张晔
- 作品数：2 被引量：0H指数：0
- 供职机构：浙江工业大学机电工程学院更多>>
- 发文基金：浙江省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信金属学及工艺更多>>
- 微电子元件在冲击载荷下的失效分析及数值模拟
- 2012年
- 焊球界面层裂是微电子封装器件的主要失效模式之一。针对微电子封装器件的界面层失效问题,首先利用焊球剪切实验,得出在剪切速度增加的情况下,焊球失效形式由脆性断裂转变为韧性断裂。基于实验结果,利用有限元程序LS-DYNA,采用内聚力模型的方法,模拟在高速冲击下焊球的裂纹扩展情况,得到与实验结果相似的仿真结果。研究表明:内聚力模型法应用于微电子封装材料的界面层失效分析,可准确模拟微电子封装器件的界面层开裂问题,对进一步研究整个器件在生产、制造、测试及使用过程中界面层裂的产生与扩展奠定基础。
- 张晔许杨剑刘勇
- 几种铜键合引线的力学性能研究
- 2010年
- 根据ASTME8M-04标准,进行不同温度下五种铜键合引线的力学性能测试,研究相关的材料性能曲线。结果表明,五种铜键合引线的力学性能具有明显的温度相关性,其抗拉强度均随温度升高线性下降,260℃时的抗拉强度相比25℃时下降了近一半。抗拉强度随温度变化关系可以采用统一的函数关系式进行拟合;随着直径的增加,抗拉强度有所增加,但不明显。铜键合引线的伸长率随着温度升高首先出现下降趋势,并在150℃时伸长率取得最小值后逐渐上升;同种温度下的伸长率均随直径增加而增大。
- 刘飞梁利华刘勇张晔
- 关键词：力学性能抗拉强度伸长率
