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康晋峰
作品数:
7
被引量:9
H指数:1
供职机构:
北京大学
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
理学
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合作作者
张兴
北京大学
杜刚
北京大学
王源
北京大学
丁健平
北京大学
高晓敏
北京大学
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北京大学
作者
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康晋峰
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黄鹏
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高晓敏
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丁健平
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王源
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杜刚
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张兴
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陈冰
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高滨
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龙云
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连贵君
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李美亚
传媒
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物理学报
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2014
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2013
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1999
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PMOS正高压电荷泵
本发明涉及集成电路技术领域,公开了一种PMOS正高压电荷泵。本发明的电荷泵采用新型结构,保存原有PMOS开关电荷泵的同时,增加PMOS开关电荷泵栅极控制辅助支路,降低了传输辅助支路中PMOS开关管栅极电压,提高了传输辅助...
王源
丁健平
高晓敏
黄鹏
杜刚
康晋峰
张兴
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正高压电荷泵
本发明涉及集成电路技术领域,公开了一种正高压电荷泵,包括多级串联的电荷泵电路,以及一级输出电路,所述输出电路的输入端与最后一级所述电荷泵电路的输出端连接。本发明通过增加辅助电路降低电荷泵电路中PMOS栅极电压,提高其栅极...
王源
丁健平
高晓敏
黄鹏
杜刚
康晋峰
张兴
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钙钛矿结构氧化物薄膜的外延生长
被引量:9
1999年
在成功地外延生长超导、铁电、铁磁等多种性质的钙钛矿结构氧化物薄膜的基础上,讨论影响氧化物薄膜外延生长的一些因素.考虑到相形成和薄膜生长动力学,在利用脉冲激光淀积法外延生长氧化物薄膜中衬底温度是十分重要的工艺参数.衬底温度对成相和生长薄膜的取向都有影响.考虑到薄膜是首先在衬底表面成核、成相并生长.因此衬底材料晶格的影响是不容忽视的.观察到衬底材料对薄膜外延生长温度的影响.在适当的工艺条件下,利用低温三步法工艺制备得到有很强织构的外延薄膜.这突出表明界面层的相互作用对钙钛矿结构薄膜的取向有着相当大的影响.
连贵君
李美亚
康晋峰
郭建东
孙云峰
熊光成
关键词:
钙钛矿结构
氧化物
一种RRAM逻辑器件的级联系统及方法
本发明提供一种RRAM逻辑器件的级联方法,包括以下步骤:S1、对RRAM器件施加电压信号,使得RRAM器件处于高阻态;S2、利用恒流源读取所述RRAM器件的阻值,并得到RRAM器件的放大电压;S3、将所述RRAM器件的放...
康晋峰
李秀红
龙云
高滨
陈冰
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正高压电荷泵
本发明涉及集成电路技术领域,公开了一种正高压电荷泵,包括多级串联的电荷泵电路,以及一级输出电路,所述输出电路的输入端与最后一级所述电荷泵电路的输出端连接。本发明通过增加辅助电路降低电荷泵电路中PMOS栅极电压,提高其栅极...
王源
丁健平
高晓敏
黄鹏
杜刚
康晋峰
张兴
基于阻变存储器的编码方法及编码器
本发明提供一种基于阻变存储器的编码方法及编码器,包括以下步骤:S1、将n种建立电压加到阻变存储器上,以对所述阻变存储器进行set操作,使得所述阻变存储器置于n种低阻态,其中,n≥2;S2、将m种复位电压加到所述阻变存储器...
康晋峰
龙云
李秀红
高滨
陈冰
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PMOS正高压电荷泵
本发明涉及集成电路技术领域,公开了一种PMOS正高压电荷泵。本发明的电荷泵采用新型结构,保存原有PMOS开关电荷泵的同时,增加PMOS开关电荷泵栅极控制辅助支路,降低了传输辅助支路中PMOS开关管栅极电压,提高了传输辅助...
王源
丁健平
高晓敏
黄鹏
杜刚
康晋峰
张兴
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