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康晋峰

作品数：7 被引量：9H指数：1
供职机构：北京大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 6篇电压
  • 4篇电压损失
  • 4篇正高
  • 2篇电荷
  • 2篇电荷泵
  • 2篇电荷泵电路
  • 2篇电路
  • 2篇电路技术
  • 2篇栅极
  • 2篇栅极电压
  • 2篇上升时间
  • 2篇集成电路
  • 2篇集成电路技术
  • 2篇辅助电路
  • 2篇PMOS
  • 1篇信号
  • 1篇信号传递
  • 1篇氧化物
  • 1篇氧化物薄膜
  • 1篇逻辑器件

机构

  • 7篇北京大学

作者

  • 7篇康晋峰
  • 4篇黄鹏
  • 4篇高晓敏
  • 4篇丁健平
  • 4篇王源
  • 4篇杜刚
  • 4篇张兴
  • 2篇陈冰
  • 2篇李秀红
  • 2篇高滨
  • 2篇龙云
  • 1篇连贵君
  • 1篇熊光成
  • 1篇李美亚

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 2篇2014
  • 2篇2013
  • 2篇2012
  • 1篇1999
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
PMOS正高压电荷泵
本发明涉及集成电路技术领域，公开了一种PMOS正高压电荷泵。本发明的电荷泵采用新型结构，保存原有PMOS开关电荷泵的同时，增加PMOS开关电荷泵栅极控制辅助支路，降低了传输辅助支路中PMOS开关管栅极电压，提高了传输辅助...
王源丁健平高晓敏黄鹏杜刚康晋峰张兴
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正高压电荷泵
本发明涉及集成电路技术领域，公开了一种正高压电荷泵，包括多级串联的电荷泵电路，以及一级输出电路，所述输出电路的输入端与最后一级所述电荷泵电路的输出端连接。本发明通过增加辅助电路降低电荷泵电路中PMOS栅极电压，提高其栅极...
王源丁健平高晓敏黄鹏杜刚康晋峰张兴
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钙钛矿结构氧化物薄膜的外延生长被引量：9
1999年
在成功地外延生长超导、铁电、铁磁等多种性质的钙钛矿结构氧化物薄膜的基础上，讨论影响氧化物薄膜外延生长的一些因素．考虑到相形成和薄膜生长动力学，在利用脉冲激光淀积法外延生长氧化物薄膜中衬底温度是十分重要的工艺参数．衬底温度对成相和生长薄膜的取向都有影响．考虑到薄膜是首先在衬底表面成核、成相并生长．因此衬底材料晶格的影响是不容忽视的．观察到衬底材料对薄膜外延生长温度的影响．在适当的工艺条件下，利用低温三步法工艺制备得到有很强织构的外延薄膜．这突出表明界面层的相互作用对钙钛矿结构薄膜的取向有着相当大的影响．
连贵君李美亚康晋峰郭建东孙云峰熊光成
关键词：钙钛矿结构氧化物
一种RRAM逻辑器件的级联系统及方法
本发明提供一种RRAM逻辑器件的级联方法，包括以下步骤：S1、对RRAM器件施加电压信号，使得RRAM器件处于高阻态；S2、利用恒流源读取所述RRAM器件的阻值，并得到RRAM器件的放大电压；S3、将所述RRAM器件的放...
康晋峰李秀红龙云高滨陈冰
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正高压电荷泵
本发明涉及集成电路技术领域，公开了一种正高压电荷泵，包括多级串联的电荷泵电路，以及一级输出电路，所述输出电路的输入端与最后一级所述电荷泵电路的输出端连接。本发明通过增加辅助电路降低电荷泵电路中PMOS栅极电压，提高其栅极...
王源丁健平高晓敏黄鹏杜刚康晋峰张兴
基于阻变存储器的编码方法及编码器
本发明提供一种基于阻变存储器的编码方法及编码器，包括以下步骤：S1、将n种建立电压加到阻变存储器上，以对所述阻变存储器进行set操作，使得所述阻变存储器置于n种低阻态，其中，n≥2；S2、将m种复位电压加到所述阻变存储器...
康晋峰龙云李秀红高滨陈冰
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PMOS正高压电荷泵
本发明涉及集成电路技术领域，公开了一种PMOS正高压电荷泵。本发明的电荷泵采用新型结构，保存原有PMOS开关电荷泵的同时，增加PMOS开关电荷泵栅极控制辅助支路，降低了传输辅助支路中PMOS开关管栅极电压，提高了传输辅助...
王源丁健平高晓敏黄鹏杜刚康晋峰张兴
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