定化PSP抗体分子和PSP分子的方法，进行直接和间接检测溶液中PSP的含量，检测下限分别为70．2μg·L^-1（-235nmol·L^-1）和0．5μg·L^-1（-1．67nmol·L^-1），相对标准偏差（RSD）为4．2％～7．7％，同收率为101％～105％。检测方法的选择性好，样品、标准物和抗体的用量少，检测成本低，单个样品的测试时间不到10min，能够满足赤潮毒素的快速检测需求。
- 鲍军波李兴教罗昭锋王菊英
- 关键词：麻痹性贝毒表面等离子体共振赤潮毒素
- 准分子激光制备多层铁电薄膜的C-V特性研究被引量：3
- 1997年
- 采用脉冲准分子激光工艺,在p型Si(100)单晶基片上,成功地淀积了BIT、PZT/BIT和BIT/PZT/BIT等多层结构的铁电薄膜;采用低频阻抗分析仪,分析了它们的C-V特性曲线的记忆窗口,讨论了记忆窗口与频率的关系,记忆窗口与多层结构的关系。结果表明,三层结构铁电薄膜的C-V特性的记忆窗口优于双层和单层结构的铁电薄膜。
- 李兴教赵建洪安承武李再光李少平
- 关键词：BITPZTBITC-V特性
- 铁电畴层波的电光效应被引量：1
- 1996年
- 铁电１８０°畴结构在超声波作用下将被诱导出沿畴壁传播的铁电畴层波，其电场导致了构成铁电１８０°畴结构的晶体的电光效应，畴结构的光率体发生了改变，晶体的主折射率受到激发铁电畴层波的超声波的调节。这一效应在声光控制和超声检测方面有应用价值。
- 熊和金李兴教
- 关键词：电光效应超声波
- 铁电畴夹层结构中声致发光的探讨
- 1996年
- 由4mm铁电半导体构成的铁电180°畴夹层结构,在超声波的激发下有铁电畴层波产生。铁电畴层波的电势场使电子和空穴不断地分离与复合而辐射光脉冲,将超声波能量转化为光能。调节超声波,可改变光脉冲的强度和周期。
- 熊和金李兴教
- 关键词：铁电畴超声波声致发光
- 用双脉冲测量铁电薄膜的开关特性与电滞回线被引量：2
- 1993年
- 分析测量了铁电薄膜的开关特性.介绍了测量铁电薄膜开关特性的重要仪器——双极性双脉冲发生器,以及利用双极性双脉冲测试铁电薄膜电滞回线的原理.这种电滞回线比用常规测量方式所测出的电滞回线更能真实地反映出铁电薄膜的特性,同时还能反映出铁电薄膜的极化转向过程.
- 曾亦可刘建设李兴教
- 关键词：铁电薄膜开关特性双脉冲
- 双层压电板的180°畴中传播的SH型电声表面波研究被引量：3
- 1991年
- 本文从一般的压电方程出发,给出了在双层压电板的180°畴中传播的SH型电声表面波波解,着重讨论了两层的厚度相等时的情况,并给出了其色散关系及波场的空间分布.理论分析和实验测试均表明等厚双层压电板与铁电畴层波波导具有相似的传输特性,且更有利于低频信号的传输.
- 冯汉华李兴教
- 关键词：色散关系波导
- 准分子激光诱导结晶硅膜的Raman光谱分析被引量：1
- 2001年
- 采用 Xe Cl准分子激光器对 PECVD法生长的非晶硅膜进行了诱导晶化处理 .对结晶膜的晶体质量进行了 Raman光谱表征 .研究表明 ,对于非扫描模式 ,晶化前去氢处理可使结晶膜具有更高的结晶度 ,即氢的存在阻碍非晶硅的晶化 .玻璃衬底与非晶硅膜之间的非晶氮化硅膜对非晶硅膜的晶化没有明显影响 .在 1 50～ 450 m J/cm2 ,结晶膜的结晶度随能量密度的增大而提高 .
- 戴永兵沈荷生张志明张少强徐重阳李兴教
- 关键词：准分子激光非晶硅膜RAMAN光谱结晶度
