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张庆猛: 作品数：46 被引量：15H指数：2; 供职机构：北京有色金属研究总院更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国防基础科研计划更多>>; 相关领域：化学工程一般工业技术电气工程电子电信更多>>

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钛酸锶钡基储能介质陶瓷的制备和介电性能的研究: ＜正＞采用传统陶瓷工艺,制备了添加4wt%-16wt%BaO-SiO2-B2O3玻璃的Ba0.4Sr0.6TiO3陶瓷。借助XRD、SEM、阻抗分析仪以及铁电分析仪等分析测试手段对样品的微观结构和介电性能进行了研究。实验...; 张庆猛杜军; 文献传递

一种基于玻璃陶瓷电容器的小型化全固态电容式分压器: 本发明提供一种基于玻璃陶瓷电容器的小型化全固态电容式分压器，该分压器包括依次串联在高压端子和接地端子之间的高压臂玻璃陶瓷电容器和低压臂玻璃陶瓷电容器，低压臂玻璃陶瓷电容器上设有信号采集单元，该分压器整体或仅高压臂玻璃陶瓷...; 张庆猛杜军唐群; 文献传递

一种提高玻璃陶瓷电容器交流电压击穿强度的半导体玻璃釉及其制备方法: 一种提高玻璃陶瓷电容器交流电压击穿强度的半导体玻璃釉及其制备方法，该半导体玻璃釉包括具有非线性电阻特性陶瓷粉、低熔点玻璃粉及乙基纤维素，具有非线性电阻特性陶瓷粉由以下重量百分含量的原料经烧结、研磨、过筛制得：94％～96...; 张庆猛唐群罗君韩东方周毅周昊杜军; 文献传递

一种降低铌酸盐基玻璃陶瓷高压电容器器件介电损耗的方法: 本发明公开了一种降低铌酸盐基玻璃陶瓷高压电容器器件介电损耗的方法，在玻璃陶瓷的原料中添加氧化铝，所添加的氧化铝与二氧化硅的摩尔比为0.1％-5％。铌酸盐基玻璃陶瓷的成分组成为：xPbO-ySrO-zNb2</S...; 周昊唐群张庆猛; 文献传递

一种固态脉冲形成线储能介质材料及其制备方法: 本发明涉及一种固态脉冲形成线储能介质材料及其制备方法，其组成和配比为70wt％-90wt％的Ba0.4Sr0.6TiO3和10wt％-30wt％的纳米Mg...; 杜军张庆猛王磊罗君唐群章林文谢卫平李洪涛王勐; 文献传递

氧化物添加对BaO-TiO_(2)-Al_(2)O_(3)-SiO_(2)玻璃陶瓷介电性能的影响被引量：1: 2021年; 采用烧结法制备工艺,成功制备了BaO-TiO_(2)-Al_(2)O_(3)-SiO_(2)玻璃陶瓷,以钛酸钡体系玻璃陶瓷为基础成分添加不同种类氧化物(Y2O3,Ni2O3,ZrO2),并采用X射线衍射(XRD),场发射扫描电镜(FESEM),精密阻抗分析仪测试仪(LCR)对添加不同氧化物玻璃陶瓷样品的析出相成分、微观结构和介电性能进行表征,研究了氧化物添加对BaO-TiO_(2)-Al_(2)O_(3)-SiO_(2)玻璃陶瓷性能的影响。研究结果表明:添加不同的氧化物并未改变BaO-TiO_(2)-Al_(2)O_(3)-SiO_(2)玻璃陶瓷的析出相种类,但能够促进基体中钙钛矿结构钛酸钡结晶相的生成。同时添加不同氧化物后样品的致密度均随烧结温度的升高呈现先增大后减小的变化趋势,在最适烧结温度下,氧化物的添加提高了不同烧结玻璃陶瓷样品的致密度,并优化了样品的介电性能。通过添加不同种类氧化物获得了同时具有高致密度和良好介电性能的玻璃陶瓷成分,当添加0.5%(质量分数)Ni_(2)O_(3)时,样品在最佳烧结温度1230°C下烧结获得最大致密度为98.6%,提高了1.65%,样品室温下的介电常数高达1100,提高了139.5%。; 周敏张庆猛陈均优孙竹叶杨婧; 关键词：氧化物钛酸钡玻璃陶瓷高介电常数

一种具有凹型结构玻璃陶瓷瓷芯的高压电容器: 本实用新型提供一种具有凹型结构玻璃陶瓷瓷芯的高压电容器，包括瓷芯和金属端子，该瓷芯包括两个相互串联的凹型玻璃陶瓷圆片，该两个凹型玻璃陶瓷圆片的上、下表面均涂敷有银电极，该两个凹型玻璃陶瓷圆片的凹面银电极分别焊接金属端子，...; 张庆猛杜军罗君唐群韩东方周毅; 文献传递

一种低介电损耗的无铅玻璃陶瓷及其制备方法: 一种低介电损耗的无铅玻璃陶瓷及其制备方法，该玻璃陶瓷的成分组成为：aBaO-bSrO-cNb2O5-dZnO-xSiO2-yB2O<...; 罗君杜军张庆猛唐群

玻璃-陶瓷脉冲形成线的充放电特性被引量：1: 2018年; 采用熔融-快冷-可控结晶工艺,制备了(Pb,Sr)Nb_2O_6-NaNbO_3-SiO_2大尺寸玻璃陶瓷,开展了其介电性能以及脉冲充放电特性研究。实验结果表明:该玻璃陶瓷材料的介电常数约为340,具有良好的温度稳定性和正的偏压特性。基于该材料制备的固态脉冲形成线输出脉冲脉宽约为89ns,具有良好的脉冲平顶和窄的上升沿。在19kV充放电电压、1kHz的充放电频率、4kA的放电电流条件下,固态脉冲形成线充放电寿命大于100万次。; 张庆猛栾崇彪唐群李洪涛; 关键词：玻璃陶瓷介电性能

(Pb,Sr)Nb_2O_6-NaNbO_3薄膜的制备与介电性能研究被引量：1: 2017年; 采用脉冲激光技术(PLD)在p+-Si上沉积了(Pb,Sr)Nb2O6-Na Nb O3介质薄膜,介质薄膜在氧化气氛下进行不同温度的热处理,进行光刻图形化、磁控溅射沉积电极之后,形成Al/p+-Si/(Pb,Sr)Nb2O6-Na Nb O3/Au结构的MIM(金属-绝缘体-金属)电容器。通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)对介质薄膜的微观形貌及结构进行分析。通过测试不同温度热处理后薄膜电容器的I-V和C-V电学特性,研究了不同温度热处理对薄膜电容器漏电流密度、电容、介电损耗及物相的影响,并对电容器电容和损耗的偏压特性进行了分析,结果表明,800℃热处理能显著提高薄膜的介电常数并降低漏电流密度。在偏压为-1 V,频率为1 k Hz的测试环境下,其介电常数为33,漏电流密度约为4.104×10-9A·cm-2,满足微电子领域内对漏电流小于1×10-8A·cm-2的要求;对薄膜电容器特性曲线拟合后得到其二次项电压系数为188,符合国际半导体技术蓝图(ITRS)对未来MIM电容提出的要求,具有良好的应用前景,是制备无机薄膜电容器理想的介质材料。; 谭飞虎赵鸿滨于军洋张庆猛魏峰杜军; 关键词：脉冲激光沉积法 MIM 介电性能