朱廷霞
- 作品数：5 被引量：5H指数：2
- 供职机构：重庆大学动力工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
- 相关领域：理学动力工程及工程热物理更多>>
- “蒸发成核法”研究KDP晶核大小及形状
- 2010年
- 提出一种有望用于研究临界或近临界晶核大小及形状的新方法,借助于原子力显微镜(AFM),对磷酸二氢钾(KDP)晶核的大小以及形状进行了研究。结果表明,应用"蒸发成核法"可得到纳米尺寸的晶核,随溶液浓度的增大,晶核直径从25.8nm增大至59.1nm。其中最小尺寸的晶核,与低过饱和度下的理论预测值较接近。一般情况下,晶核呈球缺型,与经典理论假设形状相符。但蒸发温度低时,晶核可呈矩形(柱状),与KDP晶体的宏观形状更为接近。在蒸发速度较快时,晶核难以形成,只会出现溶质的堆积体。
- 殷士杰李明伟朱廷霞郭晋丽宋洁
- 关键词：成核蒸发AFMKDP
- L-丙氨酸掺杂下ZTS晶体法向生长动力学及化学侵蚀研究被引量：3
- 2014年
- 通过对L-丙氨酸掺杂下ZTS（100）、（010）及（001）面法向生长速度的研究发现,各晶面法向生长速度随过饱和度的增加而线性增加;随掺杂浓度的增加,（100）面的法向生长速度先增大后减小,而（010）及（001）面的法向生长速度先减小,接着增大,然后又减小。分析表明（100）面以位错生长机制为主,（010）及（001）面以连续生长机制为主。利用光学显微镜在侵蚀后的（100）面观察到矩形位错蚀坑,蚀坑密度为33～308 mm-2;掺杂浓度为1%（摩尔分数）时,蚀坑密度最小。
- 曹亚超李明伟潘翠连朱廷霞尹华伟程旻
- 关键词：动力学L-丙氨酸
- 简立方晶体(001)晶面生长的蒙特卡罗模拟
- 2008年
- 通过对简立方晶体(001)晶面生长的蒙特卡罗模拟,获得了不同晶体表面热粗糙度,不同过饱和度,不同平均扩散距离以及不同表面尺寸下晶体生长速率;同时,应用合维数法,计算了表面分形维数;并对表面形貌及描述表面特性的相关参量作了分析。结果表明,法向生长模式和二维核生长模式,包括单核和多核生长模式,都可能出现,其主要取决于热粗糙度和过饱和度的大小。晶体生长速率与表面的微观特性紧密相关,如扭折、台阶、台面和吸附基元的百分比。
- 李明伟程旻付东李哲朱廷霞
- 关键词：晶体生长蒙特卡罗模拟表面形貌分形维数
- 晶体生长中的热毛细对流及其控制研究
- 李友荣李明伟彭岚曾丹苓阮登芳吴双应朱廷霞
- 首次对硅单晶CZ炉内的总体传热传质特性进行了全局数值模拟，分析了晶体和坩埚旋转、晶体和熔体物性参数、自由界面热毛细力和气体切应力等因素对熔体内传热传质过程的影响；首次对Cz法大型砷化镓单晶生长中熔体流动和传热进行了数值模...
- 关键词：
- 关键词：晶体生长热毛细对流
- ADP晶体(100)面相变界面的微观结构被引量：2
- 2010年
- ADP晶体{100}面族生长的实时与非实时AFM（Atomic Force Microscopy）研究表明,其相变驱动力为0.01-0.04kT/ωs时,ADP晶体（100）面的平均面粗糙度和均方面粗糙度均不到0.3 nm,小于该晶面间距0.75 nm,微观结构表现为光滑界面,与夫兰克模型、特姆金模型相符,并观测到螺位错生长;在相变驱动力为0.053-0.11kT/ωs时,ADP晶体的（100）面的平均面粗糙度和均方面粗糙度介于1.8-4.2 nm,大于该晶面间距0.75 nm,微观结构粗糙度增加,趋向于粗糙界面,可用特姆金的弥散界面模型解释,界面上观测到多二维核生长。
- 曹亚超李明伟喻江涛王晓丁朱廷霞
- 关键词：微观结构粗糙度AFM
