徐金勇
- 作品数：8 被引量：2H指数：1
- 供职机构：上海大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市教育委员会重点学科基金上海市科委纳米专项基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 共面栅结构的紫外光探测器的制备方法
- 本发明涉及一种基于(100)定向金刚石薄膜的共面栅结构紫外光探测器器件的制备方法。属紫外光探测器器件制备工艺技术领域。本发明共面栅紫外光探测器的特点是在金刚石薄膜表面为一对叉指电极，衬底硅背面为一背电极；采用光刻方法制作...
- 王林军胡广祝雪丰黄健徐金勇夏义本
- 文献传递
- 应用于FED的金刚石薄膜的光学和结构分析(英文)
- 2008年
- 本文比较研究了不同晶粒大小和结构的金刚石薄膜的场发射性质,这些金刚石薄膜通过热丝辅助化学气相沉积法( HFCVD)获得。研究结果表明纳米尺寸效应对金刚石薄膜的场发射性能有非常重要的影响,通过比较不同晶粒尺寸的金刚石薄膜发现纳米金刚石薄膜相对于大晶粒金刚石薄膜(比如微米级的金刚石薄膜)有更好的场发射性能。从拉曼光谱得到,含有一定量非金刚石相的金刚石薄膜有更好的场发射能力和更低的开启电场(E0)。另外,具有(111)定向的金刚石薄膜比起其他结构的金刚石薄膜,它的电子发射能力更强。
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- 关键词：场发射开启电场发射电流拉曼光谱
- EA-HFCVD沉积纳米金刚石膜的光致发光分析(英文)
- 2007年
- 采用电子辅助-热丝化学气相沉积法(EA-HFCVD)在硅片上沉积出晶粒尺寸为30nm的均匀金刚石膜。生长过程中,预先加6A偏流生长1h,然后在0.8kPa条件下,无偏流生长3h。光致发光谱中存在4个发光中心分别位于1.682eV,1,564eV,1,518eV和1.512eV的发光峰。1.682eV处发光峰源于衬底硅原子掺杂于膜中引起的缺陷;其他发光峰源于金刚石晶格振动声子。光致发光强度越大对应的缺陷密度越大,从而降低了场发射域值电场强度,其关键可能源于金刚石膜电导型晶界。
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- 关键词：光致发光
- 纳米光学金刚石薄膜的分析与改进(英文)被引量：1
- 2007年
- 由于极其优良的热学和光学性能,纳米金刚石薄膜极有可能应用于背投电视的激光光学窗口。文章通过在热丝辅助化学气相沉积法中采用偏压增强成核(BEN-HFCVD) ,成功地在(100)硅衬底上制得了适于作为光学窗口的高质量的光学级纳米金刚石薄膜,采用的偏压为-30 V。通过表征制备的纳米金刚石薄膜,发现它具有光滑的表面,表面均方根粗糙度(RMS)约为10 nm,并且对自支撑纳米金刚石薄膜进行透射光谱分析得到其透射率达到了50 %。
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- 关键词：纳米金刚石光学性质表面粗糙度
- 等离子平板显示中冷阴极纳米金刚石膜的制备(英文)被引量：1
- 2008年
- 讨论大面积4cm×4cm纳米金刚石膜制备工艺.采用电子辅助-热丝化学气相沉积法(EA-HFCVD)在硅片上沉积纳米金刚石膜.生长过程中,预先加6安培偏流生长1小时,然后在0.8千帕条件下,无偏流生长3小时.原子力镜表征晶粒尺寸为30纳米.样品上任意三点采用原子力镜表征,表现出良好均匀性.采用偏振光椭圆率测量仪和分光计分别表征样品的折射率和透射率.红外波段透过率超过50%.金刚石膜表面分别进行氢化和氧化处理.通过表征,氢化处理后膜比氧化处理后膜对应的γ值大,约为0.45 .
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- 关键词：透过率
- 共面栅结构的紫外光探测器的制备方法
- 本发明涉及一种基于(100)定向金刚石薄膜的共面栅结构紫外光探测器器件的制备方法。属紫外光探测器器件制备工艺技术领域。本发明共面栅紫外光探测器的特点是在金刚石薄膜表面为一对叉指电极，衬底硅背面为一背电极；采用光刻方法制作...
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- 文献传递
- 强磁场下纳米金刚石薄膜的制备
- 纳米金刚石薄膜具有极其优异的性能，在众多领域具有极佳的应用前景。强磁场作为一种极端条件的特殊电磁场形态，能对材料的组织和性能产生巨大而深刻的影响，它已成为开发新型材料的一种重要技术手段。目前，国际上对强磁场下金刚石薄膜的...
- 徐金勇
- 关键词：强磁场纳米材料金刚石薄膜气相沉积
- 文献传递
- 纳米金刚石薄膜窗口的制备方法
- 本发明涉及一种纳米金刚石薄膜窗口的制备方法，属化学气相沉积工艺及激光窗口材料制作技术领域。本发明通过对热丝化学气相沉积工艺的改进，采用了负偏压来增强金刚石薄膜在生长过程中的气相沉积；在钽丝和硅片底座之间施加上负偏压。高温...
- 胡广祝雪丰王林军黄健徐金勇夏义本
- 文献传递
