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张晓永

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇离子刻蚀
  • 1篇刻蚀
  • 1篇硅膜
  • 1篇二氧化硅膜
  • 1篇反应离子
  • 1篇反应离子刻蚀
  • 1篇磷

机构

  • 1篇清华大学

作者

  • 1篇张晓永
  • 1篇朱正涌

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇1997
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
扩磷多晶硅的反应离子刻蚀
1997年
提出了一种利用普通光刻机获得亚微米、深亚微米刻蚀掩蔽图形的方法：二氧化硅膜过腐蚀法。利用该方法形成的掩蔽图形实现了扩磷多晶硅的高度各向异性反应离子刻蚀，并对其刻蚀机理进行了分析。
张晓永朱正涌
关键词：二氧化硅膜
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共1页<1>
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