戴永兵
- 作品数：81 被引量：91H指数：5
- 供职机构：上海交通大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划教育部重点实验室基金更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺理学自动化与计算机技术更多>>
- 准分子激光诱导下 a-Si : H 膜的电导率异常
- 1998年
- 用ＸｅＣｌ准分子激光器对ａ－Ｓｉ∶Ｈ薄膜进行了低能量密度下的辐照处理，测量了激光辐照区内薄膜的电导率随能量密度与脉冲数的变化．研究表明，能量密度在７５ｍＪ／ｃｍ２附近的激光辐照可导致膜的电导率大幅度升高，这种电导率异常是膜表层形成了ｎｍＳｉ晶粒分散于ａ－Ｓｉ∶Ｈ基底中的混合相的反映．
- 戴永兵徐重阳李兴教安承武
- 关键词：准分子激光氢化非晶硅半导体
- 合金最优性能的预测方法、装置以及电子设备
- 本发明提供了一种合金最优性能的预测方法、装置以及电子设备，涉及合金性能优化技术领域，缓解了现有技术中对于合金性能预测结果的准确度较差的技术问题。该方法包括：获取原始数据集；其中，原始数据集中包括多种合金的成分特征数据、热...
- 隽永飞牛国帅张佼戴永兵姜海涛杨健孙宝德
- 铝合金异质形核机制
- 仅用异质核心与形核相间的固-固晶格错配判定异质核心诱导形核相异质形核能力存在局限性，从液-固相变角度出发，研究熔体原子有序结构如何在质点表面的萌生及外延生长，据此对异质核心诱导形核相形核的难易程度进行判定将更为有效。本文...
- 韩延峰张瀚龙戴永兵张佼孙宝德
- 关键词：铝合金异质形核
- 低压细晶铸造装置及方法
- 本发明公开一种低压细晶铸造装置及方法，所述装置包括上室、下室、上盖、铸型、熔化装置、升液管、细化剂存储器、气压调节装置、承压板。细化剂存储器置于升液管和铸型浇口中间，并将升液管固定在承压板；铸型置于炉膛内的上室，外围充填...
- 张佼余志文李发国孙宝德王俊疏达韩延峰戴永兵
- 文献传递
- 具有完全等轴晶粒组织的高纯金属及合金铸锭制造方法
- 本发明提供了一种具有完全等轴晶粒组织的高纯金属及合金铸锭制造方法，该方法：加热坩埚中的金属并使其完全熔化；使坩埚内金属熔体的温度缓慢下降；当熔体温度降至其凝固点Tm或液相线温度以下某一温度Tx时，熔体中开始有少量金属晶体...
- 张佼东青杨健戴永兵王俊孙宝德
- 文献传递
- 一种含铪铝合金及其制备方法和应用
- 本发明提供了一种含铪铝合金及其制备方法和应用，属于合金技术领域。本发明提供的含铪铝合金，按质量分数计，元素组成包括：Zn3～15％，Mg1～6％，Cu1～5％，Zr0.1～2％，Hf0.1～2％，余量为Al。本发明在铝合...
- 张佼隽永飞戴永兵赵巍孙宝德
- 低电阻率硼硫共掺杂金刚石薄膜的制备被引量：7
- 2004年
- 利用微波气相沉积方法制备了低电阻率的 n型硫掺杂和硼硫共掺杂金刚石薄膜 .质子激发 X射线荧光测试表明硼硫共掺杂方法能够提高硫在金刚石中的溶解度 ;扫描电镜和 Raman光谱的分析结果表明掺杂金刚石薄膜的晶粒较完整 ,薄膜中存在较多的非金刚石碳相 .Hall效应测试表明薄膜的导电类型为 n型 ,电阻率为 0 .0 2 4 6 Ω·cm,载流子浓度为 2 .4 0× 1 0 1 7cm- 3,Hall迁移率为 1 0 3cm2 / (V· s) ;较低的电阻率是薄膜中存在
- 胡晓君李荣斌沈荷生戴永兵何贤昶
- 关键词：共掺杂N型金刚石电阻率
- 微波等离子体退火制备CoSi_2薄膜
- 2004年
- 采用微波等离子体退火方法使溅射的金属钴薄膜与 (1 0 0 )硅衬底发生固相反应直接生成 Co Si2 ,证明了采用微波等离子体退火制备低阻硅化钴的可行性 .通过 X射线衍射图谱发现 ,当退火时间相同时 ,在 6 1 0℃时先形成Co Si2 (1 1 1 )织构 ,75 0℃时 (1 0 0 )取向的 Co Si2 生长显著 .此外 ,在微波作用下 ,无需先形成富 Co的 Co2 Si和 Co Si,就能直接得到稳态的 Co Si2 ,不同于常规的热处理 .分析认为这是因为微波可以促进固相反应中 Co原子的扩散 ,有利于 Co Si2
- 欧阳斯可汪涛戴永兵吴建生何贤昶沈荷生
- 关键词：金属硅化物钴固相反应微波等离子体
- 纳米结构和器件的自组装技术
- 根据Moore’s定则,12-15年后,IC密度将达到1012bit/cm2。这与大脑的神经元的密度相当。为得到亚微米和纳米精度的器件特征尺寸,传统的制造业将付出昂贵的费用(一般尺寸缩小和所需费用呈指数增长关系)。因而新...
- 万永中戴永兵王庆康曾令刚辛海维沈荷生张志明
- 文献传递
- 基于偏析法的高纯铝提纯装置
- 一种金属提纯技术领域的基于偏析法的高纯铝提纯装置，包括：内加热装置、若干个电磁搅拌器和提纯炉体。其中：内加热装置位于提纯炉体的中心，电磁搅拌装器位于提纯炉体的四周且均匀分布。本发明通过控制熔体流场改善铝熔体偏析过程中排出...
- 张佼陈慧董锦芳东青孙宝德王俊疏达戴永兵李飞高海燕
- 文献传递
