曹健
- 作品数：5 被引量：12H指数：2
- 供职机构：大连大学更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 真空蒸镀多晶硅薄膜工艺对其组织和性能的影响被引量：2
- 2011年
- 采用真空蒸镀并退火的方法制备多晶硅薄膜,采用透射电子显微镜对退火前后的样品进行了表征,通过原子力显微镜观察了薄膜的形貌,并测试了薄膜的耐压性能,分析了基板温度、基板距离和退火工艺对薄膜组织和性能的影响。实验结果表明:真空蒸镀所得薄膜为非晶硅薄膜,退火处理可使其多晶化,晶粒尺寸达0.5μm;基板温度120℃、基板距离60 mm为最佳工艺条件,采用该工艺所得多晶硅薄膜的耐压值可达384.2 V。
- 曹健王宙室谷贵之付传起
- 关键词：真空蒸镀退火多晶硅薄膜
- 稀土铈诱导超声化学共沉积Ni-P-PTFE防垢镀层及其制备工艺
- 本发明公开一种稀土铈诱导超声化学共沉积Ni-P-PTFE防垢镀层及其制备工艺，通过稀土铈超声诱导共沉积提高镀层中PTFE含量；在45号钢板⑴基体上制备Ni-P-PTFE防垢镀层⑵，镀层⑵中PTFE粒子含量30vol%-4...
- 付传起王宙张庆乐曹健
- 文献传递
- 真空蒸镀锗掺杂多晶硅薄膜的研究被引量：3
- 2013年
- 为了进一步提高多晶硅薄膜的晶化率,采用真空蒸镀的方法在玻璃衬底上制备了掺杂稀土锗的多晶硅薄膜。用扫描电子显微镜(KYKY-1000B)和显微激光拉曼光谱仪(JY Labram HR 800)分析研究了不同掺杂分数的锗成分对掺锗多晶硅薄膜的表面形貌、组织结构及薄膜晶化率的影响。结果表明:随着锗掺杂分数的增加薄膜表面更加平整、晶粒粒径变大分布更加均匀,晶化率升高;当掺杂分数为1%时,薄膜表面晶粒尺寸可达1μm、晶化率达到87.37%;但当掺杂分数超过1%,镀层表面又变得粗糙、部分晶粒发生变形、晶化率降低。这说明适量锗的掺入可以改善多晶硅薄膜表面平整度,促进薄膜表面晶粒的形成和长大,提高薄膜晶化率。
- 王宙何旭付传起室谷贵之杨萍曹健
- 关键词：真空蒸镀多晶硅薄膜晶化率
- 铝诱导晶化真空蒸镀多晶硅薄膜的研究被引量：8
- 2012年
- 采用真空蒸镀的方法在玻璃衬底上沉积1层非晶硅薄膜,再通过铝诱导晶化的方法制备出晶粒分布较均匀、晶粒尺寸0.5～5μm、晶化率达到89%的多晶硅薄膜。研究了衬底距离、衬底温度、退火温度对薄膜表面形貌、晶粒尺寸和分布及晶化率的影响。结果表明适中的衬底距离下得到的薄膜晶粒分布均匀,表面平整度好,薄膜厚度较大。薄膜的晶化率随着衬底温度和退火温度的提高而增大;随着退火温度的进一步提高,薄膜的晶化率达到最大值然后降低。
- 王宙曹健室谷贵之付传起
- 关键词：多晶硅薄膜铝诱导晶化衬底温度退火温度
- 真空蒸镀太阳能电池用多晶硅薄膜及制备工艺
- 本发明公开一种真空蒸镀太阳能电池用多晶硅薄膜及制备工艺，目的是解决现有多晶硅薄膜及制备工艺存在的问题。本发明在玻璃衬底上通过铝诱导晶化法得到多晶硅薄膜，薄膜由表面向衬底依次由多晶硅薄膜和铝层组成，薄膜厚度为5μm-10μ...
- 王宙付传起曹健室谷贵之李斌何旭
- 文献传递
