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金属有机物化学气相沉积法生长Ga_(2(1-x))In_(2x)O_3薄膜的结构及光电性能研究: 2009年; 采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法在蓝宝石(0001)衬底上制备出了Ga2(1-x)In2xO3(x=0.1—0.9)薄膜,研究了薄膜的结构、电学和光学特性以及退火处理对薄膜性质的影响.测量结果表明:当In组分x=0.2时,样品为单斜β-Ga2O3结构;x=0.5的样品,薄膜呈现非晶结构,退火处理后薄膜结构得到明显的改善,由非晶结构转变为具有(222)单一取向的立方In2O3结构;对于x=0.8,薄膜为立方In2O3结构,退火后薄膜的晶体质量得到提高.在可见光区薄膜本身的透过率均达到了85%以上,带隙宽度随样品中Ga含量的改变在3.76—4.43eV之间变化,且经退火处理后带隙宽度明显增大.; 杨帆马瑾孔令沂栾彩娜朱振; 关键词：金属有机物化学气相沉积蓝宝石衬底退火

衬底温度对MOCVD生长ZnO/GaN/Al2O3外延薄膜的性能影响: 采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法在epi—GaN/Al2O3(0001)衬底上制备外延ZnO薄膜。研究了衬底温度在500～650℃范围内对ZnO薄膜的结构和光电特性的影响。制备的样品是纤锌矿结构的纯ZnO外延...; 喻巧群栾彩娜孔令沂朱振弭伟马瑾; 关键词：ZNO薄膜 MOCVD方法衬底温度结构特性

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朱振